SiC-Modul

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Teilenummer
Typ
Gehäuse
Schaltbild
Sperrspannung (V)
Strom (A)
RDS(on) (mΩ)
Spezifikationen
SiC-MOSFET
Easy 2B
2300
SiC
Easy 1B
Halbbrücke
1200
150
6.2
SiC
Easy 2B
Halbbrücke
1200
200
6
SiC
Easy 2B
Halbbrücke
1200
160
7.5
SiC
Easy 1B
FT: Dreiphasig
1200
150
9
SiC
62mm
Halbbrücke
1200
200
8.48
SiC
62mm
Halbbrücke
1700
300
6.7
SiC
62mm
Halbbrücke
1200
360
4.25
SiC
62mm
Halbbrücke
1700
400
5.2
SiC
Econo Dual 3A
Halbbrücke
1200
600
3.2
SiC
Econo Dual 3C
Halbbrücke
1200
600
2.2
SiC
Econo Dual 3A
Halbbrücke
1700
600
3.4
SiC
Econo Dual 3C
Halbbrücke
1200
800
1.7
SiC
Econo Dual 3A
Halbbrücke
1700
800
2.8
SiC
Econo Dual 3A
Halbbrücke
1200
900
2

HIITIO Siliziumkarbid (SiC) Leistungsmodule

HIITIO bietet ein umfassendes Portfolio an SiC-MOSFET-Leistungsmodule, die für anspruchsvolle Anwendungen in der Elektromobilität, erneuerbaren Energien, industriellen Leistungskonversionen und Schnellladeinfrastruktur entwickelt wurden.

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial mit breitem Bandabstand, das in Hochleistungs- und Hochfrequenzumgebungen herkömmliches Silizium grundlegend übertrifft. Durch die Integration von SiC-MOSFETs und Dioden in kompakte Modulgehäuse können Systemdesigner die elektrische und thermische Leistung erheblich verbessern und gleichzeitig die Gesamtgröße und Komplexität des Systems reduzieren.

Überblick über das SiC-Leistungsmodule-Portfolio

HIITIO bietet ein skalierbares und flexibles SiC-Modulportfolio, um unterschiedliche Systemarchitekturen und Leistungsanforderungen zu erfüllen.

Sperrspannung Typischer Systemeinsatz
1200 V EV-Antriebswechselrichter, On-Board-Ladegeräte, DC/DC-Wandler, industrielle Antriebe
1700 V Solargleichrichter, Energiespeichersysteme, Mittelspannungs-Industriewandler
2200 V Hochleistungs-Erneuerbare-Energien, netzgekoppelte Wandler, MV-Antriebe
2300 V Hochspannungs-Industriesysteme und spezialisierte Energieanwendungen

HIITIO SiC-Module sind in mehreren Spannungsklassen erhältlich, um Niedrig-, Mittel- und Hochleistungsanwendungen zu unterstützen. Jede Spannungsstufe ist für hohe Schaltleistung, reduzierte Verluste und langfristige Betriebssicherheit optimiert.

ANPC

·Dreistufige Topologie, reduzierte Schaltverluste
·Verbesserte Effizienz und geringere Spannungsbelastung
·Für Hochleistungs-Erneuerbare-Energien-Systeme

Boost

·Gleichstrom-zu-Gleichstrom-Boost-Konversion
·Optimiert für PFC- und Front-End-Leistungstufen
·Hohe Effizienz bei hoher Schaltfrequenz

Chopper

·Gleichspannungskontrolle und Leistungsregelung
·Verwendet für Brems-, Gleichstrom- und Hilfsschaltungen

FT: Dreiphasig

·Dreiphasige Wechselrichter-Konfiguration
·Entwickelt für Traktionssysteme
·Ausgeglichener Phasenstrom und stabile Ausgangsleistung

H-Brücke

·Bidirektionale Leistungsumwandlung
·Unterstützt DC/AC- und DC/DC-Betrieb
·Häufig in Energiespeichersystemen verwendet

Halbbrücke

·Kompakte und modulare Topologie
·Ermöglicht skalierbares Wandlerdesign
Weit verbreitet in modulare Leistungsarchitekturen

62mm

  • Kompakte Grundfläche

  • Geeignet für Mittelleistungsanwendungen

  • Optimiert für Hochleistungsdichte-Designs

Easy 1B

  • Ein-Schalter- oder Halbbrücken-Konfiguration

  • Kosten-effiziente und kompakte Lösung

  • Häufig in Hilfskonvertern und kompakten Wechselrichtern

Easy 2B

  • Dual-Schalter- oder Halbbrücken-Layout

  • Erhöhte Stromfähigkeit

  • Geeignet für Industrie- und Energiesysteme

Econo Dual 3A

  • Standardisiertes Industriegehäuse

  • Optimierter thermischer Pfad

  • Geeignet für Mittel- bis Hochleistungsumwandlung

Econo Dual 3B

  • Höhere Stromfähigkeit als 3A

  • Robuste mechanische Struktur

  • Ideal für anspruchsvolle Industrieumgebungen

Econo Dual 3C

  • Verbesserte thermische und elektrische Leistung

  • Entwickelt für Anwendungen mit höherer Leistungsdichte

  • Geeignet für erneuerbare Energien und ESS-Wechselrichter

HPD (Hochleistungsdichte)

  • Entwickelt für Hochstrom- und Hochleistungssysteme

  • Niedrige parasitäre Induktivität

  • Optimiert für fortschrittliche SiC-Schaltleistung

Kernvorteile der HIITIO SiC-Module

Entwickelt für anspruchsvolle Leistungselektronik-Anwendungen ermöglichen HIITIO SiC-Module höhere Effizienz, größere Leistungsdichte und langfristige Systemzuverlässigkeit.

Ultra-hohe Energieumwandlungseffizienz

HIITIO SiC-Module liefern extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste, insbesondere bei hohen Schaltfrequenzen, reduzieren Energieverlust und gewährleisten stabile Leistung unter Teil- und Volllastbedingungen.

Hochtemperaturbetrieb

Durch die Nutzung der inhärenten thermischen Eigenschaften von Siliziumkarbid unterstützen HIITIO-Module erhöhte Verbindungstemperaturen. Dies verbessert die thermische Robustheit, erhöht die Designmarge und verringert die Abhängigkeit von überdimensionierten Kühllösungen.

Kompaktes Design mit hoher Leistungsdichte

Hohe Schaltfähigkeit ermöglicht den Einsatz kleinerer passiver Komponenten wie Induktoren und Kondensatoren. Dadurch werden Systemgröße und Gewicht reduziert, während hohe Leistungsabgabe und elektrische Leistung erhalten bleiben.

Breite Spannungsabdeckung für vielfältige Anwendungen

HIITIO SiC-Module sind in mehreren Sperrspannungs-Klassen erhältlich. Diese breite Spannungsabdeckung unterstützt eine Vielzahl von Mittel- und Hochspannungs-Wandleranwendungen.

Niedrige parasitäre Induktivität

Optimierte interne Anordnungen minimieren Streuinduktivität und unterstützen schnelles Schaltverhalten. Dies verbessert die dynamische Leistung, reduziert Überspannungen und vereinfacht EMI-Management in Hochgeschwindigkeits-Systemen.

Langfristige Zuverlässigkeit

Fortschrittliches Verpackungsdesign und kontrollierte Fertigungsprozesse gewährleisten einen stabilen Betrieb unter elektrischen, thermischen und mechanischen Belastungen. Dies sorgt für eine lange Lebensdauer und konstante Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.

Gängige Anwendungen

HIITIO SiC-Module werden häufig in Elektromobilität, erneuerbaren Energien, Industrieantrieben und Hochleistungs-Wandler-Systemen eingesetzt.

Elektrofahrzeuge

Erneuerbare-Energien-Inverter

Energiespeichersysteme (ESS) und USV

Industrielle Antriebe und Motorsteuerungen

Warum HIITIO wählen

HIITIO liefert zuverlässige SiC-Leistungskarten mit breiter Spannungsabdeckung, robustem Gehäuse und technischer Unterstützung durch Engineering.

Breites Spannungs- & Stromportfolio

Von niedriger bis hoher Leistung, deckt gängige industrielle und EV-Leistungsbereiche ab.

Skalierbare Qualitätssicherung

ISO/IATF-Standards, gründliche Tests und robuste Fertigungsprozesse.

Reaktionsschneller Support & Anpassungen

Engagierter Engineering-Support für optimierte Designs.

Entwickelt für Hochleistungs-Systeme

Module, die hohe Schaltfrequenzen, verbesserte Effizienz und bessere thermische Leistung unterstützen.

Mit HIITIO SiC-Modulen mit Vertrauen bauen!

Von elektrischer Mobilität bis zu erneuerbaren Energiesystemen bieten HIITIO SiC-Module skalierbare Leistungs-Lösungen, die höhere Effizienz und kompakte Systemgestaltung unterstützen.

HIITIO ist ein globaler Anbieter von fortschrittlichen Lithium-Batterie- und integrierten Energiesystemlösungen für den Markt der leichten elektrischen Mobilität. Mit Fokus auf Lithium-Batteriepacks für Zwei-, Drei- und Vierradplattformen bietet HIITIO flexible Energielösungen, die auf Sicherheit, Haltbarkeit und konstante Systemleistung ausgelegt sind.

Unterstützt durch starke anwendungstechnische Fähigkeiten, standardisierte Produktionsabläufe und umfassende Qualitätsmanagementsysteme liefert HIITIO zuverlässige Batterielösungen für Elektroroller, Elektromotorräder und leichte Nutzfahrzeuge, die sowohl den urbanen Transport als auch gewerbliche Mobilitätsanwendungen unterstützen.

Spannungsoptionen von 1200V–2300V

Nennstromoptionen bis zu 600 A

Fortschrittliche Schaltungstopologien

Industrie-Standard-Pakete

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