DE 
EN 
ZH 
ES 
ED3 1200V 900A SIC-Leistungsmodul
Der HCS900FH120D3C1 ist ein Halbbrieten-SiC-MOSFET-Leistungsschütz. Er integriert Hochleistungs-SiC-MOSFET-Chips, die für Anwendungen wie Motorantriebe und erneuerbare Energien entwickelt wurden.
Beschreibung
Merkmale
- Sperrspannung 1200V
- RDS(on) = 2,0 mΩ
- Niedrige thermische Widerstand mit Si3N4 AMB
- Maximale Sperrschichttemperatur 175°C
- Thermistor eingebaut
- Niedrige Schaltverluste
Anwendungen
- xEV-Anwendungen
- Motorantriebe
- Schnellladegeräte für Fahrzeuge
- Smart – Netz/Netzgekoppelte dezentrale Erzeugung
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC |
|---|---|
| Gehäuse | Econo Dual 3A |
| Eigenschaft | C1 |
| Schaltbild | Halbbrücke |
| Sperrspannung (V) | 1200 |
| Modulstrom (A) | 900 |
| RDS(on) (mΩ) | 2 |
| Tjmax (℃) | 175 |
