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Potencia IGBT de 650V 100A
- Voltaje colector-emisor (VCES): 650V
- Corriente de colector en corriente continua (ICN): 100A
- Corriente máxima de pico repetitiva del colector (ICRM): 200A
- Disipación de potencia (Ptot): 135W
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de unión de funcionamiento (Tj): Hasta 175°C
Descripción
El HCG100FL065E2RB es un módulo IGBT de alto rendimiento de 650V y 100A diseñado para aplicaciones avanzadas de electrónica de potencia. Diseñado por Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., este módulo aprovecha un proceso de Canal Trinchera/Parada de Campo de 650V para ofrecer baja EMI, pérdidas de conmutación reducidas y un coeficiente de temperatura positivo para VCEsat. Su diseño compacto, con un sustrato de Al2O3 con baja resistencia térmica, garantiza una disipación eficiente del calor y un rendimiento fiable en condiciones exigentes.
Características clave:
- Tecnología de Canal Trinchera/Parada de Campo de 650V: Optimizada para baja EMI y alta eficiencia.
- Bajas pérdidas de conmutación: Mejora la eficiencia energética en aplicaciones de alta frecuencia.
- Coeficiente de Temperatura VCEsat Positivo: Garantiza un rendimiento estable en diferentes rangos de temperatura.
- Sustrato de Al2O3: Proporciona baja resistencia térmica para una gestión térmica superior.
- Diseño compacto y robusto: Abrazaderas de montaje integradas para una instalación fácil y segura.
- Amplio rango de aplicaciones: Adecuado para sistemas de 3 niveles, PCS, UPS y más.
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Fácil 2B |
| Característica | RB |
| Diagrama de Circuito | FL: 3 niveles |
| Tensión de Bloqueo (V) | 650 |
| Corriente del Módulo (A) | 100 |
