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Potencia IGBT 650V 150A
- Voltaje colector-emisor (VCES): 650V
- Corriente de colector en corriente continua (ICDC): 125A
- Corriente máxima de pico repetitiva del colector (ICRM): 300A
- Disipación total de potencia (Ptot): 173W
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de unión de funcionamiento (Tj): Hasta 175°C
- Voltaje de aislamiento (Vaisl): 3.0kV RMS
Descripción
El HCG150FL065E2RB es un robusto módulo IGBT de 650V y 150A diseñado por Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd. para aplicaciones de alta potencia. Utilizando un proceso de puerta de trinchera/campo de parada de 650V, ofrece baja EMI, pérdidas de conmutación reducidas y un coeficiente de temperatura VCEsat positivo para un rendimiento estable. Su sustrato de Al2O3 garantiza una baja resistencia térmica, mejorando la disipación de calor en entornos exigentes.
Características clave:
- Tecnología de Puerta de Trinchera/Campo de Parada de 650V: Minimiza la EMI y maximiza la eficiencia.
- Bajas pérdidas de conmutación: Optimiza el rendimiento en operaciones de alta frecuencia.
- V PositivoCEsat Coeficiente de Temperatura: Asegura un funcionamiento consistente en todas las temperaturas.
- Al2O3 Sustrato: Baja resistencia térmica para una gestión eficaz del calor.
- Diseño Robusto y Compacto: Abrazaderas integradas para un montaje fácil y duradero.
- Aplicaciones Versátiles: Perfecto para sistemas de 3 niveles, PCS, UPS y más.
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Fácil 2B |
| Característica | RB |
| Diagrama de Circuito | FL: 3 niveles |
| Tensión de Bloqueo (V) | 650 |
| Corriente del Módulo (A) | 150 |
