Entdecken Sie, wie Siliziumkarbid-Leistungsschaltmodule die Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsdichte in Rechenzentren und USV-Systemen für moderne Hochleistungsumgebungen steigern
Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsschaltmodule revolutionieren Antriebe für Elektrofahrzeuge, Rechenzentren und erneuerbare Energiesysteme mit Effizienzsteigerungen von 2-5% und einer 3-mal höheren Leistungsdichte im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-IGBTs.
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