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ES Ladelösung für Ladestationen
1200V / 1700V / 2200V SiC-Module mit äußerst niedrigen dynamischen und statischen Verlusten, Maximierung der Effizienz in OBC- und Ladestationsleistungsstufen.
Entwickelt für breite Betriebstemperaturen, ermöglicht höhere Überlastfähigkeit und stabile Betriebsbedingungen in anspruchsvollen Ladeumgebungen.
Erhöhte Umweltrobustheit gewährleistet langfristige Zuverlässigkeit für Outdoor- und öffentliche EV-Ladeinfrastruktur.
Optimierte Leistungszyklenleistung verlängert die Systemlebensdauer und reduziert Wartungskosten für Ladesysteme.
Einführung in die Serie der Ladestationen
HIITIOs Ladestationsmodule sind um fortschrittliche SiC Econo Dual-Pakete herum konzipiert, mit Fokus auf Hochleistungsdichte und hohe Effizienz bei OBC- und EV-Ladeanwendungen. Das Portfolio unterstützt einphasige unidirektionale, einphasige bidirektionale und dreiphasige bidirektionale OBC-Topologien, was eine flexible Systemgestaltung über AC/DC- und DC/DC-Stufen ermöglicht. Alle Module sind für Spannungsbereiche von 1200V–1700V–2200V ausgelegt und unterstützen Halbbrücken- und Chopper-Konfigurationen, die in moderner EV-Leistungselektronik weit verbreitet sind.
Einphasiges unidirektionales OBC
Einphasiges bidirektionales OBC
Dreiphasiges bidirektionales OBC
| Produktmodell | Chip-Typen | Ic(A)@25℃ | Topologie | Nennspannung(V) | Verpackung |
|---|---|---|---|---|---|
| HCS900FH120D3C1 | SiC | 900 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH120D3C1 | SiC | 600 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS450FH120D3C1 | SiC | 450 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS300FH120D3C1 | SiC | 300 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS900FC120D3A1 | SiC | 900 | Chopper | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS800FH170D3C1 | SiC | 800 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH170D3C1 | SiC | 600 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCS450FH170D3C1 | SiC | 450 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCS300FH170D3C1 | SiC | 300 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH120D3M | SiC | 600 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH120D3M2 | SiC | 600 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS450FH120M2 | SiC | 450 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH220D3M | SiC | 600 | Halbbrücke | 2200 | Econo Dual 3A |
| HCS300FH120D3M | SiC | 300 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH120D4C2 | SiC | 600 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual3B |
| HCS400FH120D4C2 | SiC | 400 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual3B |
| HCS300FH120D4C2 | SiC | 300 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual3B |
| HCS400FC120D4C2 | SiC | 400 | Chopper | 1200 | Econo Dual3B |
| HCS400FC170D4C2 | SiC | 400 | Chopper | 1700 | Econo Dual3B |
Fortschrittliche SiC-Leistungsplattform
Von der Gerätetechnologie bis zur Leistungskonfiguration wird jedes Detail für moderne EV-Lade- und Onboard-Ladegeräte-Anwendungen optimiert.
SiC Econo Dual Module Architektur
Fortschrittliche SiC MOSFET-Bauelemente, integriert in Econo Dual Gehäuse, reduzieren signifikant Leitungs- und Schaltverluste und verbessern die Effizienz bei Leerlauf- und Volllast-Ladebedingungen.
Optimierte Hochfrequenz-Schaltleistung
Gut ausbalancierte Schaltcharakteristika ermöglichen höhere Betriebstemperaturen mit reduzierten Schaltverlusten und EMI-Belastung, was kompaktere und leistungsstärkere Ladegeräte unterstützt.
Niedrigere Systemverlustleistungen
Reduzierte Halbleiterverluste führen direkt zu geringerer Wärmeentwicklung auf Systemebene, vereinfachen das thermische Management und verbessern die Zuverlässigkeit des Ladegeräts insgesamt.
Höhere Ladeeffizienz und Leistungsdichte
Verbesserte Effizienz über weite Betriebsbereiche ermöglicht höhere Leistungsdichte und schnellere Ladeleistung bei Onboard-Ladegeräten und EV-Ladestationen.
Anfrage zur Produktauswahl-Unterstützung
Unsere Ingenieure helfen Ihnen, das optimale SiC-Modul basierend auf Topologie, Spannungsbereich und thermischen Zielen auszuwählen.
Flexible Topologie- & Spannungsabdeckung
Mehrere Spannungsbereiche und Topologieoptionen ermöglichen eine nahtlose Integration in vielfältige Onboard-Ladegeräte- und EV-Ladestationssystemarchitekturen.
Breite Topologie-Kompatibilität
Unterstützt Halbwellenbrücken- und Chopper-Konfigurationen, die häufig in AC/DC- und DC/DC-Stufen von OBC- und Ladestationsdesigns verwendet werden.
Breite Spannungsplattform-Optionen
Verfügbar in den Klassen 1200V, 1700V und 2200V, deckt Anforderungen von Niederspannungs- bis Hochspannungsladesystemen ab.
Fähigkeit für Einphasen- und Dreiphasenbetrieb
Vollständig kompatibel mit Einphasen- und Dreiphasen-OBC-Architekturen, was die Wiederverwendung der Plattform in verschiedenen Fahrzeugmodellen vereinfacht.
Bidirektionale Leistungsflussfähigkeit
Ermöglicht bidirektionales Laden und Entladen, unterstützt V2G, V2H und zukünftige intelligente Energieinteraktionsszenarien.
Warum HIITIO wählen
HIITIO ist ein ingenieurgetriebener Hersteller von Leistungsmodule, spezialisiert auf SiC-Leistungslösungen für Onboard-Ladegeräte (OBC) und EV-Ladestationssysteme.
Mit starken internen Fähigkeiten, die die Auswahl von Bauteilen, Econo Dual-Modulverpackung, thermisches Engineering und Zuverlässigkeitsprüfung abdecken, sind HIITIOs SiC-Module so konzipiert, dass sie hohe Effizienz, lange Lebensdauer und stabile Leistung unter anspruchsvollen elektrischen, thermischen und Umweltbedingungen liefern, die typisch für moderne EV-Ladeinfrastruktur sind.
- Eigenes Modul-Design & Herstellung
- Bewährte Erfahrung in Windenergieanwendungen
- Zuverlässigkeitstests auf Industriestandard
- Flexible technische & kundenspezifische Unterstützung
Entwickelt für moderne Energiespeicher-Topologien
Vollständig kompatibel mit gängigen PCS-Schaltkreisarchitekturen, reduziert die Komplexität des Designs, beschleunigt die Systemintegration und senkt das gesamte Entwicklungsrisiko.
Einsphasen Unidirektionales OBC
Einsphasen Bidirektionales OBC
Dreiphasen Bidirektionales OBC
AC/DC PFC-Stufen
FAQ
Welche Spannungsbereiche sind für HIITIO-Lade-Module erhältlich?
HIITIO bietet SiC-Leistungsmodule in den Spannungsbereichen 1200V, 1700V und 2200V an. Diese Optionen decken gängige Onboard-Ladegeräte, Hochleistungs-Dreiphasen-OBC-Systeme und DC-Schnelllade-Front-End-Stufen ab.
Sind diese Module sowohl für unidirektionale als auch bidirektionale OBC-Designs geeignet?
Ja. Die Module unterstützen sowohl unidirektionale Ladearchitekturen als auch bidirektionale Topologien wie V2G und V2H.
Welche Topologien werden unterstützt?
Die Module sind für Half-Bridge- und Chopper-Topologien optimiert. Sie sind breit anwendbar in AC/DC PFC-Stufen und isolierten DC/DC-Wandlungsstufen innerhalb von EV-Ladesystemen.
Wie verbessert SiC-Technologie die Ladeeffizienz?
SiC-MOSFETs reduzieren die Schalt- und Leitungsverluste im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumbauteilen erheblich.
Was ist die maximale Betriebstemperatur?
Die Module sind für den Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen ausgelegt, typischerweise bis zu 175°C. Dies bietet einen erhöhten thermischen Spielraum und unterstützt eine zuverlässige Leistung unter anspruchsvollen Ladebedingungen.
Können diese Module in Dreiphasen-OBC-Systemen verwendet werden?
Ja. Die Varianten mit 1700V und 2200V sind besonders gut geeignet für dreiphasige Hochleistungs-OBC-Systeme (z.B. 11kW / 22kW), was eine höhere Effizienz und Leistungsdichte ermöglicht.
Bietet HIITIO Engineering-Unterstützung für die Entwicklung von Ladegeräten an?
Ja. Die Varianten mit 1700V und 2200V sind besonders gut geeignet für dreiphasige Hochleistungs-OBC-Systeme (z.B. 11kW / 22kW), was eine höhere Effizienz und Leistungsdichte ermöglicht.
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HIITIO entwirft und fertigt Hochleistungs-SiC-Leistungsmodule für Onboard-Ladegeräte (OBC) und EV-Ladestationen. Unterstützt durch umfassende interne Engineering-Kapazitäten, die Geräteauswahl, Econo Dual-Modulverpackung, thermische Optimierung und Zuverlässigkeitsprüfung umfassen, liefern unsere Ladegeräte hohe Effizienz, stabile Betriebsfähigkeit und verlängerte Lebensdauer unter anspruchsvollen elektrischen, thermischen und umweltbedingten Bedingungen, die typisch für moderne EV-Ladeinfrastruktur sind.
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