ES 
EN 
DE 
ZH 
Potencia IGBT de 650V 100A
VCES=650V, IC(nom)=100A
Descripción
Características
- Diseño de baja inductancia
- Vcesat baja con alta temperatura de unión
- Recuperación inversa rápida y suave, diodo antiparalelo FWD
- Bajas pérdidas de conmutación
Beneficios
- Mayor eficiencia del sistema
- Reducción de los requisitos de refrigeración
- Aumento de la densidad de potencia
- Permite frecuencias más altas
Aplicaciones
- Inversor para control de motores
- Amplificador de accionamiento de servo de corriente alterna y continua
- Fuente de alimentación ininterrumpida
Clasificaciones máximas absolutas
- Tc=25°C a menos que se indique lo contrario
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Fácil 2B |
| Característica | A |
| Diagrama de Circuito | FL: 3 niveles |
| Tensión de Bloqueo (V) | 650 |
| Corriente del Módulo (A) | 100 |
| Tjmax (℃) | 150 |
