{"id":4358,"date":"2026-01-06T06:06:42","date_gmt":"2026-01-06T06:06:42","guid":{"rendered":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/?p=4358"},"modified":"2026-01-09T06:10:03","modified_gmt":"2026-01-09T06:10:03","slug":"why-sic-power-modules-are-replacing-si","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/blog\/why-sic-power-modules-are-replacing-si\/","title":{"rendered":"Warum SiC-Leistungsschaltmodule Silizium ersetzen: Ein technischer Deep Dive"},"content":{"rendered":"<p>Mit der rasanten Entwicklung der Leistungselektronik-Technologie ersetzen Siliziumkarbid (SiC)-Halbleiter-Leistungsmodule allm\u00e4hlich herk\u00f6mmliche siliziumbasierte Leistungsmodule und werden zur bevorzugten L\u00f6sung f\u00fcr Hochleistungs-Stromumwandlungssysteme. <\/p>\n\n\n\n<p>Als Vertreter der dritten Generation von Halbleitermaterialien zeigt SiC aufgrund seiner \u00fcberlegenen physikalischen Eigenschaften ein enormes Anwendungspotenzial in Elektrofahrzeugen, Photovoltaik-Wechselrichtern, industriellen Antrieben und Rechenzentrum-Stromversorgungen. <\/p>\n\n\n\n<p>Dieser Artikel bietet eine eingehende Analyse der technischen Vorteile von SiC-Leistungsmodulen im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen siliziumbasierten Modulen aus mehreren Dimensionen, einschlie\u00dflich Materialeigenschaften, Ger\u00e4teleistung, Verlustmechanismen und Systemeffizienz, und gibt letztendlich eine Auswahlhilfe f\u00fcr technische Anwendungen.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-embed is-type-video is-provider-youtube wp-block-embed-youtube wp-embed-aspect-16-9 wp-has-aspect-ratio\"><div class=\"wp-block-embed__wrapper\">\n<iframe title=\"Infineon: Erleben Sie den Unterschied von Si \/ SiC \/ GaN-Technologie\" width=\"1290\" height=\"726\" src=\"https:\/\/www.youtube.com\/embed\/aake09AW1D8?feature=oembed\" frameborder=\"0\" allow=\"accelerometer; autoplay; clipboard-write; encrypted-media; gyroscope; picture-in-picture; web-share\" referrerpolicy=\"strict-origin-when-cross-origin\" allowfullscreen><\/iframe>\n<\/div><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">I. Vergleich der Schl\u00fcsselkennzahlen von Material und Ger\u00e4t<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">1.1 Grundlegende Unterschiede in den Materialeigenschaften<\/h3>\n\n\n\n<p>SiC und Si weisen grundlegende Unterschiede in den physikalischen Eigenschaften auf, die die Leistungsgrenzen der Ger\u00e4te bestimmen. In Bezug auf die Bandl\u00fcckenbreite misst SiC etwa 3,26 eV, w\u00e4hrend Si nur 1,12 eV aufweist. Dieser fast dreifache Unterschied erm\u00f6glicht es SiC-Ger\u00e4ten, h\u00f6here Betriebstemperaturen und elektrische Feldst\u00e4rken zu tolerieren. Bez\u00fcglich der kritischen Durchbruch-Elektrofeldst\u00e4rke erreicht SiC 2,5-3,0 MV\/cm, fast das Zehnfache von Si (0,3 MV\/cm). Das bedeutet, dass bei gleicher Spannungsbewertung die Driftregion von SiC-Ger\u00e4ten deutlich d\u00fcnner sein kann, was die On-Widerst\u00e4nde erheblich senkt.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Parameter<\/th><th>Silizium (Si)<\/th><th>Siliziumkarbid (4H-SiC)<\/th><th>Technische Implikation<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Bandl\u00fcckenenergie (Eg)<\/td><td>1,12 eV<\/td><td>3,26 eV<\/td><td>Geringerer Leckstrom und bessere Hochtemperaturstabilit\u00e4t<\/td><\/tr><tr><td>Kritische Durchbruch-Elektrofeldst\u00e4rke<\/td><td>~0,3 MV\/cm<\/td><td>~2,5\u20133,0 MV\/cm<\/td><td>D\u00fcnnere Drift-Schicht bei gleicher Spannungsbewertung<\/td><\/tr><tr><td>W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td><td>~1,5 W\/cm\u00b7K<\/td><td>~4,5\u20134,9 W\/cm\u00b7K<\/td><td>Effizientere W\u00e4rmeabfuhr<\/td><\/tr><tr><td>Maximale Sperrtemperatur (Ger\u00e4teebene)<\/td><td>150 \u00b0C<\/td><td>175\u2013200 \u00b0C<\/td><td>Vereinfachtes thermisches Management<\/td><\/tr><tr><td>Intrinsische Ladungstr\u00e4gerkonzentration<\/td><td>Hoch<\/td><td>\u00c4u\u00dferst niedrig<\/td><td>Hervorragende Stabilit\u00e4t bei erh\u00f6hten Temperaturen<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>Die W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit ist ein kritischer Parameter, der die W\u00e4rmeabfuhrleistung von Leistungshalbleitern beeinflusst. Die W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit von SiC betr\u00e4gt 4,9 W\/(cm\u00b7K), etwa das 3,3-fache der von Si (1,5 W\/(cm\u00b7K)). Eine h\u00f6here W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit erm\u00f6glicht es, <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-discrete-mosfet\/\">SiC-Bauelemente<\/a> bei Hochleistungsbetrieb effizienter W\u00e4rme abzuleiten, wodurch die W\u00e4rmeakkumulation reduziert wird. In Bezug auf die ges\u00e4ttigte Elektronengeschwindigkeit erreicht SiC 2,0\u00d710^7 cm\/s, doppelt so viel wie Si (1,0\u00d710^7 cm\/s). Dieser Vorteil f\u00fchrt direkt zu schnelleren Schaltgeschwindigkeiten und geringeren Schaltverlusten.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">1.2 Vergleich der Schl\u00fcsselparameter auf Ger\u00e4teebene<\/h3>\n\n\n\n<p>Auf der tats\u00e4chlichen Ger\u00e4teebene <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-discrete-mosfet\/\">SiC MOSFETs<\/a> zeigen sich \u00fcberlegene Leistungen im Vergleich zu siliziumbasierten IGBTs bei mehreren Kernindikatoren. Bez\u00fcglich des Einschaltwiderstands (Rds(on)) kann bei einer Spannungsbewertung von 1200 V, SiC-MOSFETs einen spezifischen Einschaltwiderstand von nur 1-3 m\u03a9\u00b7cm\u00b2 erreichen, w\u00e4hrend der entsprechende Widerstand bei den gleichen bewerteten Si-IGBTs typischerweise zwischen 5-10 m\u03a9\u00b7cm\u00b2 liegt. Das bedeutet, dass SiC-Bauelemente bei hohem Strombetrieb geringere Leitungsverluste aufweisen.<\/p>\n\n\n\n<p>Die Unterschiede in den Schaltcharakteristika sind noch deutlicher. SiC-MOSFETs, als Mehrtr\u00e4ger-Bauelemente, leiden nicht unter Mindertr\u00e4ger-Speicherwirkungen, mit Schaltzeiten typischerweise im Bereich von 20-50 ns, w\u00e4hrend <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/igbt-module\/\">Silizium-IGBTs<\/a> aufgrund der Notwendigkeit, Mindertr\u00e4ger-Extraktionsprozesse zu bew\u00e4ltigen, 100-300 ns ben\u00f6tigen. Schnellere Schaltgeschwindigkeiten reduzieren nicht nur die Schaltverluste, sondern erm\u00f6glichen auch den Betrieb bei h\u00f6heren Schaltfrequenzen, wodurch das Volumen und Gewicht passiver Komponenten (wie Induktoren und Kondensatoren) verringert werden.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"576\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-1024x576.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4362\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-1024x576.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-300x169.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-768x432.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-18x10.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4-600x338.webp 600w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-4.webp 1365w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<p>Die F\u00e4higkeit der Sperrtemperatur ist ein wichtiger Indikator f\u00fcr die Zuverl\u00e4ssigkeit von Leistungshalbleitern. SiC-Bauelemente k\u00f6nnen maximale Sperrtemperaturen von 175-200\u00b0C erreichen, wobei einige Hochtemperatur-Designs bis zu 250\u00b0C erreichen, w\u00e4hrend herk\u00f6mmliche siliziumbasierte IGBTs typischerweise auf 150-175\u00b0C begrenzt sind. H\u00f6here Sperrtemperaturspielr\u00e4ume bedeuten, dass SiC-Systeme bei gleichen K\u00fchlbedingungen mehr Leistung liefern k\u00f6nnen oder bei gleichen Leistungsbedingungen das thermische Design vereinfachen, was die Systemkosten und das Volumen reduziert.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Parameter<\/th><th>Si IGBT<\/th><th>Hochspannungs-Si-MOSFET<\/th><th>SiC-MOSFET<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Typische Spannungsbewertung<\/td><td>1200 V<\/td><td>600\u2013900 V<\/td><td>650\u20131700 V<\/td><\/tr><tr><td>Leitf\u00e4higkeitseigenschaft<\/td><td>VCE(sat)<\/td><td>Hoher RDS(on)<\/td><td>Deutlich niedrigerer RDS(on)<\/td><\/tr><tr><td>R\u00fcckw\u00e4rts-Erholungsverhalten<\/td><td>Schwerwiegend<\/td><td>Deutlich sichtbar<\/td><td>Nahezu vernachl\u00e4ssigbar<\/td><\/tr><tr><td>Schaltgeschwindigkeit<\/td><td>Langsam<\/td><td>M\u00e4\u00dfig<\/td><td>Schnell (Nanosekundenbereich)<\/td><\/tr><tr><td>Empfohlene Schaltfrequenz<\/td><td>&lt; 20 kHz<\/td><td>&lt; 50 kHz<\/td><td>50\u2013300 kHz<\/td><\/tr><tr><td>Hochtemperaturleistung<\/td><td>M\u00e4\u00dfig<\/td><td>M\u00e4\u00dfig<\/td><td>Ausgezeichnet<\/td><\/tr><tr><td>Gesamter Leistungsverlust<\/td><td>Hoch<\/td><td>Mittel<\/td><td>Niedrig<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">II. Vergleichsanalyse der Ger\u00e4teebenenleistung<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">2.1 Vergleich statischer Eigenschaften<\/h3>\n\n\n\n<p>Im statischen Betriebszustand ist Leitungsverlust die prim\u00e4re Energieverbrauchsquelle. Die Leitungscharakteristik von SiC-MOSFETs zeigt ein ann\u00e4hernd lineares resistives Verhalten, wobei Rds(on) mit der Temperatur zunimmt und einen Temperaturkoeffizienten von etwa 0,6-0,8%\/\u00b0C aufweist. Im Gegensatz dazu umfasst die S\u00e4ttigungsspannungsabfall Vce(sat) <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/igbt-module\/\">Silizium-IGBTs <\/a>sowohl eine feste Schwellenspannungs-Komponente als auch eine resistive Komponente, wobei positive Temperaturkoeffizienten-Eigenschaften dazu f\u00fchren, dass die Leitungverluste bei hohen Temperaturen deutlich ansteigen.<\/p>\n\n\n\n<p>Am Beispiel eines Betriebsstroms von 100A hat ein 1200V SiC-MOSFET (Rds(on)=10m\u03a9) etwa 100W Leitungsverluste, w\u00e4hrend ein gleichwertiger Silizium-IGBT (Vce(sat)=2V) etwa 200W Leitungsverluste aufweist. Unter Leichtlastbedingungen wird der Vorteil der SiC-Bauteile noch deutlicher, da der feste Schwellenspannungsanteil der IGBTs bei niedrigen Str\u00f6men einen h\u00f6heren Anteil hat. Zus\u00e4tzlich erm\u00f6glichen die R\u00fcckleitungseigenschaften von SiC-MOSFETs die Nutzung ihrer Body-Dioden f\u00fcr Freilauf, wodurch externe Freilaufdioden entfallen und die Schaltungstopologie vereinfacht wird.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">2.2 Vergleich dynamischer Eigenschaften<\/h3>\n\n\n\n<p>Der Schaltprozess stellt den bedeutendsten Leistungsunterschied zwischen Leistungshalbleitern dar. Die Einschalt- und Ausschaltprozesse von SiC-MOSFETs werden durch Gate-Ladung gesteuert, und aufgrund ihrer kleineren Eingangs- und R\u00fcckkoppelkapazit\u00e4ten sind die Gate-Antriebsenergieanforderungen geringer. Unter gleichen Gate-Antriebsbedingungen k\u00f6nnen SiC-Bauteile 5-10 Mal schneller schalten als Silizium-IGBTs.<\/p>\n\n\n\n<p>In Bezug auf Schaltverluste, bei einer Schaltfrequenz von 20kHz und einer DC-Bus-Spannung von 600V, haben Silizium-IGBTs Einzel-Schaltverluste (Einschalten + Ausschalten) von etwa 3-5 mJ, w\u00e4hrend SiC-MOSFETs Verluste innerhalb von 0,5-1 mJ aufrechterhalten k\u00f6nnen. Das bedeutet, dass bei gleichen Betriebsbedingungen die Schaltverluste von SiC-Bauteilen nur 20-30% der Silizium-Bauteile betragen. Dieser Vorteil wird mit steigender Schaltfrequenz immer deutlicher. Bei Hochfrequenzanwendungen \u00fcber 100kHz sind die Schaltverluste von Silizium-IGBTs zum prim\u00e4ren Flaschenhals f\u00fcr die Systemeffizienz geworden, w\u00e4hrend SiC-Bauteile weiterhin hohe Effizienz aufrechterhalten k\u00f6nnen.<\/p>\n\n\n\n<p>Bez\u00fcglich parasit\u00e4rer Parameter, <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-discrete-mosfet\/\">SiC MOSFETs<\/a> haben kleinere Ausgangskapazit\u00e4ten (Coss) und r\u00fcckw\u00e4rtige \u00dcbertragungskapazit\u00e4ten (Crss), was nicht nur die Schaltverluste reduziert, sondern auch die Designkomplexit\u00e4t der Ansteuerschaltungen verringert. Es ist jedoch zu beachten, dass die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von SiC-Bauteilen h\u00f6here Anforderungen an das Schaltungsdesign und parasit\u00e4re Induktivit\u00e4ten stellt. Unsachgem\u00e4\u00dfe Gestaltung kann zu starkem Klingeln und EMI-Problemen f\u00fchren.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">2.3 Zuverl\u00e4ssigkeit und Lebensdauer<\/h3>\n\n\n\n<p>Zuverl\u00e4ssigkeit ist ein Kernanliegen f\u00fcr Leistungsmodule in industriellen Anwendungen. Die breitbandige Bandl\u00fccke des SiC-Materials f\u00fchrt zu deutlich niedrigeren intrinsischen Ladungstr\u00e4gerkonzentrationen bei hohen Temperaturen im Vergleich zu Silizium. Das bedeutet, dass SiC-Bauteile auch bei Temperaturen \u00fcber 175\u00b0C stabile Leistungen erbringen k\u00f6nnen, ohne thermisches Durchgehen wie Silizium-Bauteile zu riskieren.<\/p>\n\n\n\n<p>In Bezug auf die Power-Cycling-F\u00e4higkeit erzeugen SiC-Bauteile deutlich weniger W\u00e4rme aufgrund niedrigerer Leitungs- und Schaltverluste, was zu geringeren thermomechanischen Spannungen f\u00fchrt. Unter gleichen Leistungsabgabebedingungen erfahren SiC-Module geringere thermomechanische Belastungen, was die Erm\u00fcdungslebensdauer kritischer Verpackungskomponenten wie L\u00f6t- und Bonddr\u00e4hte direkt verl\u00e4ngert. Echtdaten zeigen, dass bei gleichen Betriebsbedingungen die Power-Cycling-Z\u00e4hlungen f\u00fcr SiC-Module 2-5 Mal h\u00f6her sein k\u00f6nnen als bei Silizium-IGBT-Modulen.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">III. Detaillierte Verlustzusammensetzungsanalyse<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.1 Vergleich der Leitungsverluste<\/h3>\n\n\n\n<p>Leitungsverlust ist der Energieverlust durch endliche Leitf\u00e4higkeit, wenn die Bauteile im Einschaltzustand sind. F\u00fcr SiC-MOSFETs kann der Leitungsverlust als P_cond = I\u00b2\u00b7Rds(on)\u00b7D ausgedr\u00fcckt werden, wobei I der RMS-Strom und D der Tastverh\u00e4ltnis ist. Da Rds(on) einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweist, muss das thermische Design die Widerstandswerte bei maximaler Sperrschichttemperatur ber\u00fccksichtigen.<\/p>\n\n\n\n<p>Bei Silizium-IGBTs wird der Leitungsverlust als P_cond = Vce(sat)\u00b7I_avg + I\u00b2rms\u00b7Rce berechnet, einschlie\u00dflich des festen Spannungsabfalls und resistiver Komponenten. Bei Hochstromanwendungen f\u00fchrt der Vce(sat) des IGBT zu zus\u00e4tzlichen Verlusten, seine Stromf\u00e4higkeit pro Fl\u00e4cheneinheit ist jedoch h\u00f6her. Betrachtet man jedoch die Chipfl\u00e4che und die Kosten umfassend, haben SiC-L\u00f6sungen in Anwendungen mit mittlerer bis hoher Stromdichte weiterhin Vorteile.<\/p>\n\n\n\n<p>In praktischen Anwendungen, am Beispiel eines 10kW photovoltaischen Wechselrichters, sind bei Nennbetriebspunkt die Leitung Verluste bei SiC MOSFETs etwa 80W, w\u00e4hrend sie bei Silizium IGBTs etwa 150W betragen, was eine nahezu 50% Reduktion der Leitung Verluste mit der SiC-L\u00f6sung darstellt.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.2 Vergleich der Schaltverluste<\/h3>\n\n\n\n<p>Schaltverluste sind die Verluste, die w\u00e4hrend des Einschalt- und Ausschaltvorgangs entstehen, wenn Spannung und Strom gleichzeitig \u00fcberlappen. Silizium IGBTs zeigen besonders signifikante Ausschaltverluste aufgrund von Tail-Current-Ph\u00e4nomenen. Tail-Current entsteht durch den Rekombinationsprozess von Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4gern in PN-\u00dcberg\u00e4ngen, was die Ausschaltzeit des IGBT verl\u00e4ngert und die Ausschaltverluste erh\u00f6ht.<\/p>\n\n\n\n<p>SiC MOSFETs, als unipolare Bauelemente, sind nicht von Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4ger-Speicherwirkungen betroffen und haben daher keine Tail-Current-Probleme. Ihr Schaltprozess wird haupts\u00e4chlich durch Gate-Ladung\/-Entladungsgeschwindigkeit und parasit\u00e4re Kapazit\u00e4ten beeinflusst. Unter den gleichen Gate-Ansteuerwiderstand-Bedingungen k\u00f6nnen die Schaltverluste von SiC-Bauelementen um 70-80% reduziert werden.<\/p>\n\n\n\n<p>Die Wahl der Schaltfrequenz beeinflusst die Systemleistung direkt. F\u00fcr Silizium IGBTs wird die Schaltfrequenz typischerweise im Bereich von 10-20kHz gew\u00e4hlt, aufgrund von Begrenzungen bei den Schaltverlusten. SiC MOSFETs k\u00f6nnen bei 50-100kHz oder sogar h\u00f6heren Frequenzen betrieben werden, was nicht nur die dynamische Reaktionsgeschwindigkeit des Systems verbessert, sondern auch das Volumen der magnetischen Komponenten erheblich reduziert. Am Beispiel von Induktivit\u00e4ten mit gleicher Spezifikation kann eine Erh\u00f6hung der Schaltfrequenz von 20kHz auf 100kHz das Volumen und Gewicht der Induktivit\u00e4t um 60-70% verringern.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"576\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-1024x576.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4365\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-1024x576.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-300x169.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-768x432.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-18x10.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3-600x338.webp 600w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-3.webp 1365w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.3 Ansteuerungsverluste und Hilfsverluste<\/h3>\n\n\n\n<p>Ansteuerverluste umfassen Gate-Ladung\/-Entladung-Verluste und den statischen Stromverbrauch der Ansteuerschaltungen. Die Gesamtlade (Qg) von SiC MOSFETs ist typischerweise 30-50% kleiner als bei gleichwertigen Silizium-IGBTs, und die Ansteuerspannungsamplitude ist kleiner (typischerweise -4V\/+15V oder -5V\/+20V), was zu geringeren Energieanforderungen pro Schaltzyklus f\u00fchrt. Da SiC-Systeme jedoch oft bei h\u00f6heren Schaltfrequenzen betrieben werden, k\u00f6nnen die Gesamtansteuerverluste nicht unbedingt sinken, was umfassende Abw\u00e4gungen im Systemdesign erfordert.<\/p>\n\n\n\n<p>Dead-Time-Verluste beeinflussen ebenfalls die Systemeffizienz. Um Durchschalten in Br\u00fcckenarmen zu vermeiden, muss zwischen den Schaltvorg\u00e4ngen der oberen und unteren Schaltger\u00e4te eine Dead-Time eingestellt werden. W\u00e4hrend dieser Dead-Time schwingt der Strom durch Body-Dioden oder Anti-Parallel-Dioden, was zus\u00e4tzliche Verluste verursacht. Die Eigenschaften der Body-Diode von SiC MOSFETs sind \u00fcberlegen gegen\u00fcber den Freilaufdioden von Silizium IGBTs, und aufgrund der schnellen Schaltgeschwindigkeiten k\u00f6nnen k\u00fcrzere Dead-Times eingestellt werden (100-200ns vs 500-1000ns), wodurch Dead-Time-Verluste reduziert werden.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"has-text-align-center\"><strong>Die Verlustzusammensetzung bei 1200 V \/ 10-20 A<\/strong><\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Verlustkomponente<\/th><th>Si IGBT<\/th><th>SiC-MOSFET<\/th><th>Typischer Trend<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Leitungsverlust<\/td><td>Mittel<\/td><td>Niedrig<\/td><td>\u2193 20\u201350%<\/td><\/tr><tr><td>Einschalt-Schaltverlust (Eon)<\/td><td>Hoch<\/td><td>Sehr niedrig<\/td><td>\u2193 60\u201380%<\/td><\/tr><tr><td>Ausschalt-Schaltverlust (Eoff)<\/td><td>Hoch<\/td><td>Niedrig<\/td><td>\u2193 50\u201370%<\/td><\/tr><tr><td>Dioden-R\u00fcckw\u00e4rtswiderstandsverlust<\/td><td>Hoch<\/td><td>Extrem niedrig<\/td><td>\u2193 &gt;80%<\/td><\/tr><tr><td>Gesamter Ger\u00e4teverlust<\/td><td>Basislinie<\/td><td>Deutlich reduziert<\/td><td>\u2193 30\u201350% (typisch)<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">IV. Vergleich der Systemeefizienz in typischen Anwendungsszenarien<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.1 Elektrische Fahrzeugantriebssysteme<\/h3>\n\n\n\n<p>Hauptantriebswechselrichter f\u00fcr Elektrofahrzeuge stellen das repr\u00e4sentativste Anwendungsszenario f\u00fcr SiC-Technologie dar. Unter WLTC-Fahrzyklen arbeiten Motoren h\u00e4ufig im Teillastbereich, bei dem die Effizienz bei Leerlaufbedingungen entscheidend ist. Wechselrichter mit SiC-L\u00f6sungen k\u00f6nnen im Lastbereich von 10-30% Effizienzsteigerungen von 2-4% erzielen und bei Volllast Effizienzsteigerungen von 1-2%. Wenn man den gesamten Fahrzyklus ber\u00fccksichtigt, verbessert sich die Systemeefizienz von 94-95% bei herk\u00f6mmlichen Siliziuml\u00f6sungen auf 97-98%.<\/p>\n\n\n\n<p>Diese Effizienzsteigerung f\u00fchrt direkt zu einer erh\u00f6hten Reichweite. F\u00fcr Fahrzeuge mit 80kWh-Batteriepacks entspricht eine Effizienzsteigerung von 2% etwa 10-15 km zus\u00e4tzlicher Reichweite. Dar\u00fcber hinaus kann durch die reduzierte Verlustleistung der SiC-Bauteile das Volumen des K\u00fchlk\u00f6rpers um 30-40% verringert werden, das Gesamtvolumen des Wechselrichters um 20-30% reduziert und das Gewicht um 15-20% gesenkt werden. Dies ist besonders bei platzbeschr\u00e4nkten Fahrzeuganwendungen und strengen Leichtbauanforderungen von Bedeutung.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"576\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-1024x576.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4363\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-1024x576.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-300x169.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-768x432.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-18x10.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1-600x338.webp 600w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/IGBT-application-1.webp 1344w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.2 Photovoltaik-Grid-gekoppelte Wechselrichter<\/h3>\n\n\n\n<p>Photovoltaik-Wechselrichter m\u00fcssen eine hohe Effizienz \u00fcber weite Eingangsspannungs- und Ausgangsleistungsbereiche aufrechterhalten. Nach der Verwendung von SiC-Bauteilen k\u00f6nnen Wechselrichter eine Zweistufen-Topologie verwenden, um die traditionelle Dreistufen-Topologie zu ersetzen, wodurch die Boost-Stufe entf\u00e4llt und die Systemkomplexit\u00e4t vereinfacht wird. Bei CEC-gewichteten Effizienztests (US-Standard) oder europ\u00e4ischen Effizienztests k\u00f6nnen SiC-L\u00f6sungen Spitzenwirkungsgrade von 98,5-99% erreichen, deutlich h\u00f6her als die 97-98% bei Siliziuml\u00f6sungen.<\/p>\n\n\n\n<p>Wichtiger ist, dass die Effizienzvorteile von SiC-Wechselrichtern unter schwachem Licht (Nennleistung 10-30%) ausgepr\u00e4gter sind und die Effizienz \u00fcber 95% halten, w\u00e4hrend Siliziuml\u00f6sungen bei diesen Bedingungen typischerweise auf 90-93% absinken. Da Photovoltaiksysteme den gr\u00f6\u00dften Teil des Jahres im mittleren bis niedrigen Leistungsbereich betrieben werden, k\u00f6nnen SiC-L\u00f6sungen die j\u00e4hrliche Energieerzeugung um 1,5-2,5% erh\u00f6hen, was wichtige Auswirkungen auf die Investitionsrendite gro\u00dfer Photovoltaik-Kraftwerke hat.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.3 Rechenzentrum-Server-Stromversorgungen<\/h3>\n\n\n\n<p>Rechenzentren haben \u00e4u\u00dferst strenge Anforderungen an die Energieeffizienz, wobei die 80 PLUS Titanium-Zertifizierung eine Effizienz von 90-96% bei Lasten von 20-100% erfordert. PFC (Power Factor Correction)-Schaltungen und LLC-Resonanzwandler mit SiC-Bauteilen k\u00f6nnen bei h\u00f6heren Frequenzen (200-500kHz) betrieben werden, wobei die magnetischen Komponentenvolumina um \u00fcber 60% reduziert werden und die Leistungsdichte von 20-30 W\/in\u00b3 bei herk\u00f6mmlichen L\u00f6sungen auf 50-100 W\/in\u00b3 verbessert wird.<\/p>\n\n\n\n<p>In der Praxis sind Effizienzsteigerungen auf Rechenzentrumsebene \u00e4u\u00dferst bedeutend. F\u00fcr ein Rechenzentrum mit 10MW Leistung bedeutet eine Effizienzsteigerung von 1% Einsparungen von Hunderttausenden von Euro bei den Stromkosten j\u00e4hrlich und eine Reduzierung der entsprechenden K\u00fchlanforderungen und CO2-Emissionen. Zudem erm\u00f6glichen kleinere Leistungsmodulvolumina den Servern, mehr Recheneinheiten aufzunehmen, was die gesamte Rechenkapazit\u00e4t erh\u00f6ht.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"768\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-1024x768.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4366\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-1024x768.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-300x225.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-768x576.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-1536x1152.webp 1536w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-16x12.webp 16w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery-600x450.webp 600w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/data-center-gallery.webp 1732w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.4 Industrielle Motorantriebe<\/h3>\n\n\n\n<p>In industriellen Wechselrichteranwendungen zeigen SiC-L\u00f6sungen Vorteile in einem breiteren Drehzahlregelungsbereich und h\u00f6heren dynamischen Reaktionsgeschwindigkeiten. Durch die Erh\u00f6hung der Schaltfrequenzen \u00fcber 50kHz wird die Motordrehmomentwelligkeit deutlich reduziert, und die Ger\u00e4uschpegel sinken um 10-15 dB, was besonders f\u00fcr hochpr\u00e4zise Servosysteme und Anwendungen mit niedrigen Ger\u00e4uschanforderungen wichtig ist. In Bezug auf die Systemeefizienz kann die Nennbetriebsbedingung von 92-94% auf 95-97% verbessert werden, was bei ganzj\u00e4hrigem Betrieb erhebliche Energieeinsparungen bedeutet.<\/p>\n\n\n\n<p>F\u00fcr Hochleistungstransportsysteme (wie Ventilatoren und Pumpen) erm\u00f6glicht die Verwendung von SiC-Bauteilen eine feinere Geschwindigkeitsregelung und erzielt durch optimierte Betriebsbedingungen zus\u00e4tzliche Energieeinsparungen von 5-10%. Durch die Kombination von Effizienzsteigerungen der Bauteile und Systemoptimierung kann das Gesamteinsparungspotenzial 10-15% erreichen.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Anwendungsfelder<\/th><th>GaN<\/th><th>SiC<\/th><th>Effizienzsteigerung<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Photovoltaischer Wechselrichter (50-100 kW)<\/td><td>97.5-98.2%<\/td><td>98.5-99.0%<\/td><td>+0.8-1.5%<\/td><\/tr><tr><td>Traktions-PCS (100-250 kW)<\/td><td>97-98%<\/td><td>98.5-99%<\/td><td>+1-2%<\/td><\/tr><tr><td>EV OBC (6-11 kW)<\/td><td>94-95%<\/td><td>96-97%<\/td><td>+1.5-2%<\/td><\/tr><tr><td>USV (Gewerblich)<\/td><td>96-97%<\/td><td>98-99%<\/td><td>+1-2%<\/td><\/tr><tr><td>Gleichstrom\/ Gleichstrom Wandler<\/td><td>95-96%<\/td><td>97-98%<\/td><td>+1-2%<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">V. Zusammenfassung der Leistungsmerkmale und Vorteile von SiC-Leistungssmodulen<\/h2>\n\n\n\n<p>Zusammenfassend l\u00e4sst sich sagen, dass die Kernvorteile von SiC-Leistungssmodulen wie folgt sind:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Effizienzsteigerung<\/strong>: In typischen Anwendungen kann die Systemeffizienz um 2-5 Prozentpunkte verbessert werden, wobei die Vorteile bei Teilbelastung noch deutlicher sind. Diese Verbesserung reduziert nicht nur die Betriebskosten, sondern entspricht auch den globalen Trends zur Energieeinsparung und Emissionsreduzierung.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Leistungsdichte<\/strong>: Durch erh\u00f6hte Schaltfrequenz und verringerte W\u00e4rmeentwicklung k\u00f6nnen passive Komponenten und K\u00fchlk\u00f6rper erheblich verkleinert werden, wobei die Systemleistungsdichte um das 2-3-fache steigt. Dies ist entscheidend f\u00fcr platzbeschr\u00e4nkte Anwendungen (wie Automobil- und Luftfahrtindustrie).<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Hochtemperaturf\u00e4higkeit<\/strong>: H\u00f6here Sperrschichttemperaturspielr\u00e4ume erm\u00f6glichen einen zuverl\u00e4ssigen Betrieb in rauen Umgebungen oder eine vereinfachte thermische Konstruktion bei gleicher Umgebungstemperatur, was die Systemkosten senkt. In einigen Anwendungen kann sogar passive K\u00fchlung erreicht werden, wodurch L\u00fcfter vollst\u00e4ndig entfallen und die Zuverl\u00e4ssigkeit steigt.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Dynamische Leistung<\/strong>: Schnellere Schaltgeschwindigkeiten f\u00fchren zu einer besseren dynamischen Systemreaktion, was bei Anwendungen mit schnellen Lastwechseln (wie Motorantriebe und Netzst\u00fctzung) von Vorteil ist.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Zuverl\u00e4ssigkeitssteigerung<\/strong>: Geringere thermische Belastung und h\u00f6here Materialstabilit\u00e4t verl\u00e4ngern die Lebensdauer der Module und senken Wartungskosten, was besonders bei Anwendungen mit einer Lebensdauer von 25+ Jahren wie Wind- und Solarenergie kritisch ist.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">VI. Schlussfolgerungen und Empfehlungen f\u00fcr die technische Auswahl<\/h2>\n\n\n\n<p>In praktischen technischen Anwendungen erfordert die Auswahl zwischen SiC- und Si-Leistungssmodulen eine sorgf\u00e4ltige Abw\u00e4gung der Leistungsanforderungen, Kostenbudgets und der Reife der Technologie sowie anderer Faktoren.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Stark empfohlene SiC-Szenarien<\/strong>: Hauptantriebswechselrichter f\u00fcr Elektrofahrzeuge, Onboard-Ladeger\u00e4te (OBC), Hochleistungs-Photovoltaik-Wechselrichter (insbesondere String- und Wohnsysteme), Hochleistungs-Stromversorgungen f\u00fcr Rechenzentren, Hochgeschwindigkeits-Motorantriebe und Luft- und Raumfahrt-Stromversorgungssysteme. In diesen Anwendungen k\u00f6nnen die Leistungsmerkmale von SiC voll ausgenutzt werden, und die Systemwirtschaftlichkeit \u00fcbertrifft bereits Siliziuml\u00f6sungen.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Optionale SiC-Szenarien<\/strong>: Industrielle Mittel- bis Hochleistungs-Wechselrichter, Energiespeicherwandler (PCS), Ladestationen, USV-Stromversorgungen, Schwei\u00dfstromquellen. In diesen Anwendungen kann SiC signifikante Leistungsverbesserungen bringen, aber eine Bewertung basierend auf der spezifischen Projektkostensensitivit\u00e4t ist erforderlich. Derzeit steigen die Durchdringungsraten in diesen Bereichen aufgrund der schnell sinkenden Preise f\u00fcr SiC-Bauteile rasch an.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Verschiebung der SiC-Einf\u00fchrungs-Szenarien<\/strong>: G\u00fcnstige Haushaltsger\u00e4teantriebe, Niedrigleistungsadapter, ausgereifte Retrofit-L\u00f6sungen f\u00fcr industrielle Ger\u00e4te mit niedriger Frequenz (unter 10 kHz). In diesen Anwendungen sind die Leistungsanforderungen relativ gering, und die Kosten sind die prim\u00e4re \u00dcberlegung. Traditionelle Siliziuml\u00f6sungen bieten weiterhin bessere Kosten-Leistungs-Verh\u00e4ltnisse.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Wichtige Auswahlkriterien<\/strong>: Zun\u00e4chst sollten die spezifischen Anforderungen an Effizienz, Leistungsdichte und Betriebstemperatur bewertet werden. Zweitens ist der Einfluss der Produktionsmenge auf die Kosten zu ber\u00fccksichtigen (SiC-Einheitspreise sind bei hohen St\u00fcckzahlen wettbewerbsf\u00e4higer). Drittens sollte die Kompetenz des Teams im Umgang mit SiC-Technologie bewertet werden, einschlie\u00dflich Erfahrung in Schaltungsdesign, Layout und EMV-Handhabung.<\/p>\n\n\n\n<p>Aus Sicht des technologischen Entwicklungstrends sinken die Kosten f\u00fcr SiC-Bauteile j\u00e4hrlich um 20-30%, w\u00e4hrend die Leistung kontinuierlich verbessert wird. 1200V- und 650V-Spannungsklassen-SiC-MOSFETs sind in gro\u00df angelegten kommerziellen Anwendungen im Einsatz, und Hochspannungs-SiC-Bauteile \u00fcber 3300V reifen rasch. In der Verpackungstechnologie verbessern Innovationen wie doppelseitige K\u00fchlung und eingebettete Verpackungen die Moduleigenschaften weiter. Bis 2030 wird erwartet, dass SiC-Bauteile die mittel- bis hochleistungsf\u00e4higen (\u00fcber 10 kW) leistungselektronischen Systeme dominieren.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"412\" src=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-1024x412.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-4237\" srcset=\"https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-1024x412.webp 1024w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-300x121.webp 300w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-768x309.webp 768w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-1536x617.webp 1536w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-2048x823.webp 2048w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-18x7.webp 18w, https:\/\/hiitiosemi.b-cdn.net\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/HIITIOSEMI-Official-Website-600x241.webp 600w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<p>F\u00fcr Ingenieure stellt die aktuelle Phase ein kritisches Fenster zum Lernen und Beherrschen der SiC-Technologie dar. Es wird empfohlen, <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-module\/\">SiC-L\u00f6sungen<\/a> bereits in der fr\u00fchen Planungsphase neuer Projekte zu ber\u00fccksichtigen, um Technologievoruntersuchungen und Kleinserienvalidierungen durchzuf\u00fchren. Selbst wenn aktuelle Projekte noch auf Siliziuml\u00f6sungen setzen, sollten Schnittstellen und Platz f\u00fcr zuk\u00fcnftige Technologie-Upgrades reserviert werden. Gleichzeitig m\u00fcssen die Besonderheiten von SiC-Bauteilen beachtet werden, wie Gate-Treiberspannungsbereiche, Kurzschlussbest\u00e4ndigkeit und Miller-Kapazit\u00e4ten, mit gezielten Ma\u00dfnahmen im Schaltungsdesign und PCB-Layout.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Fazit<\/h2>\n\n\n\n<p>SiC-Leistungshalbleitermodule stellen die Entwicklungslinie der Leistungselektronik dar. Ihre umfassenden Vorteile gegen\u00fcber herk\u00f6mmlichen Silizium-basierten Modulen treiben leistungselektronische Systeme zu h\u00f6herer Effizienz, h\u00f6herer Leistungsdichte und h\u00f6herer Zuverl\u00e4ssigkeit voran. Obwohl die aktuellen Kosten f\u00fcr SiC-Bauteile noch h\u00f6her sind als die f\u00fcr Silizium, haben die umfassenden Vorteile auf Systemebene, einschlie\u00dflich Effizienzsteigerungen, Volumenreduzierungen und thermischer Vereinfachung, bereits in zahlreichen Anwendungen wirtschaftliche Vorteile gezeigt. Mit der Reife der Lieferkette und dem Entstehen von Skaleneffekten <a href=\"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/product-category\/sic-module\/\">SiC-Technologie<\/a> werden sie unweigerlich eine zentrale Rolle in der zuk\u00fcnftigen gr\u00fcnen Energiewende spielen. Ingenieure sollten die Entwicklungstrends genau verfolgen und SiC-L\u00f6sungen zum richtigen Zeitpunkt einf\u00fchren, um die technische Wettbewerbsf\u00e4higkeit der Produkte und die Marktf\u00fchrerschaft zu sichern.<\/p>\n\n\n\n<p><\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsschaltmodule revolutionieren Antriebe f\u00fcr Elektrofahrzeuge, Rechenzentren und erneuerbare Energiesysteme mit Effizienzsteigerungen von 2-5% und einer 3-mal h\u00f6heren Leistungsdichte im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Silizium-IGBTs.<\/p>","protected":false},"author":3,"featured_media":4363,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[32],"tags":[],"class_list":["post-4358","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-blog"],"blocksy_meta":[],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4358","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/3"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=4358"}],"version-history":[{"count":6,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4358\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":4386,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/4358\/revisions\/4386"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/4363"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=4358"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=4358"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.hiitiosemi.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=4358"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}