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高压 IGBT 模块
HIITIO高压IGBT模块系列最高可达6500V，支持高达3600A，广泛应用于牵引驱动、电机控制、智能电网和高可靠性逆变器。采用AISiC底板、AIN基板，具有优异的热循环能力、低Vce(sat)和10μs短路耐受能力，我们的模块确保高效散热和卓越的可靠性，满足严苛工业应用的需求。
图片 | 零件编号 | 类型 | 封装 | 电路图 | 阻断电压（V） | 电流（A） | RDS(on)（mΩ） | 规格参数 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT | H1 | 3300 | 1000 | ||||
 | IGBT | H | 3300 | 1500 | ||||
 | IGBT | E/E2：190×140×38 | 斩波器 | 3300 | 1000 | |||
 | IGBT | N/F/D：140×130×38 | 单开关 | 3300 | 1000 | |||
 | IGBT | A/A2：190×140×48 | 单开关 | 4500 | 1200 | |||
 | IGBT | DFN8*8 | 单开关 | 6500 | 750 | |||
 | IGBT | E/E2：190×140×38 | 单开关 | 4500 | 1200 | |||
 | IGBT | E/E2：190×140×38 | 单开关 | 3300 | 1500 | |||
| IGBT | E/E2：190×140×38 | 单开关 | 3300 | 1500 | |||
| IGBT | 尺寸：140×130×38 | 单开关 | 1700 | 1600 | |||
 | IGBT | N/F/D：140×130×38 | 单开关 | 3300 | 1600 | |||
| IGBT | E/E2：190×140×38 | 单开关 | 2400 | 1700 | |||
 | IGBT | P：140×73×38 | 单开关 | 6500 | 250 | |||
 | IGBT | P：140×73×38 | 半桥 | 3300 | 250 | |||
| IGBT | E/E2：190×140×38 | 单开关 | 1700 | 3600 | |||
| IGBT | X1：144×100×40 | 半桥 | 3300 | 450 | |||
 | IGBT | G：160×130×38 | 双开关 | 3300 | 500 | |||
| IGBT | A/A2：190×140×48 | 单开关 | 6500 | 750 | |||
 | IGBT | X：140×130×48 | 半桥 | 6500 | 750 | |||
 | IGBT | X：140×130×48 | 单开关 | 4500 | 800 |
什么是高压IGBT模块？
高压IGBT模块是设计用于在电力转换系统中处理高阻断电压和大电流水平的功率半导体器件。
高压IGBT模块将多个IGBT芯片和肖特基二极管集成到一个绝缘封装中，实现中高压应用中的高效开关。这些模块的额定电压通常从1700V到6500V不等，支持从几百到几千安的电流水平。它们广泛应用于牵引驱动、工业电机控制、可再生能源逆变器以及需要高电气应力和长期可靠性的电网相关设备中。
关键电气和热性能特征
旨在平衡电气性能、热稳定性和机械坚固性，以实现长期工业运行。
高阻断电压和电流能力
设计支持中高压电力系统中可靠开关所需的高阻断电压和电流水平。
低导通损耗和优化的开关行为
优化的IGBT芯片设计有助于降低导通损耗，同时在高电气应力下保持可预测的开关行为。
采用AlSiC底板的热管理
AlSiC底板设计增强了热扩散能力，支持在连续高功率运行中的稳定热性能。
使用AlN陶瓷基板的电气绝缘
AlN陶瓷基板提供高电气绝缘强度和稳定的热导率，适用于高压应用。
短路耐受能力以实现系统保护
设计的短路耐受能力允许保护电路在异常工作条件下有足够的响应时间。
热稳定性和功率循环性能
稳定的热行为支持在反复负载变化和长期功率循环条件下的可靠运行。
短路能力与操作可靠性
高短路耐受能力增强系统在故障情况下的保护和操作安全性。
故障保护的短路耐受能力
对系统级运行可靠性的贡献
与栅极驱动器和保护系统的交互
重复电应力下的可靠性
HIITIO高压IGBT模块的技术优势
卓越的热稳定性、增强的可靠性、紧凑的设计和应用的多功能性降低了系统效率低下并提高了正常运行时间。
HIITIO高压IGBT模块旨在支持各种运行条件下的稳定电气性能。高效的散热路径有助于管理连续开关期间的热量，而坚固的内部结构增强了对热循环的耐受性。低导通和开关损耗有助于提高整体系统效率。模块化配置进一步实现了灵活集成到不同的系统架构中。
- 连续运行期间的有效散热
- 提高对热循环的耐受性
- 降低功率损耗，从而提高系统效率
- 在电应力和热应力下的强大机械完整性
- 跨多个系统设计的灵活集成
质量保证
采用严格的质量控制和工业测试制造，以确保一致的性能和较长的运行寿命。
所有HIITIO高压IGBT模块均在受控的生产过程中按照既定的质量管理程序进行制造。每个模块都经过电气和热测试，以验证是否符合规定的性能参数。进行可靠性评估，以确保在高电压、高电流和温度变化条件下稳定运行。这种结构化的质量方法有助于为工业和能源应用提供一致的产品性能。
- 工业级电气和热测试
- 在苛刻条件下的性能验证
- 符合既定的电力电子标准
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HIITIO combines a broad high-voltage IGBT product portfolio with practical application experience in power electronics. Customers benefit from clear product positioning, stable supply capability, and technical support throughout the project lifecycle. Customization options are available to address specific electrical or mechanical requirements, while responsive quotation and engineering support help reduce development time and project risk.