{"id":5130,"date":"2026-02-27T08:59:14","date_gmt":"2026-02-27T08:59:14","guid":{"rendered":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/?p=5130"},"modified":"2026-02-27T09:00:53","modified_gmt":"2026-02-27T09:00:53","slug":"global-supply-chain-challenges-for-sic-components-in-2026","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/blog\/global-supply-chain-challenges-for-sic-components-in-2026\/","title":{"rendered":"Globale Herausforderungen in der Lieferkette f\u00fcr SiC-Komponenten im Jahr 2026"},"content":{"rendered":"<h2 class=\"wp-block-heading\">Aktueller Stand der globalen SiC-Lieferkette im Jahr 2026<\/h2>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-embed is-type-video is-provider-youtube wp-block-embed-youtube wp-embed-aspect-16-9 wp-has-aspect-ratio\"><div class=\"wp-block-embed__wrapper\">\n<iframe title=\"DIE SEMIKONDUKTOR-LIEFERKETTE - EIN KURZER \u00dcBERBLICK\" width=\"1290\" height=\"726\" src=\"https:\/\/www.youtube.com\/embed\/KICfRTzzcaI?feature=oembed\" frameborder=\"0\" allow=\"accelerometer; autoplay; clipboard-write; encrypted-media; gyroscope; picture-in-picture; web-share\" referrerpolicy=\"strict-origin-when-cross-origin\" allowfullscreen><\/iframe>\n<\/div><\/figure>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Im Jahr 2026, <a href=\"https:\/\/www.deloitte.com\/us\/en\/insights\/industry\/technology\/technology-media-telecom-outlooks\/semiconductor-industry-outlook.html\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">bleibt die globale Siliziumkarbid-(SiC-)Lieferkette<\/a> komplex, aber ausgewogener als in den Vorjahren. Die Lieferkette gliedert sich in mehrere Schl\u00fcsselsegmente:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>Substrate:<\/strong>&nbsp;Die Grundlage der SiC-Bauelementefertigung, bei der Wafer aus gro\u00dfen SiC-Kristallen geschnitten werden.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Epitaxiale Wafer:<\/strong>&nbsp;Schichten, die auf Substraten gewachsen werden, um hochwertiges Basismaterial f\u00fcr Bauelemente zu schaffen.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Ger\u00e4tefertigung:<\/strong>&nbsp;Verarbeitung der epitaxialen Wafer zu Leistungselementen wie MOSFETs und Dioden.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Verpackung:<\/strong>&nbsp;Endmontage und Verpackung von SiC-Bauelementen f\u00fcr Automobil-, Industrie- und erneuerbare Energien-M\u00e4rkte.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Wichtige Branchenakteure sind auf regionale Zentren verteilt:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>Deutschland<\/strong>&nbsp;hat sich aggressiv erweitert, insbesondere in epitaxialem Wachstum und Ger\u00e4tefertigung, was das Volumen steigert, aber Qualit\u00e4ts- und Ertragsherausforderungen mit sich bringt.<\/li>\n\n\n\n<li>Das&nbsp;<strong>Deutschland und Europa<\/strong>&nbsp;konzentrieren sich auf innovative Ger\u00e4teentwicklung und Verpackungstechnologien und profitieren von etablierten Automobil- und Industriepartnerschaften.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Japan und Korea<\/strong>&nbsp;Starke Positionen in der Substratherstellung und hochpr\u00e4zisen epitaxialen Prozessen aufrechterhalten, um technologische F\u00fchrungspositionen zu sichern.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Ein wichtiger Trend im letzten Jahr verlagerte den Markt von chronischen SiC-Wafer-Engp\u00e4ssen hin zu selektiver \u00dcberkapazit\u00e4t in vorgelagerten Segmenten wie Substraten und epitaxialem Wafer-Wachstum. Dies hat einige Versorgungsknappheiten gelockert, aber neue Herausforderungen bei Auslastungsraten und Kosteneffizienz eingef\u00fchrt. Hersteller passen sich an, indem sie Volumenausweitung mit Qualit\u00e4tskontrolle ausbalancieren und eine starke Nachfrage nach EV-Leistungshalbleitern und anderen Anwendungen mit breitem Bandgap vorwegnehmen.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Insgesamt entwickelt sich die SiC-Lieferkette bis 2026 weiter, verl\u00e4sst die Anfangsphase der Engp\u00e4sse, muss aber weiterhin Kapazit\u00e4tsungleichgewichte und regionale Versorgungssituationen, die eng mit geopolitischen und Marktanforderungen verbunden sind, sorgf\u00e4ltig steuern.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Haupt-Herausforderungen in der Lieferkette f\u00fcr SiC-Komponenten im Jahr 2026<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Die SiC-Lieferkette im Jahr 2026 steht vor mehreren kritischen Herausforderungen, die die Landschaft neu gestalten. Zun\u00e4chst gibt es Kapazit\u00e4tsungleichgewichte und ungleichm\u00e4\u00dfige Auslastungsraten in Schl\u00fcsselsegmenten, insbesondere bei Substraten und Bauelementenfertigung. Einige vorgelagerte Anlagen berichten von selektiver \u00dcberkapazit\u00e4t, w\u00e4hrend die nachgelagerten Fertigungen noch Schwierigkeiten haben, mit der steigenden Nachfrage Schritt zu halten.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-full\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"810\" height=\"540\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-1.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-5079\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-1.webp 810w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-1-300x200.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-1-768x512.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-1-18x12.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-1-600x400.webp 600w\" sizes=\"(max-width: 810px) 100vw, 810px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Ein bedeutender \u00dcbergang ist im Gange mit der Umstellung auf die Produktion von 200-mm-SiC-Wafern. W\u00e4hrend gr\u00f6\u00dfere Wafer niedrigere Kosten pro Einheit versprechen, k\u00e4mpft die Branche mit erheblichen technischen H\u00fcrden bei Ertrag und Ger\u00e4tekompatibilit\u00e4t. Dieser \u00dcbergang beeinflusst die Kostenstruktur und verlangsamt die Kapazit\u00e4tssteigerung, was eine schnelle Entlastung fr\u00fcherer Versorgungsknappheiten einschr\u00e4nkt.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Rohstoffknappheit bleibt bestehen. Die Sicherung von hochreinem Silizium und Kohlenstoffquellen sowie spezialisierten Saatkristallen, die f\u00fcr das epitaxiale Wachstum unerl\u00e4sslich sind, bleibt eine Engstelle. Zudem erh\u00f6hen steigende Energiekosten den Druck auf die Produktionseconomics, insbesondere bei energieintensiven Prozessen wie dem Kristallwachstum.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Ertrags- und Qualit\u00e4tsprobleme bestehen weiterhin, haupts\u00e4chlich aufgrund von Kristallfehlern, die die Zuverl\u00e4ssigkeit der Bauelemente beeintr\u00e4chtigen. Diese Probleme sind besonders kritisch f\u00fcr automotive EV-Leistungshalbleiter, bei denen strenge Qualifikationsstandards nahezu perfekte Konsistenz verlangen. Hersteller m\u00fcssen stark in Prozessverbesserungen investieren, um diese Anforderungen zu erf\u00fcllen.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Geopolitische Risiken wie Z\u00f6lle, Exportkontrollen und regionaler Protektionismus versch\u00e4rfen die Fragilit\u00e4t der Lieferkette. Politiken beschr\u00e4nken den Material- und Technologietransfer zwischen wichtigen Regionen wie Deutschland, Europa, Asien und anderen, was die Beschaffungssicherheit beeintr\u00e4chtigt.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Schlie\u00dflich bleibt die Diskrepanz zwischen Angebot und Nachfrage deutlich. Die Akzeptanz von Elektrofahrzeugen, erneuerbare Energieprojekte und aufkommende Rechenzentrum-Strommodule treiben die Nachfrage nach SiC-Bauelementen \u00fcber die aktuellen Kapazit\u00e4ten hinaus, was zu l\u00e4ngeren Lieferzeiten und h\u00f6heren Preisen f\u00fchrt.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Die Bew\u00e4ltigung dieser Herausforderungen erfordert ein klares Verst\u00e4ndnis der Engp\u00e4sse bei Siliziumkarbid-Wafern und der Ertragsprobleme bei Bauelementen, um Lieferanten und K\u00e4ufer bei der Navigation durch dieses komplexe Umfeld effektiv zu unterst\u00fctzen. Zum Beispiel kann die Erforschung fortschrittlicher Leistungsmodule wie HIITIOs&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product\/ed3h-1200v-600a-sic-power-module\/\">ED3H 1200V 600A SiC-Leistungshalbleiter<\/a>&nbsp;dazu beitragen, Leistungsanforderungen zu erf\u00fcllen und gleichzeitig Versorgungssrisiken zu steuern.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Regionale und sektorspezifische Auswirkungen<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Im Jahr 2026 sp\u00fcrt die Siliziumkarbid-Lieferkette in verschiedenen Regionen und Sektoren, insbesondere im Automobil-, erneuerbare Energien- und Industriesektor, deutlichen Druck.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-full\"><img decoding=\"async\" width=\"810\" height=\"540\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-4.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-5076\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-4.webp 810w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-4-300x200.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-4-768x512.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-4-18x12.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/HIITIO-POWER-MODULE-MANUFACTURER-4-600x400.webp 600w\" sizes=\"(max-width: 810px) 100vw, 810px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Herausforderungen im Automobilsektor<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Die Automobilindustrie steht vor anhaltenden Vorlaufzeitproblemen, da Hersteller von traditionellen Silizium- und IGBT-Komponenten auf SiC-Leistungshalbleiter f\u00fcr Elektrofahrzeuge umstellen. Dieser \u00dcbergang erh\u00f6ht die Nachfrage nach hochwertigen SiC-Bauelementen, aber Kapazit\u00e4tsengp\u00e4sse und Ertragsprobleme verlangsamen die Designmigration. Das Management von Versorgungskettenrisiken bedeutet hier, sowohl die Produktionssteigerung als auch die Qualifikationsh\u00fcrden f\u00fcr automotive SiC-MOSFETs und Module, wie sie in effizienten EV-Antriebssystemen verwendet werden, anzugehen.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Risiken im Bereich erneuerbare Energien &amp; Industrie<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Die Verf\u00fcgbarkeit von Netzwechselrichtern f\u00fcr erneuerbare Energien zeigt ebenfalls Schw\u00e4chen, mit m\u00f6glichen St\u00f6rungen in der Versorgung von Strommodulen, die Solar- und Windenergie integrieren. Der Industriesektor, der auf robuste SiC-Bauelemente f\u00fcr Hochspannungswechselrichter angewiesen ist, sieht Risiken durch schwankende Waferqualit\u00e4t und regionale Kapazit\u00e4tsungleichgewichte.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Geografische Unterschiede<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Asien dominiert weiterhin im Volumen, insbesondere Deutschland, Japan und Korea, und treibt einen Gro\u00dfteil der globalen Versorgung an. Deutschland und Europa bleiben widerstandsf\u00e4hig, indem sie sich auf fortschrittliches Bauelementdesign und Prozessinnovation konzentrieren, auch wenn sie geopolitischen und handelspolitischen Herausforderungen gegen\u00fcberstehen. Diese Aufteilung schafft ein regionales Patchwork, bei dem lokale Beschaffung und Multi-Region-Strategien unerl\u00e4sslich werden.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Zum Beispiel, Hiitio\u2019s&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product\/1700v-9a-silicon-carbide-schottky\/\">1700V 9A Siliziumkarbid-Schottky-Dioden<\/a>&nbsp;und \u00e4hnliche Hochleistungsmodule zeigen, wie Anbieter in fortschrittlichen M\u00e4rkten auf die Bed\u00fcrfnisse Europas nach zuverl\u00e4ssigen, automobiltauglichen SiC-Komponenten eingehen und so einige Engp\u00e4sse in der Lieferkette abmildern.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Insgesamt ist das Verst\u00e4ndnis dieser regionalen und sektorspezifischen Auswirkungen entscheidend, um den SiC-Komponentemarkt bis 2026 effektiv zu navigieren.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Strategien zur Minderung globaler SiC-Lieferkettenrisiken im Jahr 2026<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um die anhaltenden globalen Herausforderungen in der Siliziumkarbid-Lieferkette im Jahr 2026 anzugehen, ben\u00f6tigen Unternehmen eine vielschichtige Strategie, die auf Resilienz und Flexibilit\u00e4t fokussiert.<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>Diversifikation:<\/strong>&nbsp;Die Abh\u00e4ngigkeit von mehreren Lieferanten in verschiedenen Regionen hilft, Risiken zu reduzieren. Die regionale Lokalisierung der Lieferketten begrenzt die Exposition gegen\u00fcber geopolitischen St\u00f6rungen und Handelsbeschr\u00e4nkungen. Strategische Partnerschaften, insbesondere mit Schl\u00fcsselakteuren in Deutschland, Europa, Asien und anderen L\u00e4ndern, schaffen stabilere Versorgungskan\u00e4le.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Langfristige Vertr\u00e4ge:<\/strong>&nbsp;Die Sicherung der Kapazit\u00e4ten durch langfristige Vereinbarungen und Reservierungen minimiert \u00dcberraschungen durch volatile Nachfragespitzen, insbesondere im Bereich der Leistungshalbleiter f\u00fcr Elektrofahrzeuge. Dieser Ansatz gleicht Kapazit\u00e4tsungleichgewichte aus und sorgt f\u00fcr eine vorhersehbarere Verf\u00fcgbarkeit von Wafern und Bauteilen.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Ertrags- und Prozessoptimierungen:<\/strong>&nbsp;Die enge Zusammenarbeit mit Lieferanten zur Verbesserung der Ertragsraten und zur Behebung von Kristallfehlern ist entscheidend. Investitionen in Prozessinnovationen bei der Produktion von 200mm SiC-Wafern verbessern nicht nur die Qualit\u00e4t, sondern mildern auch Kostenherausforderungen im Zusammenhang mit gr\u00f6\u00dferen Wafergr\u00f6\u00dfen.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Bestands- und Materialalternativen:<\/strong>&nbsp;Proaktives Bestandsmanagement hilft, kurzfristige Versorgungsschocks abzufedern. Die Erforschung alternativer Rohstoffe f\u00fcr Siliziumkarbid und epitaxiale Wachstumsverfahren schafft Redundanz und verringert die Abh\u00e4ngigkeit von begrenzten Inputs wie Saatkristallen und Kohlenstoffquellen.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Dieser ganzheitliche Ansatz st\u00e4rkt die Lieferkette gegen Kapazit\u00e4tsungleichgewichte, Qualit\u00e4tsprobleme und geopolitische Risiken, die im Jahr 2026 sichtbar sind. Hersteller und Nutzer profitieren gleicherma\u00dfen, indem sie einen stetigen Zugang zu SiC-Komponenten gew\u00e4hrleisten, die f\u00fcr die Zuverl\u00e4ssigkeit und hohe Leistung von Leistungsmodule notwendig sind, wie in Produkten wie&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product\/6500v-250a-high-voltage-igbt-power-module\/\">Hiitio\u2019s Hochspannungs-IGBT-Leistungssystemen<\/a>.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Ausblick \u00fcber 2026 hinaus: Wachstum und Innovation bei SiC-Komponenten<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Mit Blick auf 2026 wird erwartet, dass sich die Siliziumkarbid-Lieferkette nach j\u00fcngsten Marktkorrekturen allm\u00e4hlich erholt. Ein Schl\u00fcsselfaktor wird die breitere Einf\u00fchrung von 8-Zoll-(200mm)-SiC-Waferplattformen sein, die niedrigere Kosten und eine h\u00f6here Produktionsmenge versprechen, um die wachsende Nachfrage zu decken. Dieser Wandel wird fortschrittlichere Ger\u00e4tetypen unterst\u00fctzen, die Leistung und Effizienz von Leistungsmodule verbessern.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-full\"><img decoding=\"async\" width=\"1000\" height=\"666\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/Future-of-Hybrid-SiC-IGBT-Modules-4.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-5151\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/Future-of-Hybrid-SiC-IGBT-Modules-4.webp 1000w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/Future-of-Hybrid-SiC-IGBT-Modules-4-300x200.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/Future-of-Hybrid-SiC-IGBT-Modules-4-768x511.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/Future-of-Hybrid-SiC-IGBT-Modules-4-18x12.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/02\/Future-of-Hybrid-SiC-IGBT-Modules-4-600x400.webp 600w\" sizes=\"(max-width: 1000px) 100vw, 1000px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Der Markt f\u00fcr SiC-Bauteile wird voraussichtlich bis 2030 auf etwa 1 Billion Euro anwachsen, angetrieben durch die zunehmende Nutzung in Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energien und Rechenzentren. Hersteller wie Hiitio sind gut positioniert, um von diesem Wachstum mit ihren zuverl\u00e4ssigen, hochleistungsf\u00e4higen Leistungsmodule zu profitieren, wie zum Beispiel&nbsp;<a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product\/1700v-silicon-carbide-schottky-2\/\">1700V Siliziumkarbid-Schottky-Dioden von HIITIO<\/a>&nbsp;und fortschrittlichen IGBT-Leistungssystemen, die den sich entwickelnden Branchenbed\u00fcrfnissen entsprechen.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Der Schl\u00fcssel zum Erfolg \u00fcber 2026 hinaus wird die kontinuierliche Innovation bei Ertragsoptimierung und die Integration von breitbandgap-Materialien sein, um eine stabile Versorgung angesichts geopolitischer und Lieferkettenrisiken zu gew\u00e4hrleisten. Strategische Kapazit\u00e4tserweiterungen und Partnerschaften werden ebenfalls eine entscheidende Rolle dabei spielen, im wettbewerbsintensiven SiC-Halbleitermarkt die Nase vorn zu behalten.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Erkunden Sie die wichtigsten globalen Herausforderungen in der Lieferkette f\u00fcr SiC-Komponenten im Jahr 2026, einschlie\u00dflich Versorgungssrisiken, Kapazit\u00e4t, Qualit\u00e4t und geopolitischer Auswirkungen.<\/p>","protected":false},"author":3,"featured_media":5079,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[32],"tags":[],"class_list":["post-5130","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-blog"],"blocksy_meta":[],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5130","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/3"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=5130"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5130\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":5201,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5130\/revisions\/5201"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/5079"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=5130"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=5130"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=5130"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}