1700V 450A IGBT-Modul, E6-Gehäuse, mit FWD und NTC

  • 1700V Kollektor-Emitter-Spannung, 450A Nennstrom
  • Niedriges VCE(sat) mit positiver Temperaturkoeffizient
  • Integrierte Freilaufdiode und Temperatursensor
  • Hohe Kurzschlussfestigkeit (10 μs)
  • Isolierte Grundplatte und Standard E6-Gehäuse
  • Hohe Leistungsdichte, optimierte thermische Leistung
Kategorie:

Beschreibung

Der HCG450FH170D3K5 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul mit einer 1700V Graben-Gate- und Feldstop-Struktur. Es verfügt über eine integrierte Freilaufdiode (FWD) und einen NTC-Thermistor, die bieten geringe Leitungsverluste, hohe Leistungsdichte und zuverlässige Kurzschlussfestigkeit. Entwickelt mit einer isolierten Grundplatte und einem Standard E6-Gehäuse, sorgt dieses Modul für eine robuste Leistung in industriellen und erneuerbaren Energien Anwendungen.

Maximale Bewertungen

Parameter Symbol Bedingung Wert Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung VCES VGE=0V,Ty=25℃ 1700 V
Gleichstrom-Kollektorstrom lc Tc=118℃,Tvjmax=175℃ 450 A
Spitzen-Kollektorstrom ICM tp=1ms 900 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung VGES ±20 V
Gesamtleistung dissipiert Ptot Tc=25℃,Tvjmax=175℃ 2630 W
Repetitive Spitzensperrspannung VRRM Tvj=25℃ 1700 V
Ständiger Gleichstromdurchlassstrom IF 450 A
Repetitiver Spitzendurchlassstrom IFRM tp=1ms 900 A
IGBT-Kurzschlusswiderstandsfähigkeitszeit tpsc 10 μs
Maximale Anschluss-Temperatur Tvjmax 175
Betriebstemperatur der Verbindung Tvjop -40~150
Speichertemperatur Tstg -40~125

Zusätzliche Informationen

Modul

IGBT

Gehäuse

E6

Schaltbild

Halbbrücke

Sperrspannung (V)

1700

Modulstrom (A)

450

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