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SiC-Discrete-MOSFET
Diskrete SiC-Schottky-Dioden sind für hohe Effizienz und präzise Steuerung ausgelegt, mit hervorragender Hochtemperaturbeständigkeit, Spannungsresistenz und Hochfrequenzreaktion. Weit verbreitet in der industriellen Automatisierung, Automobil Elektronik und Energiemanagementsystemen bieten sie stabile und effiziente Stromumwandlungslösungen.
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Bild | Teilenummer | Typ | Gehäuse | Schaltbild | Sperrspannung (V) | Strom (A) | RDS(on) (mΩ) | Spezifikationen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiC-MOSFET | D:TO-247-3L | 1200 | 40 | ||||
 | SiC-MOSFET | TO-247-4L | 1200 | 40 | ||||
| SiC-MOSFET | TO-247-4L | 1200 | 75 |
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