650V 450A Einfaches 3B IGBT-Leistungsmodul

  • Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
  • Gleichstrom-Kollektorstrom (ICDC): 320A
  • Repetitiver Spitzen-Kollektorstrom (ICRM): 900A
  • Gesamte Leistungsaufnahme (Ptot): 396W
  • Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20V
  • Betriebs-Übergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
  • Wärmeleitfähigkeit (RthJH): 0,24 K/W
Kategorie:

Beschreibung

Das HCG450FL065E3FC ist ein Hochleistungs-650V-450A-IGBT-Modul von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., entwickelt für 3-Level-NPC-Inverteranwendungen. Mit Trench-Gate/Feld-Stop-Technologie bietet es niedrigen VCEsat, geringe Schaltverluste und einen positiven Temperaturkoeffizienten für überlegene Effizienz. Das Modul enthält einen integrierten Gleichstromkondensator, eine Al2O3 Substrat für geringe thermische Widerstände und Kupfer-Substrattechnologie für verbesserte thermische Verwaltung und Zuverlässigkeit.

Hauptmerkmale:

  • 650V 3-Level-NPC-Topologie: Optimiert für Hochleistungs-Wechselrichter.
  • Niedriges VCEsat & Schaltverluste: Verbessert die Effizienz bei Hochfrequenzbetrieb.
  • Integrierter Gleichstromkondensator: Verbessert die Schaltungsstabilität.
  • Al2O3 & Kupfer-Substrat: Überlegene Wärmeleitfähigkeit und Zuverlässigkeit.
  • Niedriginduktives Design: Reduziert EMI für stabile Leistung.
  • Vielfältige Anwendungen: Geeignet für PCS, USV, Solar- und APF/SVG-Systeme.

Zusätzliche Informationen

Modul

IGBT

Gehäuse

Einfach 3B

Eigenschaft

FC

Schaltbild

FL: 3-stufig, I-Typ, NPC-Inverter

Sperrspannung (V)

650

Modulstrom (A)

450

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