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4500V 2000A IGBT-Modul Press-Pack mit FWD
- Ultra-Hochspannung: 4500V Durchbruchspannung für anspruchsvolle Anwendungen
- Hohe Stromdichte: 2000A Dauerstrombelastung
- Press-Pack-Technologie: Überlegene thermische Verwaltung und Zuverlässigkeit
- Feld-Stop-Struktur: Verbesserte Schaltleistung und Effizienz
- Positiver Temperaturkoeffizient: Hervorragende Parallelschaltungseigenschaften
- Hohe Kurzschlussfähigkeit: 10μs Spannungsfestigkeit für verbesserten Schutz
Beschreibung
Das HCG2000S450S2K1 ist ein industrietaugliches IGBT-Modul, das speziell für Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde. Mit Press-Pack-Technologie und fortschrittlicher planarer Gate-Struktur bietet dieses Modul unvergleichliche Leistung in HVDC- und erneuerbaren Energiesystemen.
Maximale Nennwerte
| Parameter | Symbol | Bedingungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | VGE=0V, Tvj=25°C | 4500 | V |
| Gleichstromkollektorstrom | lc | Tc=100°C, Tvj=150°C | 2000 | A |
| Spitzenkollektorstrom | CM | tp=1ms | 4000 | A |
| Gate-Emitter-Spannung | VGES | ±20 | V | |
| Gesamtleistungsaufnahme | Ptot | Tc=25°C, Tvj=150°C | 20800 | W |
| Gleichstromdurchlassstrom | IF | 2000 | A | |
| Spitzen-Gleichstrom | IFRM | tp=1ms | 4000 | A |
| Stoßstrom | IFSM | VR=0V, Tvj=125℃,
tp=10ms, Halbsinuswelle |
14000 | A |
| IGBT Kurzschluss-SOA | tpsc | Vcc=3400V, VCEM CHIP≤4500V VGE≤15V, Tvj≤150℃ |
10 | μs |
| Maximaler Verbindungspunkt-Temperatur | Tvj(max) | 125 | ℃ | |
| Betriebstemperatur der Verbindung | Tv( Betrieb) | -40~150 | ℃ | |
| Gehäusetemperatur | Tc | -40~150 | ℃ | |
| Betriebstemperatur | Tstg | -40~125 | ℃ | |
| Montagedruck | FM | 60-75 | kN |
Zusätzliche Informationen
| Modul | IGBT |
|---|---|
| Gehäuse | Presspack |
| Sperrspannung (V) | 4500 |
| Modulstrom (A) | 2000 |
