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650V 375A Einfach 3B IGBT-Leistungsschaltung
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
- Gleichstrom-Kollektorstrom (ICDC): 285A
- Repetitiver Spitzen-Kollektorstrom (ICRM): 750A
- Gesamte Leistungsaufnahme (Ptot): 380W
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20V
- Betriebs-Übergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
- Isolationsspannung (Visol): 3,0kV RMS
Beschreibung
Das HCG375FL065E3RC ist ein hocheffizientes 650V 375A IGBT-Modul von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., entwickelt für 3-Level-NPC-Inverteranwendungen. Mit fortschrittlicher Graben-Gate/Field-Stop-Technologie bietet es niedrigen VCEsat, geringe Schaltverluste und einen positiven Temperaturkoeffizienten für verbesserte Leistung. Das Modul integriert einen Gleichstromkondensator, eine Al2O3 Substrat für geringe thermische Widerstände und DBC-Technologie für einen isolierten Kühlkörper, was eine hervorragende thermische Verwaltung und Zuverlässigkeit gewährleistet.
Hauptmerkmale:
- 650V 3-Level-NPC-Topologie: Optimiert für Hochleistungs-Wechselrichter.
- Niedriges VCEsat & Schaltverluste: Maximiert die Effizienz bei Hochfrequenzbetrieb.
- Integrierter Gleichstromkondensator: Verbessert die Schaltungsstabilität.
- Al2O3 Substrat & DBC-Technologie: Überlegene Wärmeleitfähigkeit und Isolierung.
- Niedriginduktives Design: Minimiert EMI für einen stabilen Betrieb.
- Vielfältige Anwendungen: Geeignet für PCS, USV, Solar- und APF/SVG-Systeme.
Zusätzliche Informationen
| Modul | IGBT |
|---|---|
| Gehäuse | Einfach 3B |
| Eigenschaft | RC |
| Schaltbild | FL: 3-stufig, I-Typ, NPC-Inverter |
| Sperrspannung (V) | 650 |
| Modulstrom (A) | 375 |
