E2 1200V 200A SIC Leistungsmodule

Das HCS06FH120E2A2 ist ein Halbwellen-SiC-MOSFET-Leistungsmodule. Es integriert Hochleistungs-SiC-MOSFET-Chips, die für Anwendungen wie Solarwechselrichter, USV-Systeme, Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler und Energiespeichersysteme entwickelt wurden.

Kategorie:

Beschreibung

Merkmale

  • Blockierspannung: 1200V
  • Rds(on): 6,0mΩ
  • Niedrige Schaltverluste
  • Maximale Sperrschichttemperatur 175°C
  • Integrierter Thermistor

Anwendungen

  • Solarsysteme
  • Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
  • Energiespeichersysteme

Zusätzliche Informationen

Modul

SiC

Gehäuse

Easy 2B

Eigenschaft

A2

Schaltbild

Halbbrücke

Sperrspannung (V)

1200

Modulstrom (A)

200

RDS(on) (mΩ)

6

Tjmax (℃)

175

Wie können wir Ihnen helfen?

Erhalten Sie eine individuelle IGBT-Lösung

Teilen Sie uns Ihre Projektanforderungen mit, und unser Engineering-Team wird innerhalb von 24 Stunden maßgeschneiderte Empfehlungen geben.

Werbeformular

Ressourcen herunterladen

Zugriff auf Datenblätter und detaillierte Einblicke in IGBT-Halbleiter, um Ihr nächstes Projekt zu unterstützen.

SEO-Popup-Formular

Powered by HIITIO – Alle Rechte vorbehalten.  Datenschutzrichtlinie

Bleiben Sie in Kontakt

Erhalten Sie wichtige Updates und IGBT-Einblicke, bevor Sie gehen.

Verlängerungsformular

Sprechen Sie mit unseren Produktexperten

Kontaktformular