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ZH 
Módulo de potencia IGBT fácil de 650V 375A 3B
- Voltaje colector-emisor (VCES): 650V
- Corriente de colector en corriente continua (ICDC): 285A
- Corriente máxima de pico repetitiva del colector (ICRM): 750A
- Disipación total de potencia (Ptot): 380W
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de unión de funcionamiento (Tj): Hasta 175°C
- Voltaje de aislamiento (Vaisl): 3.0kV RMS
Descripción
El HCG375FL065E3RC es un módulo IGBT de alta eficiencia de 650V 375A de Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., diseñado para aplicaciones de inversores NPC de 3 niveles. Utilizando tecnología avanzada de canal de trincheras/stop de campo, presenta bajo VCEsat, bajas pérdidas de conmutación y un coeficiente de temperatura positivo para un rendimiento mejorado. El módulo integra un condensador de corriente continua, sustrato de aluminio2O3 para baja resistencia térmica y tecnología DBC para un disipador de calor aislado, garantizando una excelente gestión térmica y fiabilidad.
Características clave:
- Topología NPC de 3 Niveles de 650V: Optimizado para inversores de alta potencia.
- V bajosCEsat y pérdidas de conmutación: Maximiza la eficiencia en operaciones de alta frecuencia.
- Condensador de corriente continua integrado: Mejora la estabilidad del circuito.
- Al2O3 Sustrato y tecnología DBC: Conductividad térmica superior y aislamiento.
- Diseño de baja inductancia: Minimiza EMI para una operación estable.
- Amplias aplicaciones: Adecuado para sistemas PCS, UPS, solares y APF/SVG.
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Fácil 3B |
| Característica | RC |
| Diagrama de Circuito | FL: 3 niveles, tipo I, inversor NPC |
| Tensión de Bloqueo (V) | 650 |
| Corriente del Módulo (A) | 375 |
