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650V 150A IGBT-Leistung
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
- Gleichstrom-Kollektorstrom (ICDC): 125A
- Repetitiver Spitzen-Kollektorstrom (ICRM): 300A
- Gesamte Leistungsaufnahme (Ptot): 173W
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20V
- Betriebs-Übergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
- Isolationsspannung (Visol): 3,0kV RMS
Beschreibung
Das HCG150FL065E2RB ist ein robustes 650V 150A IGBT-Modul, entwickelt von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd. für Hochleistungsanwendungen. Mit einem 650V Trench-Gate/Field-Stop-Prozess bietet es geringe EMI, reduzierte Schaltverluste und einen positiven VCEsat-Temperaturkoeffizienten für stabile Leistung. Sein Al2O3-Substrat sorgt für geringe thermische Widerstände und verbessert die Wärmeabfuhr in anspruchsvollen Umgebungen.
Hauptmerkmale:
- 650V Trench-Gate/Field-Stop-Technologie: Minimiert EMI und maximiert die Effizienz.
- Niedrige Schaltverluste: Optimiert die Leistung bei Hochfrequenzbetrieb.
- Positives VCEsat Temperaturkoeffizient: Sichert einen konstanten Betrieb über verschiedene Temperaturen.
- Al2O3 Substrat: Geringer thermischer Widerstand für effektives Wärmemanagement.
- Robustes und kompaktes Design: Integrierte Klemmen für einfache, langlebige Montage.
- Vielseitige Anwendungen: Perfekt für 3-Level-Systeme, PCS, USV und mehr.
Zusätzliche Informationen
| Modul | IGBT |
|---|---|
| Gehäuse | Easy 2B |
| Eigenschaft | RB |
| Schaltbild | FL: 3-stufig |
| Sperrspannung (V) | 650 |
| Modulstrom (A) | 150 |
