
Módulo de potencia IGBT fácil de 650V 450A 3B
- Voltaje colector-emisor (VCES): 650V
- Corriente de colector en corriente continua (ICDC): 320A
- Corriente máxima de pico repetitiva del colector (ICRM): 900A
- Disipación total de potencia (Ptot): 396W
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de unión de funcionamiento (Tj): Hasta 175°C
- Resistencia térmica (RthJH): 0.24 K/W
Descripción
El HCG450FL065E3FC es un módulo IGBT de alto rendimiento de 650V 450A de Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., diseñado para aplicaciones de inversores NPC de 3 niveles. Con tecnología de puerta/trinchera y parada de campo, ofrece baja VCEsat, bajas pérdidas de conmutación y un coeficiente de temperatura positivo para una eficiencia superior. El módulo incluye un condensador de corriente continua integrado, sustrato de aluminio2O3 para baja resistencia térmica y tecnología de sustrato de cobre para una mejor gestión térmica y fiabilidad.
Características clave:
- Topología NPC de 3 Niveles de 650V: Optimizado para inversores de alta potencia.
- V bajosCEsat y pérdidas de conmutación: Mejora la eficiencia en operaciones de alta frecuencia.
- Condensador de corriente continua integrado: Mejora la estabilidad del circuito.
- Al2O3 & Sustrato de Cobre: Conductividad térmica y fiabilidad superiores.
- Diseño de baja inductanciaReduce las interferencias electromagnéticas para un rendimiento estable.
- Amplias aplicaciones: Adecuado para sistemas PCS, UPS, solares y APF/SVG.
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Fácil 3B |
| Característica | FC |
| Diagrama de Circuito | FL: 3 niveles, tipo I, inversor NPC |
| Tensión de Bloqueo (V) | 650 |
| Corriente del Módulo (A) | 450 |


