{"id":3461,"date":"2025-11-07T07:10:29","date_gmt":"2025-11-07T07:10:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/?post_type=product&p=3461"},"modified":"2025-11-27T09:47:08","modified_gmt":"2025-11-27T09:47:08","slug":"1200v-40m%cf%89-silicon-carbide-power-mosfet-to-247-4l","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/product\/1200v-40m%cf%89-silicon-carbide-power-mosfet-to-247-4l\/","title":{"rendered":"1200V 40m\u03a9 Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET TO-247-4L"},"content":{"rendered":"

Der HCM75S12T4K3 ist ein 1200V 75m\u03a9 Siliziumkarbid (SiC) Leistungs-MOSFET in einem TO-247-4L-Geh\u00e4use. Entwickelt mit fortschrittlicher SiC-Technologie, bietet er hohe Sperrspannung, niedrigen RDS(on), schnelles Schalten und robuste Zuverl\u00e4ssigkeit. Er ist ideal f\u00fcr hocheffiziente Stromwandlungssysteme, die kompaktes Design und thermische Stabilit\u00e4t erfordern.<\/p>\n

Maximale Bewertungen<\/h2>\n
\n\n\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parameter<\/th>\nSymbol<\/th>\nBedingung<\/th>\nWert<\/th>\nEinheit<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Drain-Source-Spannung<\/td>\nVDS max<\/td>\nVGs=0V,Ip=100\u03bcA<\/td>\n1200<\/td>\nV<\/td>\n<\/tr>\n
Gate-Source-Spannung<\/td>\nVGS max<\/td>\nAbsolute Maximalwerte<\/td>\n-10\/+22<\/td>\nV<\/td>\n<\/tr>\n
VGS Betrieb<\/td>\nEmpfohlene Betriebswerte<\/td>\n-5\/+18<\/td>\nV<\/td>\n<\/tr>\n
Strom durch den Drain bei Dauerbetrieb<\/td>\nID<\/td>\nVGs=18V, Tc=25\u2103<\/td>\n82<\/td>\nA<\/td>\n<\/tr>\n
VGs=18V, Tc=100\u2103<\/td>\n58<\/td>\n<\/tr>\n
Puls-Strom durch den Drain<\/td>\nID Puls<\/td>\nImpulsbreite tp begrenzt durch Tvjmax<\/td>\n264<\/td>\nA<\/td>\n<\/tr>\n
Leistungsaufnahme<\/td>\nPD<\/td>\nTc=25\u2103, Tvjmax=175\u2103<\/td>\n417<\/td>\nW<\/td>\n<\/tr>\n
Betriebstemperatur der Verbindung<\/td>\nTvjop<\/td>\n<\/td>\n-55~175<\/td>\n\u2103<\/td>\n<\/tr>\n
Temperaturbereich f\u00fcr Lagerung<\/td>\nTstg<\/td>\n<\/td>\n-55~175<\/td>\n\u2103<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
    \n
  • 1200V hohe Sperrspannung mit 40m\u03a9 RDS(on)<\/li>\n
  • Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger parasit\u00e4rer Kapazit\u00e4t<\/li>\n
  • Widerstandsf\u00e4hig gegen Latch-up, einfach zu parallelisieren, leicht zu treiben<\/li>\n
  • Zuverl\u00e4ssiger Betrieb bis zu einer Sperrschichttemperatur von 175\u2103<\/li>\n
  • Halogenfrei, RoHS-konform<\/li>\n
  • Ausgezeichnete thermische Leistung mit geringem Schaltverlust<\/li>\n<\/ul>","protected":false},"featured_media":3479,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","template":"","meta":{"_acf_changed":false},"product_brand":[],"product_cat":[26],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-3461","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-sic-discrete-mosfet","8":"first","9":"instock","10":"shipping-taxable","11":"product-type-variable","12":"has-default-attributes"},"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/3461","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=3461"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/3479"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=3461"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=3461"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=3461"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=3461"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}