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E0 1200V 150A SIC-Leistungsschütz
The HCS09FC120E1Q1 is a half bridge SiC MOSFET Power Module. It integrates high
performance SiC MOSFET chips designed for applications such as Solar Inverter Systems, Fuel cell-DC/DC converters, Uninterruptible Power suppliers, and Energy Storage Systems.
Beschreibung
Merkmale
- Sperrspannung: 1200V
- 9,2 mΩ Rds(on)@Tj = 25 °C
- 150 A bei Tf = 75 °C
- Maximale Sperrschichttemperatur 175°C
- Geringer Wärmewiderstand mit Si3N4AMB
- Niedrige Schaltverluste
- Thermistor eingebaut
Anwendungen
- xEV-Anwendungen
- Wandler
- Schnellladegeräte für Fahrzeuge
- Erneuerbar
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC |
|---|---|
| Gehäuse | Easy 1B |
| Eigenschaft | Q1 |
| Schaltbild | FT: Dreiphasig |
| Sperrspannung (V) | 1200 |
| Modulstrom (A) | 150 |
| RDS(on) (mΩ) | 9 |
| Tjmax (℃) | 175 |
