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DE 
ZH 
Módulo de potencia IGBT fácil de 650V 450A 3B
- Voltaje colector-emisor (VCES): 650V
- Corriente de colector en corriente continua (ICDC): 346A (T1/T4), 271A (T2/T3)
- Corriente máxima de pico repetitiva del colector (ICRM): 900A
- Disipación total de potencia (Ptot): 470W (T1/T4), 339W (T2/T3)
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de unión de funcionamiento (Tj): Hasta 175°C
- Resistencia térmica (RthJH): 0.202 K/W (T1/T4), 0.231 K/W (T2/T3)
Descripción
El HCG450FL065E3RD es un módulo IGBT de alto rendimiento de 650V 450A de Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., diseñado para aplicaciones de inversores NPC de 3 niveles tipo I. Con tecnología avanzada de puerta en trinchera/stop de campo, ofrece baja VCEsat, pérdidas de conmutación mínimas y un coeficiente de temperatura positivo para una eficiencia superior. El módulo incorpora un sustrato de aluminio2O3 para baja resistencia térmica, un diseño compacto de baja inductancia y tecnología DBC para una mejor disipación de calor, garantizando fiabilidad en condiciones exigentes.
Características clave:
- Topología NPC de 3 Niveles de 650V: Optimizado para inversores de alta potencia.
- V bajosCEsat y pérdidas de conmutación: Mejora la eficiencia en operaciones de alta frecuencia.
- Al2O3 Sustrato: Asegura baja resistencia térmica para un rendimiento fiable.
- Diseño compacto de baja inductancia: Reduce EMI y mejora la estabilidad.
- Tecnología DBC: Mejora la disipación de calor para una durabilidad prolongada.
- Amplias aplicaciones: Ideal para sistemas UPS, solares, APF/SVG y de 3 niveles.
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Fácil 3B |
| Característica | RD |
| Diagrama de Circuito | FL: 3 niveles, tipo I, inversor NPC |
| Tensión de Bloqueo (V) | 650 |
| Corriente del Módulo (A) | 450 |
