1700V 1200A IGBT-Modul, Chopper, E6-Gehäuse, mit FWD und NTC

  • 1700V Trench-Gate- & Field-Stop-Struktur für optimale Leistung
  • Hohe Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen
  • Positiver Temperaturkoeffizient für thermische Stabilität
  • Integrierter FWD mit separatem Brems-Chopper (600A) und Rückwärtsdiode (200A)
  • Chopper-Struktur für verbesserte Schaltleistung
Kategorie:

Beschreibung

Das HCG1200FC170D3K5 ist ein leistungsstarkes 1700V 1200A IGBT-Modul mit Chopper-Struktur, entwickelt für Hochleistungs-Industrieanwendungen. Mit einem E6-Gehäuse, integriertem Freilaufdiode (FWD) und NTC-Thermistor, nutzt es fortschrittliche 1700V Trench-Gate- und Field-Stop-Technologie für geringe Verluste, hohe Zuverlässigkeit und robusten Kurzschlussschutz. Dieses Modul ist ideal für effizientes Energiemanagement in erneuerbaren Energie- und Industriesystemen.

Maximale Bewertungen

Parameter Symbol Bedingung Wert Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung VCES VGE=0V, Tvj=25°C 1700 V
Gleichstromkollektorstrom IC TC=95°C, Tvj max=175°C 1200 A
Spitzenkollektorstrom ICM tp=1ms 2400 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung VGES ±20 V
IGBT-Maximalleistung Ptot TC=25°C, Tvj max=175°C 5555 W
Repetitive Spitzensperrspannung VRRM Tvj=25°C 1700 V
Ständiger DC-Forward-Strom (Brems-Chopper-Diode) IF 600 A
Ständiger DC-Forward-Strom (Rückwärtige Diode) IF 200 A
Repetitiver Spitzen-Forward-Strom (Brems-Chopper-Diode) IFRM tp=1ms 1200 A
Repetitiver Spitzen-Forward-Strom (Rückwärtige Diode) IFRM tp=1ms 400 A
I²t-Wert (Brems-Chopper-Diode) I²t VR=0V, tp=10ms, Tvj=125°C 58650 A²s
I²t-Wert (Gleichrichterdiode) I²t VR=0V, tp=10ms, Tvj=125°C 6615 A²s
Maximaler Verbindungspunkt-Temperatur Tvj max 175 °C
Betriebskontakt-Temperatur Tvj op -40 bis 150 °C
Betriebstemperatur Tstg -40 bis 125 °C

Zusätzliche Informationen

Modul

IGBT

Gehäuse

E6

Schaltbild

Chopper

Sperrspannung (V)

1700

Modulstrom (A)

1200

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