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E4 1200V 300A SIC-Leistungsmodul
Das HCH10FA120E2C1 ist ein 3-stufiges Leistungsmodul, das 1200V SiC-MOSFET-Chips und 1200V IGBT-Chips integriert. Es ist für Anwendungen wie Solarwechselrichter, Hochfrequenzschaltungen und Energiespeichersysteme konzipiert.
Beschreibung
Merkmale
- Blockierspannung: 1200V
- Rds(on): 4,3 mΩ @ VGS = 18V
- Niedrige Schaltverluste
- Hohe Stromdichte
- PressFIT-Kontaktechnologie
- Maximale Sperrschichttemperatur 175°C
- Integrierter Thermistor
Anwendungen
- Solarsysteme
- Dreistufige Anwendungen
- Energiespeichersysteme
- Hochfrequenzschaltungen
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC/Si-Hybrid |
|---|---|
| Gehäuse | HPD |
| Eigenschaft | C1 |
| Schaltbild | ANPC |
| Sperrspannung (V) | 1200 |
| Modulstrom (A) | 300 |
| RDS(on) (mΩ) | 4.3 |
