{"id":5820,"date":"2026-07-03T02:00:56","date_gmt":"2026-07-03T02:00:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/?p=5820"},"modified":"2026-07-03T02:00:58","modified_gmt":"2026-07-03T02:00:58","slug":"igbt-and-sic-eol-strategies-inventory-and-replacement-solution","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/blog\/igbt-and-sic-eol-strategies-inventory-and-replacement-solution\/","title":{"rendered":"IGBT- und SiC-EOL-Strategien Inventar- und Ersatzl\u00f6sung"},"content":{"rendered":"<p class=\"wp-block-paragraph\">Die Navigation durch das End-of-Life (EOL) von IGBT-\/SiC-Modulen kann eine entscheidende Ver\u00e4nderung f\u00fcr Ihre Lieferkette und die Langlebigkeit Ihrer Produkte sein. Ob Sie das Inventar verwalten oder nach alternativen L\u00f6sungen suchen, das Verst\u00e4ndnis der besten Strategien ist entscheidend, um kostspielige Neugestaltungen zu vermeiden und einen reibungslosen Betrieb zu gew\u00e4hrleisten. In diesem Leitfaden entdecken Sie bew\u00e4hrte Methoden, um Komponentenobsoleszenz proaktiv zu handhaben, Lagerbest\u00e4nde zu optimieren und zuverl\u00e4ssige Querverweise zu erkunden. Wenn Sie bereit sind, EOL-Herausforderungen vorauszusehen und Ihre Leistungselektronik-Zukunft zu sichern, lesen Sie weiter.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-full\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"700\" height=\"400\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-MOSFET_vs-Si-IGBT-Topdiode.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-5718\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-MOSFET_vs-Si-IGBT-Topdiode.webp 700w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-MOSFET_vs-Si-IGBT-Topdiode-300x171.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-MOSFET_vs-Si-IGBT-Topdiode-18x10.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-MOSFET_vs-Si-IGBT-Topdiode-600x343.webp 600w\" sizes=\"(max-width: 700px) 100vw, 700px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Das Verst\u00e4ndnis der Auswirkungen des End-of-Life (EOL) von IGBT-\/SiC-Modulen auf Energiesysteme ist entscheidend f\u00fcr die Aufrechterhaltung langfristiger Zuverl\u00e4ssigkeit und Betriebsf\u00e4higkeit. EOL-Ereignisse, wie Produktk\u00fcndigungen (PDN), k\u00f6nnen erhebliche St\u00f6rungen bei Infrastrukturprojekten und Lieferketten verursachen. Da Hochspannungs-Gleichstromarchitekturen stark auf diese Module angewiesen sind, kann deren Obsoleszenz die Systemleistung zum Stillstand bringen und die Ausfallzeiten erh\u00f6hen. Versorgungskettenschocks werden deutlicher, wenn Hersteller Schl\u00fcsselkomponenten ohne angemessene \u00dcbergangsplanung auslaufen lassen. F\u00fcr Ingenieure und Einkaufsleiter unterstreicht das Erkennen, wie EOL die Systemstabilit\u00e4t beeinflusst, die Bedeutung proaktiver Strategien zur Risikominderung und zur Sicherstellung eines nahtlosen Stromwandels und -kontrolle.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Proaktives Bestandsmanagement f\u00fcr EOL-Risiko<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Wir betrachten das End-of-Life von IGBT-\/SiC-Modulen als ein Planungsproblem, nicht als einen Last-Minute-Lieferungsschock. F\u00fcr langlebige Systeme verwende ich datengetriebenes Komponentenlebenszyklusmanagement (CLM), um Produktk\u00fcndigungen (PDN) fr\u00fchzeitig zu erkennen, Obsoleszenzrisiken zu identifizieren und die Resilienz der Lieferkette zu sch\u00fctzen, bevor Teile fehlen.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">CLM und LTB-Planung<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Beobachten Sie Lebenszyklus-Signale fr\u00fchzeitig, damit das EOL ohne Vorwarnung keine Produktion oder Serviceprogramme trifft.<\/li>\n\n\n\n<li>Optimieren Sie die Last-Time-Buy (LTB) um echte Nachfrage, Serviceverpflichtungen und Ersatzteilabdeckung herum.<\/li>\n\n\n\n<li>Vermeiden Sie \u00dcberk\u00e4ufe; zu viel Lagerbestand kann Kapital binden und den tats\u00e4chlichen Systembedarf verfehlen.<\/li>\n\n\n\n<li>F\u00fcr langlebige Anlagen wie Netz- und Bahnplattformen sind unsere&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/blog\/future-of-1700v-and-3300v-high-voltage-power-modules-for-rail-and-grid\/\">Hochspannungsleistungsmodule f\u00fcr Bahn und Netz<\/a>&nbsp;eine praktische Referenz f\u00fcr die Planung im Zusammenhang mit Hochspannungs-Gleichstromarchitekturen.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Lagerkosten, die die meisten Teams \u00fcbersehen<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Langfristiges Lagern ist nicht kostenlos: Es verursacht Lagerkosten, Handling-Risiken und Qualit\u00e4tsunsicherheiten.<\/li>\n\n\n\n<li>Leistungs-Module, die zu lange gelagert werden, k\u00f6nnen schwerer f\u00fcr zuk\u00fcnftigen Einsatz qualifiziert werden, insbesondere in kritischen Anwendungen.<\/li>\n\n\n\n<li>Der sicherste Ansatz ist ein ausgewogenes Inventar, das die Nachfrage abdeckt, ohne vermeidbare \u00dcbersch\u00fcsse aufzubauen.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Worauf ich mich konzentriere<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Nutzen Sie CLM, um Risiken fr\u00fchzeitig zu erkennen.<\/li>\n\n\n\n<li>Gr\u00f6\u00dfe LTB-Bestellungen, um die Lebenszyklusnachfrage zu decken.<\/li>\n\n\n\n<li>Halten Sie den Bestand schlank genug, um flexibel zu bleiben.<\/li>\n\n\n\n<li>Sch\u00fctzen Sie die Kontinuit\u00e4t f\u00fcr Altsysteme, ohne Kapital in Totlager zu binden.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Bewertung alternativer L\u00f6sungen: Drop-In-Ersatzteile und Systemneugestaltung<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Pin-to-Pin-Ersatz<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Ich beginne damit, pin-kompatible Module zu pr\u00fcfen, um den schnellsten Weg zur Wiederherstellung zu finden. Ein echtes Drop-in-Ersatzteil sollte die elektrische Schnittstelle, den thermischen Pfad und die Steuerlogik eng genug \u00fcbereinstimmen, um einen vollst\u00e4ndigen Plattformneubau zu vermeiden.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"1024\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w-1024x1024.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-5759\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w-1024x1024.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w-300x300.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w-150x150.webp 150w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w-768x768.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w-12x12.webp 12w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w-500x500.webp 500w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w-600x600.webp 600w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w-100x100.webp 100w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Commercial_HVAC_Chiller_Power_Module_Selection_z6w.webp 1254w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Silizium IGBT auf SiC MOSFET-Upgrade<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Wenn die Leistung das gr\u00f6\u00dfere Problem ist, schaue ich mir ein Upgrade von Silizium IGBT auf SiC MOSFET an. SiC kann die Hochfrequenz-Schaltwirkungsgrad verbessern, Verluste reduzieren und kompaktere Hochspannungs-Gleichstrom-Stromarchitekturen unterst\u00fctzen. F\u00fcr \u00c4nderungen auf der Steuerseite nutze ich praktische Ressourcen wie unseren&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/blog\/gate-driver-design-for-igbt-and-sic-modules-practical-guide\/\">Gate-Treiber-Designleitfaden f\u00fcr IGBT- und SiC-Module<\/a>&nbsp;um die Neugestaltung fokussiert und stabil zu halten.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Konformit\u00e4t und Systempassung<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Jede Modul\u00e4nderung muss die Konformit\u00e4tspr\u00fcfung bestehen, nicht nur die elektrische Pr\u00fcfung. Ich \u00fcberpr\u00fcfe die IEC 61215-Standards und UL 1741-Standards, wo zutreffend, und best\u00e4tige, dass das neue Ger\u00e4t in die bestehende Topologie der kundenspezifischen Leistungselektronik passt. F\u00fcr Projekte, die einen strukturierteren Upgrade-Pfad ben\u00f6tigen, zeigen unsere&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/blog\/igbt-and-sic-modules-for-marine-drives-with-certification-standards\/\">IGBT- und SiC-Modul-L\u00f6sungen f\u00fcr zertifizierungssensible Antriebssysteme<\/a>&nbsp;wie ich den Austausch angehe, ohne Zuverl\u00e4ssigkeit oder Versorgungskettenresilienz zu verlieren.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Ma\u00dfgeschneiderte In-House-Fertigung f\u00fcr EOL<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Wenn eine Produktstilllegungsmitteilung eintrifft, fallen Standardmodule oft kurz. Pin-Kompatibilit\u00e4tsprobleme, K\u00fchlgrenzen und Steuerungsunterschiede k\u00f6nnen einen einfachen Austausch in eine vollst\u00e4ndige Neugestaltung verwandeln.<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Die Kontrolle \u00fcber die In-House-Fertigung gibt uns Geschwindigkeit, Qualit\u00e4tskonsistenz und die Flexibilit\u00e4t, das Modul anzupassen, anstatt das System anpassen zu lassen.<\/li>\n\n\n\n<li>Wir entwickeln gemeinsam f\u00fcr Althardware, einschlie\u00dflich pin-kompatibler Module, thermischer Passform und K\u00fchlungsabstimmung, was in Hochspannungs-Gleichstrom-Stromarchitekturen entscheidend ist.<\/li>\n\n\n\n<li>Dieser Ansatz reduziert das Risiko der Veralterung von Leistungsmodule und unterst\u00fctzt praktische Systemneugestaltungsma\u00dfnahmen, ohne lange auf eine ma\u00dfgeschneiderte Versorgungskette warten zu m\u00fcssen.<\/li>\n\n\n\n<li>F\u00fcr Anwendungen, die stabil bleiben m\u00fcssen&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/blog\/thermal-design-and-cooling-solutions-for-new-energy-inverters-explained\/\">thermischer Design- und K\u00fchll\u00f6sungen f\u00fcr neue Energie-Wechselrichter<\/a>, bauen wir um die realen Betriebsbedingungen herum auf, nicht nur um das Datenblatt.<\/li>\n\n\n\n<li>Wir halten den Prozess schnell: Ma\u00dfgeschneiderte Empfehlungen erfolgen innerhalb von 24 Stunden, sodass Entwicklung und Beschaffung ohne Verz\u00f6gerung voranschreiten k\u00f6nnen.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">HIITIO f\u00fcr langfristige Versorgung<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Wir bauen um die Realit\u00e4t des End-of-Life (EOL) von IGBT\/SiC-Modulen: Versorgungsl\u00fccken, Produktstilllegungsmitteilungen und der Druck, Hochspannungs-Gleichstromarchitekturen ohne vollst\u00e4ndige Neugestaltung am Laufen zu halten.<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>Erbe mit Tiefe:<\/strong>&nbsp;HIITIO stammt von Hecheng Electric, gegr\u00fcndet im Jahr 2018, mit ausgereifter F&amp;E und stabilem Fertigungs-Know-how.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Breite Modulabdeckung:<\/strong>&nbsp;IGBT-Module, Hochspannungs-IGBT-Module, SiC-Module, SiC-Discrete-MOSFETs, SiC\/Si-Hybrid-Module und Press-Pack-IGBT-Optionen bieten uns Flexibilit\u00e4t f\u00fcr Ersatzl\u00f6sungen und Systemneugestaltungen.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>F\u00fcr Kontinuit\u00e4t gebaut:<\/strong>&nbsp;Vollst\u00e4ndige interne Fertigungskontrolle erm\u00f6glicht es uns, schneller auf Obsoleszenz, Pin-zu-Pin-Kompatibilit\u00e4tsanforderungen und sich \u00e4ndernde Feldanforderungen zu reagieren.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Schneller Support:<\/strong>&nbsp;Wir bieten ma\u00dfgeschneiderte Empfehlungen und kundenspezifische Leistungsmodule innerhalb von 24 Stunden, um die Resilienz der Lieferkette zu sch\u00fctzen.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Wenn ich eine Altplattform bewerte, sehe ich zuerst den praktischen Weg: ein pin-zu-pin kompatibles Modul, ein Upgrade von Silizium-IGBT auf SiC-MOSFET oder eine breitere \u00c4nderung der Leistungselektronik-Topologie. F\u00fcr Verpackungsvergleiche verweise ich auch auf unseren&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/blog\/press-pack-vs-standard-power-modules-comparison-key-differences\/\">Vergleich zwischen Press-Pack- und Standard-Leistungsschaltungen<\/a>, und f\u00fcr effizienzorientierte Migrationsplanung unsere&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/blog\/applications-of-sic-mosfets-in-ev-systems-for-high-efficiency-and-power\/\">SiC-MOSFET-Anwendungen in EV-Systemen<\/a>&nbsp;zeigen, wo der \u00dcbergang zu Halbleitern mit breitem Bandabstand Mehrwert schaffen kann.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Unser Ziel ist einfach: Kritische Systeme mit zuverl\u00e4ssigen Modulen, klarer technischer Anleitung und ma\u00dfgeschneidertem Support, der sich an realen Zeitpl\u00e4nen orientiert, am Laufen zu halten.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Strategien zur Bew\u00e4ltigung des End-of-Life (EOL) von IGBT\/SiC-Modulen<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Bestand als Puffer<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Ich betrachte proaktives Bestandsmanagement als praktischen Schutz gegen die Obsoleszenz von Leistungsmodule. F\u00fcr langlebige Systeme konzentriere ich mich auf das Lifecycle-Management von Komponenten (CLM) und die Optimierung des Last-Time-Buy (LTB), damit die Lagerbest\u00e4nde dem tats\u00e4chlichen Bedarf entsprechen und keine Sch\u00e4tzungen gemacht werden.<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Fr\u00fchzeitige \u00dcberwachung des Risikos eines Produktstillstands (PDN)<\/li>\n\n\n\n<li>Das LTB-Volumen gegen Lagerkosten und Programmlaufzeit abw\u00e4gen<\/li>\n\n\n\n<li>Vermeiden Sie die \u00dcberlagerung von Teilen, die unter Lagerbedingungen altern<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Flexible Ersatzoptionen<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Wenn ein direkter Ersatz nicht mehr verf\u00fcgbar ist, suche ich zuerst nach Drop-in-Ersatzteilen und wechsle erst bei Bedarf zum Systemneugestaltung. Pin-zu-Pin-kompatible Module, K\u00fchlanpassung und Steuerungstopologie sind wichtiger als ein einfacher Teileaustausch.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Ein \u00dcbergang zu Wide-Bandgap-Halbleitern kann auch die Hochfrequenz-Schaltwirkungsgrad verbessern und Verluste reduzieren. F\u00fcr Teams, die Legacy-Siliziumteile mit neueren Bauteilen vergleichen, ist dies&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/blog\/sic-mosfet-vs-silicon-mosfet-performance-and-efficiency-comparison\/\">Leistungsvergleich von SiC-MOSFETs und Silizium-MOSFETs<\/a>&nbsp;eine n\u00fctzliche Referenz.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Ma\u00dfgeschneiderte Unterst\u00fctzung bei EOL-Druck<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Fertige Module l\u00f6sen nicht alle EOL-Probleme. Ich verlasse mich auf die interne Fertigungskontrolle, wenn ich eine schnellere Co-Design, eine engere Qualit\u00e4tskontrolle und eine bessere Integration in Legacy-Systeme ben\u00f6tige.<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Integrierte Flexibilit\u00e4t f\u00fcr individuelle Leistungselektronik-Topologien<\/li>\n\n\n\n<li>Schnellere Reaktionsf\u00e4higkeit f\u00fcr die Resilienz der Lieferkette<\/li>\n\n\n\n<li>Bessere Abstimmung mit den IEC 61215-Standards und UL 1741-Standards, wo erforderlich<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">HIITIO f\u00fcr langfristige Kontinuit\u00e4t<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">HIITIO ist f\u00fcr diese Art von Herausforderung ausgelegt. Gegr\u00fcndet im Jahr 2018 aus Hecheng Electric, kombiniert HIITIO ausgereifte F&amp;E mit vollst\u00e4ndiger interner Fertigungskontrolle und einem breiten Portfolio, das IGBT-Module, Hochspannungs-IGBT-Module, SiC-Module, SiC-Discrete-Mosfets, SiC\/Si-Hybrid-Module und Press Pack IGBT-Optionen umfasst.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">F\u00fcr Projekte mit EOL-Risiko nutze ich die ma\u00dfgeschneiderten Empfehlungen von HIITIO innerhalb von 24 Stunden, um stabile Hochspannungs-Gleichstromarchitekturen zu gew\u00e4hrleisten und die sofortige Ersatzplanung der Module zu unterst\u00fctzen.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Verwandte Quellen<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li><a href=\"https:\/\/community.infineon.com\/gfawx74859\/attachments\/gfawx74859\/jpmosfet\/6363\/2\/Benefits_of_.XT_Interconnection_Technology_for_3.3_kV_XHP_2_Module_with_3.3_kV_CoolSiC_MOSFET.pdf\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener\">https:\/\/community.infineon.com\/gfawx74859\/attachments\/gfawx74859\/jpmosfet\/6363\/2\/Benefits_of_.XT_Interconnection_Technology_for_3.3_kV_XHP_2_Module_with_3.3_kV_CoolSiC_MOSFET.pdf<\/a><\/li>\n\n\n\n<li><a href=\"https:\/\/ira.lib.polyu.edu.hk\/bitstream\/10397\/117157\/1\/Zhang_Lifetime_Enhanced_Modulation.pdf\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener\">https:\/\/ira.lib.polyu.edu.hk\/bitstream\/10397\/117157\/1\/Zhang_Lifetime_Enhanced_Modulation.pdf<\/a><\/li>\n\n\n\n<li><a href=\"https:\/\/pmc.ncbi\/\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener\">https:\/\/pmc.ncbi<\/a><\/li>\n\n\n\n<li><a href=\"https:\/\/www.mdpi.org\/2071-1050\/18\/5\/2663\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener\">https:\/\/www.mdpi.org\/2071-1050\/18\/5\/2663<\/a><\/li>\n\n\n\n<li><a href=\"https:\/\/news.pcim.mesago.com\/degradation-and-aging-of-power-electronic-components-a-5dfd9bb4f55aba864eab092a2686743e\/\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener\">https:\/\/news.pcim.mesago.com\/degradation-and-aging-of-power-electronic-components-a-5dfd9bb4f55aba864eab092a2686743e\/<\/a><\/li>\n<\/ul>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Leitfaden zur Verwaltung des EOL von IGBT- und SiC-Modulen mit Inventarstrategien und zuverl\u00e4ssigen Alternativl\u00f6sungen.<\/p>","protected":false},"author":3,"featured_media":5738,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[32],"tags":[],"class_list":["post-5820","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-blog"],"blocksy_meta":[],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5820","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/3"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=5820"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5820\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":5828,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5820\/revisions\/5828"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/5738"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=5820"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=5820"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=5820"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}