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ES Lösung für das Stromumwandlungssystem
- 650V/750V/1100V/1200V IGBTs, optimiert für Energiespeicheranwendungen, erzielen äußerst niedrige dynamische und statische Verluste und steigern die Systemeffizienz.
- Hochleistungsfähige, zuverlässige planare 1200V SiC MOSFETs in Kombination mit verlustarmen IGBTs liefern eine Energiespeichereffizienz von über 99,1 %, was optimale wirtschaftliche Vorteile bietet.
- Außergewöhnlich kompatibles Econo Dual 3A Gehäuse mit 12 mm Gehäusehöhe und integriertem Wärmespreizer, mit geringem Streuinduktivität
- Verbesserte HB2- und HB3-Gehäuse, die langfristige Anschluss-Temperaturen bis zu 175 °C unterstützen und die Leistungsdichte des Energiespeichersystems weiter erhöhen
- Hohe Geräte-Konsistenz und ausgezeichnete Stromverteilung erleichtern Parallelanwendungen, verbessern die Zuverlässigkeit und Robustheit des Systems und vereinfachen die Systemskalierung.
- Optimale Produktlösungen (Gehäuseoptimierung, Chip-Konfiguration) werden basierend auf Anwendung und Überlastanforderungen bereitgestellt.
Einführung in die Power Conversion System Serie
Produkte mit hoch effizienten Micro-Groove-Feld-Stop-IGBTs und planaren Gate SiC MOSFETs in äußerst zuverlässigen Econo Dual 3A, 34 mm und 62 mm Gehäusen verbessern die Energieumwandlungseffizienz und Systemzuverlässigkeit für alle Arten von String- und zentralisierten Energiespeichersystemen.
NPC2
NPC1
ANPC
| Produktmodell | Chip-Typen | Ic(A)@25℃ | Topologie | Nennspannung(V) | Verpackung |
|---|---|---|---|---|---|
| HCG900FH120D3H1L | IGBT | 900 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCG600FH120D3ME1 | IGBT | 600 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCG800FH170D3RE2 | IGBT | 800 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCG450FH170D3RE2 | IGBT | 450 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCG300FH170D3RE1 | IGBT | 300 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCG450FH120D3E1E | IGBT | 450 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCG450FH170D3E1A | IGBT | 450 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCG600FH170D3E1 | IGBT | 600 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCG225FH170D3K4 | IGBT | 225 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCG600FC170D3K4G1 | IGBT | 600 | Chopper | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCG1200FC170D3K5 | IGBT | 1200 | Chopper | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCG75FH170A11 | IGBT | 75 | Halbbrücke | 1700 | 34mm |
| HCG100FH170A11 | IGBT | 100 | Halbbrücke | 1700 | 34mm |
| HCG400FH120A2RB | IGBT | 400 | Halbbrücke | 1200 | 62mm |
| HCG500FH170A2RE1 | IGBT | 500 | Halbbrücke | 1700 | 62mm |
Optimierte Halbleiterarchitektur
Entwickelt, um Verluste zu minimieren und die Umwandlungseffizienz des PCS zu maximieren
Fortschrittliche Graben-Feld-Stop-IGBTs
Reduzieren signifikant sowohl den Leitungsverlust (VCE(sat)) als auch den Schaltverlust, was die Gesamteffizienz des Wandlers unter Teil- und Volllastbedingungen verbessert.
Spannungsplattformen, die auf Energiespeicher abgestimmt sind
Optimierte Baustrukturen für 650V, 750V, 1100V und 1200V DC-Bus-Systeme, die eine hohe Auslastung in Wohn-, Gewerbe- und Industrie-ESS gewährleisten.
Stabile Leistung bei hohen Schaltfrequenzen
Niedrige Schaltenergie und kontrolliertes di/dt-Verhalten ermöglichen einen effizienten Betrieb in Hochfrequenz-PCS-Designs, reduzieren die Größe passiver Komponenten und die Systemkosten.
Systemebene Effizienz über 99%
Bei Anwendung in richtig gestalteten PCS- und ESS-Architekturen unterstützen die Module Konversionseffizienzen von über 99%, was zu geringerer thermischer Belastung und längerer Systemlebensdauer beiträgt.
Technische Datenblätter anfordern
Zugriff auf vollständige Datenblätter, Anwendungshinweise und Referenzdesigns für die HIITIO PCS-Modulserie. Unsere Ingenieure stehen bereit, um Ihre Systembewertung und Design-in-Prozess zu unterstützen.
Thermische Ingenieurkunst auf höchstem Niveau
Entwickelt für Leistungsdichte, thermische Stabilität und Systemskalierbarkeit
Econo Dual 3A Low-Profile-Gehäuse (12 mm Höhe)
Kompaktes mechanisches Design ermöglicht höhere Leistungsdichte und einfachere Integration in platzbeschränkte PCS-Schaltschränke und Wechselrichtergehäuse.
Integrierte thermische Grundplatte für effiziente Wärmeabfuhr
Optimierter Wärmefluss vom Chip zum Kühlkörper reduziert thermischen Widerstand, verbessert die Temperaturgleichmäßigkeit und erhöht die Langzeitzuverlässigkeit unter Dauerbetrieb.
Niedrige Streuinduktivität für stabile Schaltvorgänge und EMI-Kontrolle
Optimiertes internes Layout minimiert parasitäre Induktivität, reduziert Überspannung, Schaltoszillationen und elektromagnetische Störungen in Hochgeschwindigkeits-PCS-Anwendungen.
Parallelschaltung und Stromteilungskapazität
Ausgezeichnete Geräte-Konsistenz und thermische Balance unterstützen Parallelschaltung, was skalierbare PCS-Designs von mehreren zehn Kilowatt bis zu Megawatt-Leistungsspeichersystemen ermöglicht.
Warum HIITIO wählen
HIITIO ist ein ingenieurgetriebener Hersteller von Leistungsmodule, spezialisiert auf IGBT-Lösungen für Energiespeicher-Leistungskonvertierungssysteme (PCS). Mit starken hausinternen Fähigkeiten in Chip-Auswahl, Modulverpackung, thermischer Technik und Zuverlässigkeitsprüfung sind HIITIO PCS-Module darauf ausgelegt, hohe Effizienz, lange Lebensdauer und stabile Leistung unter anspruchsvollen elektrischen und Umweltbedingungen zu liefern.
- Eigenes Modul-Design & Herstellung
- Bewährte Erfahrung in Windenergieanwendungen
- Zuverlässigkeitstests auf Industriestandard
- Flexible technische & kundenspezifische Unterstützung
Entwickelt für moderne Energiespeicher-Topologien
Vollständig kompatibel mit gängigen PCS-Schaltkreisarchitekturen, reduziert die Komplexität des Designs, beschleunigt die Systemintegration und senkt das gesamte Entwicklungsrisiko.
Batteriespeichersysteme (BESS)
DC/DC-Chopper-Schaltungen für Batterieregelung
Bidirektionale Wechselrichter für netzgekoppelte und netzunabhängige ESS
Hochleistungs-Industrie-Energiespeicherwandler
FAQ – PCS IGBT-Leistungstypenmodule
Was ist PCS in Energiespeichersystemen?
PCS steht für Power Conversion System. Es ist die Kerneinheit, die die bidirektionale Leistungsumwandlung zwischen der Batterie (DC) und dem Netz oder der Last (AC) in Energiespeichersystemen steuert.
Sind diese IGBT-Module für sowohl String- als auch Zentral-PCS geeignet?
Ja. Der breite Spannungs- und Strombereich ermöglicht die Anwendung der Module in beiden Architekturen: String-PCS und Zentral-PCS.
Welche PCS-Schaltungstopologien werden unterstützt?
Die Module unterstützen gängige PCS-Topologien, einschließlich Half-Bridge, Chopper, NPC und ANPC-Schaltungsarchitekturen.
Für welche DC-Bus-Spannungsniveaus sind diese Module ausgelegt?
Sie sind optimiert für 650V, 750V, 1100V und 1200V DC-Bus-Plattformen, die in Energiespeichersystemen üblich sind.
Können die Module bei hohen Schaltfrequenzen betrieben werden?
Ja. Geringer Schaltverlust und kontrollierte di/dt-Eigenschaften ermöglichen einen stabilen Betrieb in Hochfrequenz-PCS-Designs.
Was ist die maximale Anschluss-Temperaturbewertung?
Die maximale Anschluss-Temperatur kann bis zu 175°C erreichen, was eine höhere Leistungsdichte und verbesserte thermische Robustheit unterstützt.
Wie kann ich Datenblätter, Muster oder technischen Support anfordern?
Sie können HIITIO direkt über das Anfrageformular kontaktieren, um Datenblätter, Muster oder technischen Support für Ihr Windkraftprojekt anzufordern.
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HIITIO PCS-Module sind so konzipiert, dass sie den Anforderungen an lange Lebenszyklen, hohe Zuverlässigkeit und Effizienz moderner Energiespeicherinfrastrukturen gerecht werden, um das Systemrisiko zu reduzieren und die Kommerzialisierung zu beschleunigen.
HIITIO entwirft und fertigt Hochleistungs-IGBT-Leistungsmodule für Energiespeicher-PCS-Anwendungen. Unterstützt durch hausinterne Entwicklung in Chip-Auswahl, Modulverpackung, thermischem Design und Zuverlässigkeitsprüfung liefern unsere PCS-Module stabile Leistung, hohe Effizienz und lange Lebensdauer in anspruchsvollen Betriebsumgebungen.
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