{"id":4358,"date":"2026-01-06T06:06:42","date_gmt":"2026-01-06T06:06:42","guid":{"rendered":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/?p=4358"},"modified":"2026-01-09T06:10:03","modified_gmt":"2026-01-09T06:10:03","slug":"why-sic-power-modules-are-replacing-si","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/blog\/why-sic-power-modules-are-replacing-si\/","title":{"rendered":"Por qu\u00e9 los m\u00f3dulos de potencia de SiC est\u00e1n reemplazando al silicio: un an\u00e1lisis t\u00e9cnico profundo"},"content":{"rendered":"<p>Con el r\u00e1pido desarrollo de la tecnolog\u00eda de electr\u00f3nica de potencia, los m\u00f3dulos de potencia de semiconductores de Carburo de Silicio (SiC) est\u00e1n reemplazando gradualmente a los m\u00f3dulos de potencia tradicionales basados en silicio, convirti\u00e9ndose en la soluci\u00f3n preferida para sistemas de conversi\u00f3n de potencia de alto rendimiento. <\/p>\n\n\n\n<p>Como representante de los materiales semiconductores de tercera generaci\u00f3n, el SiC demuestra un potencial de aplicaci\u00f3n tremendo en veh\u00edculos el\u00e9ctricos, inversores fotovoltaicos, accionamientos industriales y fuentes de alimentaci\u00f3n para centros de datos, gracias a sus propiedades f\u00edsicas superiores. <\/p>\n\n\n\n<p>Este art\u00edculo ofrece un an\u00e1lisis profundo de las ventajas t\u00e9cnicas de los m\u00f3dulos de potencia de SiC en comparaci\u00f3n con los m\u00f3dulos tradicionales basados en silicio desde m\u00faltiples dimensiones, incluyendo caracter\u00edsticas del material, rendimiento del dispositivo, mecanismos de p\u00e9rdida y eficiencia del sistema, proporcionando en \u00faltima instancia una gu\u00eda de selecci\u00f3n para aplicaciones de ingenier\u00eda.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-embed is-type-video is-provider-youtube wp-block-embed-youtube wp-embed-aspect-16-9 wp-has-aspect-ratio\"><div class=\"wp-block-embed__wrapper\">\n<iframe title=\"Infineon: Experimenta la diferencia de la tecnolog\u00eda Si \/ SiC \/ GaN\" width=\"1290\" height=\"726\" src=\"https:\/\/www.youtube.com\/embed\/aake09AW1D8?feature=oembed\" frameborder=\"0\" allow=\"accelerometer; autoplay; clipboard-write; encrypted-media; gyroscope; picture-in-picture; web-share\" referrerpolicy=\"strict-origin-when-cross-origin\" allowfullscreen><\/iframe>\n<\/div><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">I. Comparaci\u00f3n de Indicadores Clave de Rendimiento del Material y del Dispositivo<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">1.1 Diferencias Fundamentales en las Propiedades del Material<\/h3>\n\n\n\n<p>El SiC y el Si presentan diferencias fundamentales en propiedades f\u00edsicas, que determinan los l\u00edmites de rendimiento de los dispositivos. En cuanto a la anchura de banda prohibida, el SiC mide aproximadamente 3.26 eV, mientras que el Si solo 1.12 eV. Esta diferencia de casi tres veces permite que los dispositivos de SiC soporten temperaturas de funcionamiento y intensidades de campo el\u00e9ctrico m\u00e1s altas. En relaci\u00f3n con la resistencia el\u00e9ctrica cr\u00edtica de ruptura, el SiC alcanza 2.5-3.0 MV\/cm, casi 10 veces m\u00e1s que el Si (0.3 MV\/cm). Esto significa que, para la misma clasificaci\u00f3n de voltaje, el grosor de la regi\u00f3n de deriva de los dispositivos de SiC puede reducirse significativamente, disminuyendo sustancialmente la resistencia en estado encendido.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Par\u00e1metro<\/th><th>Silicio (Si)<\/th><th>Carburo de Silicio (4H-SiC)<\/th><th>Implicaci\u00f3n en Ingenier\u00eda<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Energ\u00eda de la banda prohibida (Eg)<\/td><td>1.12 eV<\/td><td>3.26 eV<\/td><td>Menor corriente de fuga y mejor estabilidad a altas temperaturas<\/td><\/tr><tr><td>Campo el\u00e9ctrico cr\u00edtico de ruptura<\/td><td>~0.3 MV\/cm<\/td><td>~2.5\u20133.0 MV\/cm<\/td><td>Capa de deriva m\u00e1s delgada para la misma clasificaci\u00f3n de voltaje<\/td><\/tr><tr><td>Conductividad t\u00e9rmica<\/td><td>~1.5 W\/cm\u00b7K<\/td><td>~4.5\u20134.9 W\/cm\u00b7K<\/td><td>Disipaci\u00f3n de calor m\u00e1s eficiente<\/td><\/tr><tr><td>Temperatura m\u00e1xima de uni\u00f3n (nivel del dispositivo)<\/td><td>150 \u00b0C<\/td><td>175\u2013200 \u00b0C<\/td><td>Gesti\u00f3n t\u00e9rmica simplificada<\/td><\/tr><tr><td>Concentraci\u00f3n intr\u00ednseca de portadores<\/td><td>Alto<\/td><td>Extremadamente baja<\/td><td>Estabilidad superior a temperaturas elevadas<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>La conductividad t\u00e9rmica es un par\u00e1metro cr\u00edtico que afecta el rendimiento de disipaci\u00f3n de calor de los dispositivos de potencia. La conductividad t\u00e9rmica del SiC es de 4.9 W\/(cm\u00b7K), aproximadamente 3.3 veces la del Si (1.5 W\/(cm\u00b7K)). Una mayor conductividad t\u00e9rmica permite <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-discrete-mosfet\/\">Dispositivos de SiC<\/a> disipar m\u00e1s eficazmente el calor durante la operaci\u00f3n de alta densidad de potencia, reduciendo la acumulaci\u00f3n de calor. En t\u00e9rminos de velocidad de deriva de electrones saturados, el SiC alcanza 2.0\u00d710^7 cm\/s, el doble que el Si (1.0\u00d710^7 cm\/s). Esta ventaja se traduce directamente en velocidades de conmutaci\u00f3n m\u00e1s r\u00e1pidas y menores p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">1.2 Comparaci\u00f3n de par\u00e1metros clave a nivel de dispositivo<\/h3>\n\n\n\n<p>A nivel real del dispositivo, <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-discrete-mosfet\/\">MOSFETs de SiC<\/a> demuestran un rendimiento superior en comparaci\u00f3n con los IGBTs de silicio en m\u00faltiples indicadores principales. En cuanto a la resistencia en estado encendido (Rds(on)), tomando como ejemplo la clasificaci\u00f3n de voltaje de 1200V, los MOSFET de SiC pueden alcanzar una resistencia en estado encendido espec\u00edfica de tan solo 1-3 m\u03a9\u00b7cm\u00b2, mientras que la resistencia equivalente correspondiente a la ca\u00edda de voltaje de saturaci\u00f3n de los IGBTs de Si de misma clasificaci\u00f3n t\u00edpicamente oscila entre 5-10 m\u03a9\u00b7cm\u00b2. Esto significa que durante operaciones de alta corriente, los dispositivos de SiC presentan menores p\u00e9rdidas por conducci\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n<p>Las diferencias en las caracter\u00edsticas de conmutaci\u00f3n son a\u00fan m\u00e1s pronunciadas. Los MOSFET de SiC, como dispositivos de portadores mayoritarios, no sufren efectos de almacenamiento de portadores minoritarios, con tiempos de conmutaci\u00f3n t\u00edpicamente en el rango de 20-50 ns, mientras que <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/igbt-module\/\">los IGBTs de silicio<\/a> requieren de 100-300 ns debido a la necesidad de gestionar procesos de extracci\u00f3n de portadores minoritarios. Velocidades de conmutaci\u00f3n m\u00e1s r\u00e1pidas no solo reducen las p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n, sino que tambi\u00e9n permiten que los sistemas operen a frecuencias de conmutaci\u00f3n m\u00e1s altas, reduciendo as\u00ed el volumen y peso de componentes pasivos (como inductores y capacitores).<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"576\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-1024x576.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4362\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-1024x576.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-300x169.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-768x432.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-18x10.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-600x338.webp 600w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4.webp 1365w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<p>La capacidad de temperatura de uni\u00f3n es un indicador importante de la fiabilidad del dispositivo de potencia. Los dispositivos de SiC pueden alcanzar temperaturas m\u00e1ximas de uni\u00f3n de 175-200\u00b0C, con algunos dise\u00f1os de alta temperatura que llegan hasta 250\u00b0C, mientras que los IGBTs tradicionales de silicio suelen estar limitados a 150-175\u00b0C. Mayores m\u00e1rgenes de temperatura de uni\u00f3n significan que, bajo las mismas condiciones de refrigeraci\u00f3n, los sistemas de SiC pueden ofrecer una mayor potencia de salida, o bajo las mismas condiciones de potencia, pueden simplificar el dise\u00f1o t\u00e9rmico, reduciendo el coste y volumen del sistema.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Par\u00e1metro<\/th><th>IGBT de Si<\/th><th>MOSFET de alta tensi\u00f3n de Si<\/th><th>MOSFET de Carburo de Silicio (SiC)<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Clasificaci\u00f3n de voltaje t\u00edpica<\/td><td>1200 V<\/td><td>600\u2013900 V<\/td><td>650\u20131700 V<\/td><\/tr><tr><td>Caracter\u00edstica de Conducci\u00f3n<\/td><td>VCE(sat)<\/td><td>RDS(on) Alto<\/td><td>RDS(on) significativamente menor<\/td><\/tr><tr><td>Comportamiento de Recuperaci\u00f3n Inversa<\/td><td>Severo<\/td><td>Notorio<\/td><td>Casi insignificante<\/td><\/tr><tr><td>Velocidad de Conmutaci\u00f3n<\/td><td>Lenta<\/td><td>Moderada<\/td><td>R\u00e1pida (rango de nanosegundos)<\/td><\/tr><tr><td>Frecuencia de Conmutaci\u00f3n Recomendada<\/td><td>&lt; 20 kHz<\/td><td>&lt; 50 kHz<\/td><td>50\u2013300 kHz<\/td><\/tr><tr><td>Rendimiento a Alta Temperatura<\/td><td>Moderada<\/td><td>Moderada<\/td><td>Excelente<\/td><\/tr><tr><td>P\u00e9rdida de Potencia General<\/td><td>Alto<\/td><td>Medio<\/td><td>Bajo<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">II. An\u00e1lisis Comparativo de Rendimiento a Nivel de Dispositivo<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">2.1 Comparaci\u00f3n de Caracter\u00edsticas Est\u00e1ticas<\/h3>\n\n\n\n<p>En estados de operaci\u00f3n est\u00e1ticos, la p\u00e9rdida por conducci\u00f3n es la principal fuente de consumo de energ\u00eda. Las caracter\u00edsticas de conducci\u00f3n de los MOSFET de SiC muestran un comportamiento resistivo aproximadamente lineal, con Rds(on) que aumenta con la temperatura, teniendo un coeficiente de temperatura de aproximadamente 0.6-0.8%\/\u00b0C. En contraste, la ca\u00edda de voltaje de saturaci\u00f3n Vce(sat) de <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/igbt-module\/\">los IGBTs de silicio <\/a>incluye tanto un componente de voltaje umbral fijo como un componente resistivo, con caracter\u00edsticas de coeficiente de temperatura positivo que hacen que las p\u00e9rdidas por conducci\u00f3n aumenten de manera m\u00e1s significativa a altas temperaturas.<\/p>\n\n\n\n<p>Tomando como ejemplo una corriente de operaci\u00f3n de 100A, un MOSFET de SiC de 1200V (Rds(on)=10m\u03a9) tiene p\u00e9rdidas por conducci\u00f3n de aproximadamente 100W, mientras que un IGBT de silicio de misma clasificaci\u00f3n (Vce(sat)=2V) tiene p\u00e9rdidas por conducci\u00f3n de unos 200W. Bajo condiciones de carga ligera, la ventaja de los dispositivos de SiC se vuelve a\u00fan m\u00e1s evidente, ya que la porci\u00f3n de voltaje umbral fijo de los IGBTs representa una proporci\u00f3n mayor a bajas corrientes. Adem\u00e1s, las caracter\u00edsticas de conducci\u00f3n inversa de los MOSFET de SiC permiten que sus diodos de cuerpo se utilicen para recuperaci\u00f3n sin carga, eliminando la necesidad de diodos de recuperaci\u00f3n externos y simplificando la topolog\u00eda del circuito.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">2.2 Comparaci\u00f3n de Caracter\u00edsticas Din\u00e1micas<\/h3>\n\n\n\n<p>El proceso de conmutaci\u00f3n representa la diferencia de rendimiento m\u00e1s significativa entre los dispositivos de potencia. Los procesos de encendido y apagado de los MOSFET de SiC est\u00e1n controlados por la carga de puerta, y debido a sus menores capacidades de entrada y retroalimentaci\u00f3n, los requisitos de energ\u00eda de conducci\u00f3n son menores. Bajo las mismas condiciones de conducci\u00f3n de puerta, los dispositivos de SiC pueden conmutar de 5 a 10 veces m\u00e1s r\u00e1pido que los IGBTs de silicio.<\/p>\n\n\n\n<p>En t\u00e9rminos de p\u00e9rdidas por conmutaci\u00f3n, tomando como ejemplo una frecuencia de conmutaci\u00f3n de 20kHz y un voltaje de bus de corriente continua de 600V, los IGBTs de silicio tienen p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n simples (encendido + apagado) de aproximadamente 3-5 mJ, mientras que los MOSFET de SiC pueden mantener p\u00e9rdidas dentro de 0.5-1 mJ. Esto significa que, bajo las mismas condiciones de operaci\u00f3n, las p\u00e9rdidas por conmutaci\u00f3n de los dispositivos de SiC son solo el 20-30% de las de los dispositivos de silicio. Esta ventaja se vuelve cada vez m\u00e1s evidente a medida que aumenta la frecuencia de conmutaci\u00f3n. En aplicaciones de alta frecuencia por encima de 100kHz, las p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n de los IGBTs de silicio se han convertido en el principal cuello de botella para la eficiencia del sistema, mientras que los dispositivos de SiC a\u00fan pueden mantener una alta eficiencia.<\/p>\n\n\n\n<p>En cuanto a los par\u00e1metros par\u00e1sitos, <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-discrete-mosfet\/\">MOSFETs de SiC<\/a> tienen una capacitancia de salida (Coss) y una capacitancia de transferencia inversa (Crss) menores, lo que no solo reduce las p\u00e9rdidas por conmutaci\u00f3n sino que tambi\u00e9n disminuye la complejidad del dise\u00f1o de los circuitos de control. Sin embargo, cabe se\u00f1alar que las caracter\u00edsticas de conmutaci\u00f3n a alta velocidad de los dispositivos de SiC imponen requisitos m\u00e1s estrictos en el dise\u00f1o del circuito y en la inductancia par\u00e1sita. Un dise\u00f1o inadecuado puede provocar resonancias severas y problemas de EMI.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">2.3 Fiabilidad y Vida \u00datil<\/h3>\n\n\n\n<p>La fiabilidad es una preocupaci\u00f3n central para los m\u00f3dulos de potencia en aplicaciones industriales. Las caracter\u00edsticas de banda prohibida ancha del material de SiC resultan en concentraciones de portadores intr\u00ednsecos mucho menores a altas temperaturas en comparaci\u00f3n con el silicio. Esto significa que incluso a temperaturas superiores a 175\u00b0C, los dispositivos de SiC pueden mantener un rendimiento estable sin enfrentar riesgos de avalancha t\u00e9rmica como los dispositivos de silicio.<\/p>\n\n\n\n<p>En t\u00e9rminos de capacidad de ciclo de potencia, los dispositivos de SiC generan mucho menos calor debido tanto a menores p\u00e9rdidas de conducci\u00f3n como de conmutaci\u00f3n, lo que resulta en fluctuaciones de temperatura de uni\u00f3n m\u00e1s peque\u00f1as. Bajo las mismas condiciones de salida de potencia, los m\u00f3dulos de SiC experimentan menor estr\u00e9s termomec\u00e1nico, extendiendo directamente la vida \u00fatil de componentes cr\u00edticos de empaquetado como las capas de soldadura y los cables de uni\u00f3n. Datos de pruebas reales muestran que, bajo las mismas condiciones de operaci\u00f3n, los conteos de ciclos de potencia para los m\u00f3dulos de SiC pueden alcanzar de 2 a 5 veces los de los m\u00f3dulos de IGBT de silicio.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">III. An\u00e1lisis Profundo de la Composici\u00f3n de P\u00e9rdidas<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.1 Comparaci\u00f3n de P\u00e9rdidas por Conducci\u00f3n<\/h3>\n\n\n\n<p>La p\u00e9rdida por conducci\u00f3n es la p\u00e9rdida de energ\u00eda causada por la conductividad finita cuando los dispositivos est\u00e1n en estado de encendido. Para los MOSFET de SiC, la p\u00e9rdida por conducci\u00f3n puede expresarse como P_cond = I\u00b2\u00b7Rds(on)\u00b7D, donde I es la corriente RMS y D es el ciclo de trabajo. Dado que Rds(on) tiene un coeficiente de temperatura positivo, el dise\u00f1o t\u00e9rmico debe considerar los valores de resistencia a la temperatura m\u00e1xima de la uni\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n<p>Para los IGBTs de silicio, la p\u00e9rdida por conducci\u00f3n se calcula como P_cond = Vce(sat)\u00b7I_avg + I\u00b2rms\u00b7Rce, incluyendo tanto la ca\u00edda de voltaje fija como los componentes resistivos. En aplicaciones de alta corriente, aunque Vce(sat) del IGBT introduce p\u00e9rdidas adicionales, su capacidad de corriente por unidad de \u00e1rea es mayor. Sin embargo, considerando el \u00e1rea del chip y el costo de manera integral, las soluciones de SiC a\u00fan tienen ventajas en aplicaciones de densidad de corriente media a alta.<\/p>\n\n\n\n<p>En aplicaciones pr\u00e1cticas, tomando como ejemplo un inversor fotovoltaico de 10 kW, en el punto de operaci\u00f3n nominal, las p\u00e9rdidas por conducci\u00f3n utilizando MOSFETs de SiC son aproximadamente 80W, mientras que las que usan IGBTs de silicio son alrededor de 150W, lo que representa una reducci\u00f3n de casi el 50% en las p\u00e9rdidas por conducci\u00f3n con la soluci\u00f3n de SiC.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.2 Comparaci\u00f3n de P\u00e9rdidas por Conmutaci\u00f3n<\/h3>\n\n\n\n<p>La p\u00e9rdida de conmutaci\u00f3n es la p\u00e9rdida generada durante los procesos de encendido y apagado cuando el voltaje y la corriente se superponen simult\u00e1neamente. Los IGBTs de silicio muestran p\u00e9rdidas de apagado particularmente significativas debido a fen\u00f3menos de corriente de cola. La corriente de cola se origina en el proceso de recombinaci\u00f3n de portadores minoritarios en las uniones PN, lo que extiende el tiempo de apagado del IGBT y aumenta las p\u00e9rdidas de apagado.<\/p>\n\n\n\n<p>Los MOSFETs de SiC, como dispositivos unipolares, no sufren efectos de almacenamiento de portadores minoritarios y, por lo tanto, no tienen problemas de corriente de cola. Su proceso de conmutaci\u00f3n se ve principalmente afectado por la velocidad de carga\/descarga de la puerta y la capacitancia parasitaria. Bajo las mismas condiciones de resistencia de conducci\u00f3n de la puerta, las p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n del dispositivo de SiC pueden reducirse en un 70-80%.<\/p>\n\n\n\n<p>La elecci\u00f3n de la frecuencia de conmutaci\u00f3n impacta directamente en el rendimiento del sistema. Para los IGBTs de silicio, la frecuencia de conmutaci\u00f3n se selecciona t\u00edpicamente en el rango de 10-20 kHz debido a limitaciones de p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n. Los MOSFETs de SiC pueden operar a 50-100 kHz o incluso a frecuencias m\u00e1s altas, lo que no solo mejora la velocidad de respuesta din\u00e1mica del sistema sino que tambi\u00e9n reduce significativamente el volumen de los componentes magn\u00e9ticos. Tomando inductores de la misma especificaci\u00f3n como ejemplo, aumentar la frecuencia de conmutaci\u00f3n de 20 kHz a 100 kHz puede reducir el volumen y peso del inductor en un 60-70%.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"576\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-1024x576.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4365\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-1024x576.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-300x169.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-768x432.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-18x10.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-600x338.webp 600w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3.webp 1365w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.3 P\u00e9rdidas por Conducci\u00f3n y P\u00e9rdidas Auxiliares<\/h3>\n\n\n\n<p>Las p\u00e9rdidas por conducci\u00f3n incluyen las p\u00e9rdidas por carga y descarga de la puerta y el consumo de potencia est\u00e1tico de los circuitos de control. La carga total de la puerta (Qg) de los MOSFETs de SiC es t\u00edpicamente un 30-50% menor que la de los IGBTs de silicio de misma potencia nominal, y la amplitud del voltaje de control es menor (t\u00edpicamente -4V\/+15V o -5V\/+20V), lo que resulta en menores requerimientos de energ\u00eda por ciclo de conmutaci\u00f3n. Sin embargo, dado que los sistemas de SiC suelen operar a frecuencias de conmutaci\u00f3n m\u00e1s altas, las p\u00e9rdidas totales de control pueden no disminuir necesariamente, requiriendo un equilibrio integral en el dise\u00f1o del sistema.<\/p>\n\n\n\n<p>Las p\u00e9rdidas por tiempo muerto tambi\u00e9n afectan la eficiencia del sistema. Para evitar cortocircuitos en los brazos del puente, el tiempo muerto debe establecerse entre los dispositivos de conmutaci\u00f3n del brazo superior e inferior. Durante el tiempo muerto, la corriente circula a trav\u00e9s de diodos de cuerpo o diodos antiparalelos, generando p\u00e9rdidas adicionales. Las caracter\u00edsticas del diodo de cuerpo de los MOSFETs de SiC son superiores a las diodos de recuperaci\u00f3n de los IGBTs de silicio, y debido a las r\u00e1pidas velocidades de conmutaci\u00f3n, se pueden establecer tiempos muertos m\u00e1s cortos (100-200ns frente a 500-1000ns), reduciendo as\u00ed las p\u00e9rdidas por tiempo muerto.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"has-text-align-center\"><strong>La composici\u00f3n de p\u00e9rdidas bajo la condici\u00f3n de 1200 V \/ 10-20 A<\/strong><\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Componente de P\u00e9rdida<\/th><th>IGBT de Si<\/th><th>MOSFET de Carburo de Silicio (SiC)<\/th><th>Tendencia T\u00edpica<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>P\u00e9rdida por Conducci\u00f3n<\/td><td>Medio<\/td><td>Bajo<\/td><td>\u2193 20-50%<\/td><\/tr><tr><td>P\u00e9rdida por Conmutaci\u00f3n al Encender (Eon)<\/td><td>Alto<\/td><td>Muy Baja<\/td><td>\u2193 60-80%<\/td><\/tr><tr><td>P\u00e9rdida por Conmutaci\u00f3n al Apagar (Eoff)<\/td><td>Alto<\/td><td>Bajo<\/td><td>\u2193 50-70%<\/td><\/tr><tr><td>P\u00e9rdida por Recuperaci\u00f3n Inversa del Diodo<\/td><td>Alto<\/td><td>Extremadamente Baja<\/td><td>\u2193 &gt;80%<\/td><\/tr><tr><td>P\u00e9rdida total del dispositivo<\/td><td>L\u00ednea base<\/td><td>Significativamente reducido<\/td><td>\u2193 30\u201350% (t\u00edpico)<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">IV. Comparaci\u00f3n de eficiencia del sistema en escenarios de aplicaci\u00f3n t\u00edpicos<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.1 Sistemas de tracci\u00f3n de veh\u00edculos el\u00e9ctricos<\/h3>\n\n\n\n<p>Los inversores principales de accionamiento de veh\u00edculos el\u00e9ctricos representan el escenario de aplicaci\u00f3n m\u00e1s representativo para la tecnolog\u00eda SiC. Bajo ciclos de conducci\u00f3n WLTC, los motores operan con frecuencia en condiciones de carga parcial, donde la eficiencia del dispositivo en carga ligera es crucial. Los inversores que utilizan soluciones SiC pueden lograr mejoras de eficiencia del 2-4% en el rango de carga del 10-30% y mejoras del 1-2% en eficiencia a plena carga. Considerando de manera integral todo el ciclo de conducci\u00f3n, la eficiencia del sistema mejora del 94-95% para soluciones de silicio tradicionales a 97-98%.<\/p>\n\n\n\n<p>Esta mejora en eficiencia se traduce directamente en un aumento en el alcance de conducci\u00f3n. Para veh\u00edculos con bater\u00edas de 80kWh, una mejora del 2% en eficiencia equivale aproximadamente a 10-15 km adicionales de autonom\u00eda. Adem\u00e1s, debido a la reducci\u00f3n en las p\u00e9rdidas del dispositivo SiC, el volumen del disipador de calor puede reducirse en un 30-40%, el volumen total del inversor en un 20-30% y el peso en un 15-20%. Esto es importante para aplicaciones de veh\u00edculos con espacio limitado y requisitos estrictos de peso ligero.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"576\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-1024x576.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4363\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-1024x576.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-300x169.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-768x432.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-18x10.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-600x338.webp 600w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1.webp 1344w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.2 Inversores fotovoltaicos conectados a la red<\/h3>\n\n\n\n<p>Los inversores fotovoltaicos necesitan mantener una alta eficiencia en amplios rangos de voltaje de entrada y potencia de salida. Tras adoptar dispositivos SiC, los inversores pueden usar topolog\u00edas de dos etapas para reemplazar las topolog\u00edas tradicionales de tres etapas, eliminando la etapa Boost y simplificando la complejidad del sistema. En las pruebas de eficiencia ponderada CEC (est\u00e1ndar de EE. UU.) o eficiencia europea (est\u00e1ndar europeo), las soluciones SiC pueden alcanzar eficiencias m\u00e1ximas del 98.5-99%, significativamente superiores al 97-98% de las soluciones de silicio.<\/p>\n\n\n\n<p>M\u00e1s importante a\u00fan, las ventajas en eficiencia de los inversores SiC son m\u00e1s pronunciadas en condiciones de poca luz (potencia nominal de 10-30%), manteniendo eficiencias por encima del 95%, mientras que las soluciones de silicio generalmente caen al 90-93% en estas condiciones. Considerando que los sistemas fotovoltaicos operan con potencia media a baja la mayor parte del a\u00f1o, las soluciones SiC pueden aumentar la generaci\u00f3n anual de energ\u00eda en 1.5-2.5%, lo cual tiene importantes implicaciones para los retornos de inversi\u00f3n en plantas fotovoltaicas a gran escala.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.3 Fuentes de alimentaci\u00f3n para servidores en centros de datos<\/h3>\n\n\n\n<p>Los centros de datos tienen requisitos de eficiencia energ\u00e9tica extremadamente estrictos, con certificaci\u00f3n 80 PLUS Titanium que requiere una eficiencia del 90-96% en cargas del 20-100%. Los circuitos PFC (Correcci\u00f3n del Factor de Potencia) y convertidores resonantes LLC que utilizan dispositivos SiC pueden operar a frecuencias m\u00e1s altas (200-500kHz), con vol\u00famenes de componentes magn\u00e9ticos reducidos en m\u00e1s del 60%, y la densidad de potencia mejorada de 20-30 W\/pulg\u00b3 para soluciones tradicionales a 50-100 W\/pulg\u00b3.<\/p>\n\n\n\n<p>En implementaciones reales, las mejoras en eficiencia a nivel de centro de datos son altamente significativas. Para un centro de datos de 10MW, una mejora del 1% en eficiencia significa ahorrar cientos de miles de euros en costos de electricidad anualmente y reducir los requisitos de refrigeraci\u00f3n y emisiones de carbono correspondientes. Adem\u00e1s, vol\u00famenes m\u00e1s peque\u00f1os de m\u00f3dulos de alimentaci\u00f3n permiten que los servidores alberguen m\u00e1s unidades de computaci\u00f3n, mejorando la capacidad computacional general.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"768\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-1024x768.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4366\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-1024x768.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-300x225.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-768x576.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-1536x1152.webp 1536w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-16x12.webp 16w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-600x450.webp 600w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery.webp 1732w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.4 Accionamientos de motores industriales<\/h3>\n\n\n\n<p>En aplicaciones de inversores industriales, las ventajas de las soluciones SiC se manifiestan en rangos de regulaci\u00f3n de velocidad m\u00e1s amplios y velocidades de respuesta din\u00e1mica m\u00e1s altas. Debido a que las frecuencias de conmutaci\u00f3n pueden aumentarse por encima de 50kHz, se reduce significativamente la ondulaci\u00f3n del par del motor y los niveles de ruido disminuyen en 10-15 dB, lo cual es especialmente importante para sistemas servo de alta precisi\u00f3n y aplicaciones con requisitos de bajo ruido. En t\u00e9rminos de eficiencia del sistema, las condiciones de operaci\u00f3n nominal pueden mejorar del 92-94% al 95-97%, con efectos considerables de ahorro energ\u00e9tico para operaciones durante todo el a\u00f1o.<\/p>\n\n\n\n<p>Para sistemas de transmisi\u00f3n de alta potencia (como ventiladores y bombas), la adopci\u00f3n de dispositivos SiC permite un control de velocidad m\u00e1s refinado, logrando ahorros adicionales del 5-10% en energ\u00eda mediante condiciones de operaci\u00f3n optimizadas. Combinando mejoras en la eficiencia del dispositivo y optimizaci\u00f3n del sistema, el potencial total de ahorro energ\u00e9tico puede alcanzar del 10-15%.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Campos de aplicaci\u00f3n<\/th><th>GaN<\/th><th>SiC<\/th><th>Mejora de eficiencia<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Inversor Fotovoltaico (50-100 kW)<\/td><td>97.5-98.2%<\/td><td>98.5-99.0%<\/td><td>+0.8-1.5%<\/td><\/tr><tr><td>PCS de Tracci\u00f3n (100-250 kW)<\/td><td>97-98%<\/td><td>98.5-99%<\/td><td>+1-2%<\/td><\/tr><tr><td>OBC de Veh\u00edculo El\u00e9ctrico (6-11 kW)<\/td><td>94-95%<\/td><td>96-97%<\/td><td>+1.5-2%<\/td><\/tr><tr><td>UPS (Comercial)<\/td><td>96-97%<\/td><td>98-99%<\/td><td>+1-2%<\/td><\/tr><tr><td>Convertidor DC\/DC<\/td><td>95-96%<\/td><td>97-98%<\/td><td>+1-2%<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">V. Resumen de las Ventajas de Rendimiento de los M\u00f3dulos de Potencia SiC<\/h2>\n\n\n\n<p>Sintetizando el an\u00e1lisis anterior, las ventajas principales de los m\u00f3dulos de potencia SiC se pueden resumir de la siguiente manera:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Mejora de eficiencia<\/strong>: En aplicaciones t\u00edpicas, la eficiencia del sistema puede mejorar en 2-5 puntos porcentuales, siendo las ventajas a\u00fan m\u00e1s pronunciadas en condiciones de carga parcial. Esta mejora no solo reduce los costos operativos sino que tambi\u00e9n se alinea con las tendencias globales de conservaci\u00f3n de energ\u00eda y reducci\u00f3n de emisiones.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Densidad de Potencia<\/strong>: Debido al aumento de la frecuencia de conmutaci\u00f3n y la reducci\u00f3n de la generaci\u00f3n de calor, los vol\u00famenes de componentes pasivos y disipadores de calor pueden reducirse significativamente, mejorando la densidad de potencia del sistema en 2-3 veces. Esto es crucial para aplicaciones con limitaciones de espacio (como automoci\u00f3n y aeroespacial).<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Capacidad de Alta Temperatura<\/strong>: Los m\u00e1rgenes de temperatura de uni\u00f3n m\u00e1s altos permiten que los sistemas funcionen de manera confiable en entornos adversos o facilitan un dise\u00f1o t\u00e9rmico simplificado a la misma temperatura ambiente, reduciendo los costos del sistema. En algunas aplicaciones, incluso se puede lograr enfriamiento pasivo, eliminando completamente los ventiladores y mejorando la fiabilidad.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Rendimiento Din\u00e1mico<\/strong>: Las velocidades de conmutaci\u00f3n m\u00e1s r\u00e1pidas resultan en una mejor respuesta din\u00e1mica del sistema, lo cual es valioso para aplicaciones que requieren respuestas r\u00e1pidas a cambios de carga (como accionamientos de motores y soporte a la red).<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Mejora de la Fiabilidad<\/strong>: Menor estr\u00e9s t\u00e9rmico y mayor estabilidad de los materiales prolongan la vida \u00fatil del m\u00f3dulo y reducen los costos de mantenimiento, lo cual es especialmente cr\u00edtico para aplicaciones que requieren vidas \u00fatiles de m\u00e1s de 25 a\u00f1os, como energ\u00eda e\u00f3lica y solar.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">VI. Conclusiones y Recomendaciones para la Selecci\u00f3n de Ingenier\u00eda<\/h2>\n\n\n\n<p>En aplicaciones de ingenier\u00eda pr\u00e1cticas, la selecci\u00f3n entre m\u00f3dulos de potencia SiC y Si requiere una consideraci\u00f3n cuidadosa de los requisitos de rendimiento, presupuestos de costos y madurez tecnol\u00f3gica, entre otros factores.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Escenarios de Alta Recomendaci\u00f3n para SiC<\/strong>: Inversores principales de accionamiento en veh\u00edculos el\u00e9ctricos, cargadores a bordo (OBC), inversores fotovoltaicos de alta densidad de potencia (especialmente sistemas en cadena y residenciales), fuentes de alimentaci\u00f3n de alta densidad en centros de datos, accionamientos de motores de alta velocidad y sistemas de energ\u00eda aeroespacial. En estas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de SiC pueden ser plenamente aprovechadas, y la econom\u00eda a nivel de sistema ya supera a las soluciones de silicio.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Escenarios opcionales de SiC<\/strong>: Inversores industriales de potencia media a alta, convertidores de almacenamiento de energ\u00eda (PCS), estaciones de carga, fuentes de alimentaci\u00f3n UPS, fuentes de soldadura. En estas aplicaciones, el SiC puede aportar mejoras de rendimiento significativas, pero es necesario evaluar en funci\u00f3n de la sensibilidad de costes del proyecto espec\u00edfico. Actualmente, con la r\u00e1pida ca\u00edda de los precios de los dispositivos SiC, las tasas de penetraci\u00f3n en estos campos est\u00e1n aumentando r\u00e1pidamente.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Escenarios de aplazamiento de adopci\u00f3n de SiC<\/strong>: Accionamientos de electrodom\u00e9sticos de bajo coste, adaptadores de baja potencia, retrofits de equipos industriales de baja frecuencia (por debajo de 10 kHz) maduros. En estas aplicaciones, los requisitos de rendimiento son relativamente bajos y el coste es la consideraci\u00f3n principal. Las soluciones tradicionales de silicio a\u00fan ofrecen mejores relaciones coste-rendimiento.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Consideraciones clave para la selecci\u00f3n<\/strong>: En primer lugar, evaluar los requisitos espec\u00edficos de la aplicaci\u00f3n en cuanto a eficiencia, densidad de potencia y temperatura de funcionamiento. En segundo lugar, considerar el impacto de la escala de producci\u00f3n en los costes (los costes unitarios de SiC son m\u00e1s competitivos en aplicaciones de alto volumen). En tercer lugar, evaluar la competencia del equipo en tecnolog\u00eda SiC, incluyendo experiencia en dise\u00f1o de circuitos, distribuci\u00f3n y manejo de EMC.<\/p>\n\n\n\n<p>Desde una perspectiva de tendencia en desarrollo tecnol\u00f3gico, los costes de los dispositivos SiC est\u00e1n disminuyendo un 20-30% anual, mientras que el rendimiento contin\u00faa mejorando. Los MOSFETs de SiC de clase de voltaje de 1200V y 650V han entrado en despliegue comercial a gran escala, y los dispositivos de SiC de alto voltaje por encima de 3300V est\u00e1n madurando r\u00e1pidamente. En tecnolog\u00eda de empaquetado, innovaciones como la refrigeraci\u00f3n doble cara y el empaquetado embebido mejoran a\u00fan m\u00e1s el rendimiento del m\u00f3dulo. Para 2030, se espera que los dispositivos SiC dominen los sistemas electr\u00f3nicos de potencia de potencia media a alta (por encima de 10 kW).<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"412\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-1024x412.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4237\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-1024x412.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-300x121.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-768x309.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-1536x617.webp 1536w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-2048x823.webp 2048w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-18x7.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-600x241.webp 600w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<p>Para los ingenieros, el per\u00edodo actual representa una ventana cr\u00edtica para aprender y dominar la tecnolog\u00eda SiC. Se recomienda incluir <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-module\/\">soluciones SiC<\/a> desde la etapa de dise\u00f1o inicial de nuevos proyectos, realizando preinvestigaciones tecnol\u00f3gicas y validaciones en peque\u00f1as series. Incluso si los proyectos actuales a\u00fan adoptan soluciones de silicio, se deben reservar interfaces y espacio para futuras actualizaciones tecnol\u00f3gicas. Mientras tanto, se debe prestar atenci\u00f3n a las especificidades de los dispositivos SiC, como los rangos de voltaje de conducci\u00f3n, los tiempos de resistencia a cortocircuitos y las caracter\u00edsticas de la capacitancia de Miller, adoptando medidas espec\u00edficas en el dise\u00f1o de circuitos y la distribuci\u00f3n en PCB.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Conclusi\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n<p>Los m\u00f3dulos de potencia SiC representan la direcci\u00f3n de desarrollo de la tecnolog\u00eda de electr\u00f3nica de potencia. Sus ventajas integrales sobre los m\u00f3dulos tradicionales basados en silicio est\u00e1n impulsando los sistemas de conversi\u00f3n de potencia hacia una mayor eficiencia, mayor densidad de potencia y mayor fiabilidad. Aunque los costes actuales de los dispositivos SiC siguen siendo superiores a los de silicio, desde una perspectiva de sistema, los beneficios integrales, incluyendo mejoras en eficiencia, reducciones de volumen y simplificaci\u00f3n t\u00e9rmica, ya han demostrado una econom\u00eda favorable en numerosas aplicaciones. A medida que la cadena de suministro madure y surjan econom\u00edas de escala, <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-module\/\">la tecnolog\u00eda SiC<\/a> inevitablemente jugar\u00e1n un papel central en la futura revoluci\u00f3n de la energ\u00eda verde. Los ingenieros deben seguir de cerca la din\u00e1mica del desarrollo tecnol\u00f3gico e introducir soluciones SiC en los momentos adecuados para mantener la competitividad t\u00e9cnica del producto y las posiciones de liderazgo en el mercado.<\/p>\n\n\n\n<p><\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Los m\u00f3dulos de potencia de Carburo de Silicio (SiC) est\u00e1n revolucionando las transmisiones de veh\u00edculos el\u00e9ctricos, los centros de datos y los sistemas de energ\u00eda renovable con ganancias de eficiencia del 2-5% y una densidad de potencia 3 veces mayor en comparaci\u00f3n con los IGBTs de silicio tradicionales.<\/p>","protected":false},"author":3,"featured_media":4363,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[32],"tags":[],"class_list":["post-4358","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-blog"],"blocksy_meta":[],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4358","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/3"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=4358"}],"version-history":[{"count":6,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4358\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":4386,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4358\/revisions\/4386"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/4363"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=4358"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=4358"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=4358"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}