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1200V 40mΩ Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET TO-247-4L
- 1200V hohe Sperrspannung mit 40mΩ RDS(on)
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger parasitärer Kapazität
- Widerstandsfähig gegen Latch-up, einfach zu parallelisieren, leicht zu treiben
- Zuverlässiger Betrieb bis zu einer Sperrschichttemperatur von 175℃
- Halogenfrei, RoHS-konform
- Ausgezeichnete thermische Leistung mit geringem Schaltverlust
Beschreibung
Der HCM75S12T4K3 ist ein 1200V 75mΩ Siliziumkarbid (SiC) Leistungs-MOSFET in einem TO-247-4L-Gehäuse. Entwickelt mit fortschrittlicher SiC-Technologie, bietet er hohe Sperrspannung, niedrigen RDS(on), schnelles Schalten und robuste Zuverlässigkeit. Er ist ideal für hocheffiziente Stromwandlungssysteme, die kompaktes Design und thermische Stabilität erfordern.
Maximale Bewertungen
| Parameter | Symbol | Bedingung | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung | VDS max | VGs=0V,Ip=100μA | 1200 | V |
| Gate-Source-Spannung | VGS max | Absolute Maximalwerte | -10/+22 | V |
| VGS Betrieb | Empfohlene Betriebswerte | -5/+18 | V | |
| Strom durch den Drain bei Dauerbetrieb | ID | VGs=18V, Tc=25℃ | 82 | A |
| VGs=18V, Tc=100℃ | 58 | |||
| Puls-Strom durch den Drain | ID Puls | Impulsbreite tp begrenzt durch Tvjmax | 264 | A |
| Leistungsaufnahme | PD | Tc=25℃, Tvjmax=175℃ | 417 | W |
| Betriebstemperatur der Verbindung | Tvjop | -55~175 | ℃ | |
| Temperaturbereich für Lagerung | Tstg | -55~175 | ℃ |
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC-MOSFET |
|---|---|
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Sperrspannung (V) | 1200 |
| RDS(on) (mΩ) | 40 |
