1700V 450A IGBT-Modul, E6-Gehäuse, mit FWD und NTC

  • 1700V Kollektor-Emitter-Spannung, 450A Nennstrom
  • Niedriges VCE(sat) und niedriger Schaltverlust
  • Integrierte Freilaufdiode und NTC-Thermistor
  • Positiver Temperaturkoeffizient, hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Kurzschlussfestigkeit (10μs)
  • E6-Gehäuse, kompaktes und robustes Design
Kategorie:

Beschreibung

Das HCG450FH170D3K4 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul mit einer 1700V Graben-Gate- und Feldstop-Struktur, ausgestattet mit einer integrierten Freilaufdiode (FWD) und NTC-Thermistor. Mit einem Nennkollektorstrom von 450A bietet es niedrigen Schaltverlust, hohe Zuverlässigkeit und hervorragende Kurzschlussfestigkeit.

Maximale Bewertungen

Parameter Symbol Bedingung Wert Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung VCES Tvj=25℃ 1700 V
Gleichstrom-Kollektorstrom lc Tc=105℃,Tvjmax=175℃ 450 A
Spitzen-Kollektorstrom ICM tp=1ms 900 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung VGES ±20 V
Maximale Leistungsaufnahme PD Tc=25℃,Tvjmax=175℃ 2500 W
IGBT-Kurzschlussfestigkeit tpsc 10 μs
Maximale Anschluss-Temperatur Tvjmax 175
Betriebstemperatur der Verbindung Tvjop -40~150
Speichertemperatur Tstg -40~125

Zusätzliche Informationen

Modul

IGBT

Gehäuse

E6

Schaltbild

Halbbrücke

Sperrspannung (V)

1700

Modulstrom (A)

450

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