DE 
EN 
ZH 
ES 
650V 450A Einfaches 3B IGBT-Leistungsmodul
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
- Gleichstrom-Kollektorstrom (ICDC): 335A (T1/T4), 299A (T2/T3)
- Repetitiver Spitzen-Kollektorstrom (ICRM): 900A (T1/T4), 640A (T2/T3)
- Gesamte Leistungsaufnahme (Ptot): 442W (T1/T4), 358W (T2/T3)
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20V
- Betriebs-Übergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
- Wärmeleitfähigkeit (RthJH): 0,215 K/W (T1/T4), 0,265 K/W (T2/T3)
Beschreibung
Das HCG450FL065E3RE ist ein hocheffizientes 650V 450A IGBT-Modul von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., speziell für I-Typ 3-Level NPC-Inverteranwendungen entwickelt. Mit Trench-Gate/Field-Stop-Technologie bietet es niedrigen VCEsat, reduzierte Schaltverluste und einen positiven Temperaturkoeffizienten für optimale Leistung. Das Modul verfügt über eine Al2O3 Substrat für geringe thermische Widerstände, ein kompaktes Niedrig-Induktivitäts-Design und DBC-Technologie für überlegene Wärmeableitung, was die Zuverlässigkeit in Hochleistungs-Systemen gewährleistet.
Hauptmerkmale:
- 650V 3-Level-NPC-Topologie: Optimiert für Hochleistungs-Wechselrichter.
- Niedriges VCEsat & Schaltverluste: Verbessert die Effizienz bei Hochfrequenzbetrieb.
- Al2O3 Substrat: Bietet niedrigen thermischen Widerstand für zuverlässige Leistung.
- Kompaktes Niedriginduktionsdesign: Minimiert EMI und verbessert die Stabilität.
- DBC-Technologie: Verbessert die Wärmeableitung für eine verlängerte Lebensdauer.
- Vielfältige Anwendungen: Geeignet für USV, Solar, APF/SVG und 3-Level-Systeme.
Zusätzliche Informationen
| Modul | IGBT |
|---|---|
| Gehäuse | Einfach 3B |
| Eigenschaft | RE |
| Schaltbild | FL: 3-stufig, I-Typ, NPC-Inverter |
| Sperrspannung (V) | 650 |
| Modulstrom (A) | 450 |
