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ES Auswahl des SiC-MOSFETs für Inverter-Schweißanwendungen
Erkunden Sie das Schaltbild, das Funktionsprinzip, die Topologiekonstruktion und die Expertenauswahl von SiC-MOSFETs und Dioden für 10–30 kW-Systeme der Hochfrequenz-Inverter-Schweißmaschine.
Gesamtschaltbild der SiC-Hochfrequenz-Inverter-Schweißmaschine
Das Funktionsprinzip und die Topologiekonstruktion der Inverter-Schweißmaschine
Der Arbeitsprozess der Inverter-Schweißmaschine ist wie folgt: Wechselstrom (AC) – Gleichstrom (DC) – Hochfrequenz-AC – Spannungsumwandlung – DC. Zunächst wird der drei- oder einphasige Wechselstrom durch Gleichrichtung und Filterung in eine relativ glatte Gleichspannung umgewandelt.
Anschließend wandelt der Inverterkreis diese Gleichspannung in Wechselstrom mit 15 bis 100 kHz um. Nach der Stufung durch den Mittelwellenhaupttransformator wird sie erneut gleichgerichtet und gefiltert, um eine stabile Gleichstromausgabe zu erhalten.
Empfehlung zur Auswahl von SiC- und integrierten Schaltungen in Inverter-Schweißmaschinen
Schweißmaschinenleistung: 10 – 30 kW
Gasgeschütztes Schweißen, manuelles Schweißen
| Schaltkreisposition | Ausgangsstrom der Schweißmaschine | SiC-MOSFET-Discreet-Komponenten | SiC-MOSFET-Modul | Isolationsantriebschip | Leistungssteuerchip | Sic SBD |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Primärseitiger Wechselrichter des Hauptkreises | (250-300)A | HCM39K120Z*8 | / | / | / | |
| (350-500)A | HCM64K120Z*8 | HCS240FH120G3 HCS80FH120A1A3 HCS80FH120A1A3 | / | / | / | |
| Über 500A oder Schneidemaschine | HCM80K120Z*8 | / | / | / | ||
| Gate-Treiberplatine | / | / | / | HCD5350MCPR*8 HCD5350MCWR*8 HCD25350MMCWR*4 | HCP1521DHCP1521S | / |
| Hauptstromkreis Sekundärseite Gleichrichtung | Schneidemaschine | / | / | / | HCD40D065HC*8 | |
| Hilfsspannungsversorgung | / HCM600S170R | / | / | HCP284XR | / | |
Einführung in die zweite Generation der SiC MOSFET Diskretbauelemente
| Spannung | Ros(auf) | T0-247-3 | T0-247-4 | TO-247PLUS-4 | TO-263-7 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 650V | 40mΩ | HCM040K065Z | HCM040J065R | |||
| 750V | 8mΩ | HCM008K075HK | ||||
| 4mΩ | HCM004KP075Y | |||||
| 1200V | 160mΩ | HCM160D120H | HCM160K120Z | HCM160J120R | ||
| 80mΩ | HCM080D120H | HCM080K120Z | HCM080J120R | |||
| 65mΩ | HCM065D120H | HCM065K120Z | HCM065J120R | |||
| 40mΩ | HCM040D120H | HCM040K120Z | HCM040J120R | |||
| 30mΩ | HCM030K120Z | HCM030J120R | HCM030P120N | |||
| 13mΩ | HCM013D120H | HCM013K120Z | ||||
| 11mΩ | HCM011K120HK | HCM012P120N | ||||
| 8mΩ | HCM008KP120Y | |||||
| 6mΩ | HCM004KP120Y | |||||
| 1700V | 600mR | HCM060D170H | HCM060K170Z | HCM600S170R | ||
| 2000V | 24mΩ | HCM024D200H | ||||
| 3300V | 1000mΩ | HCM100J330R |
Einführung in SiC MOSFET Industrie-Module
| Spannung 1200V | Verpackungstyp | Produktmodell | Ros(auf) | ID |
| HSOP8 | HCM040H120T | 40mΩ | 40A@Tc=25℃ | |
| HCM080H120T | 80mΩ | 28A@Tc=25℃ | ||
| Easy 1B | HCS11H120E1G3 | 11mΩ | 100A@Tc=65℃ | |
| Easy 2B | HCS240PM120E2G3 | 5,5mR | 240A@Tc=65℃ | |
| HCS008H120E2G3 | 8mR | 160A@Tc=100℃ | ||
| 34mm | HCS080FH120A1 | 15mR | 80A@Tc=100℃ | |
| HCS160FH120A1 | 7,5mR | 160A@Tc=100℃ | ||
| 62mm | HCS300FH120A2 | 3,8mR | 300A@Tc=100℃ | |
| HCS450FH120A2 | 2,5mR | 450A@Tc=100℃ |
Auswahl von 650V Siliziumkarbid-Schottky-Dioden
| Spannung | Strom | T0-220-2 | TO-220F-2 | TO-220-isoliert | T0-247-3 | T0-247-2 | T0-252 | T0-263 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 650V | 4A | HCM004A065K1 | HCM004F065F1 | HCM004C065E1 | |||||
| 6A | HCM006A065K1 | HCM006F065F1 | HCM006C065E1 | ||||||
| 8A | HCM006A065K1 | ||||||||
| 10A | HCM010A065K1 | HCM010F065F1,HCM010F065F | HCM010A065KS | HCM010C065E1,HCM010C065E | HCM010G065F1,HCM010G065F | ||||
| 16A | HCM016D065C1 | HCM016G065F1 | |||||||
| 20A | HCM020A065K1 | HCM020D065C1,HCM020D065C | HCM020H065H1 | ||||||
| 30A | HCM030D065C1 | HCM030H065H1 | |||||||
| 40A | HCM040D065C | HCM040H065H1 | |||||||
| 60A*2 | HCM120P065N1 |
