ES 
EN 
DE 
ZH 
Módulo de potencia SIC E4 1200V 300A
El HCH10FA120E2C1 es un módulo de potencia de 3 niveles que integra chips MOSFET de SiC de 1200V y chips IGBT de 1200V. Está diseñado para aplicaciones como inversores solares, conmutación de alta frecuencia y sistemas de almacenamiento de energía.
Descripción
Características
- Voltaje de bloqueo: 1200V
- Rds(on): 4.3 mΩ @ VGS = 18V
- Bajas pérdidas de conmutación
- Alta densidad de corriente
- Tecnología de contacto PressFIT
- Temperatura máxima de unión de 175°C
- Termistor incorporado
Aplicaciones
- Sistemas de inversores solares
- Aplicaciones de tres niveles
- Sistemas de almacenamiento de energía
- Aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Información adicional
| Módulo | Híbrido SiC/Si |
|---|---|
| Paquete | HPD |
| Característica | C1 |
| Diagrama de Circuito | ANPC |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| Corriente del Módulo (A) | 300 |
| RDS(on) (mΩ) | 4.3 |
