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ES Automobil-Qualitätslösung
- Hohe Stromdichte, branchenführende Betriebsbedingungen
- Geringe Leitungs- und Schaltverluste für höhere Ausgangsströme
- Niedrige Streuinduktivität zur Vermeidung von Oszillationen, thermisch niedrige Widerstandsentwicklung
- Substrate, Backplanes, Gehäuse usw. können an die vielfältigen Leistungsanforderungen der Kunden angepasst werden
Einführung in die Automotive Grade SiC-Modulserie
Die mit den Hochleistungs-Planar-Gate-SiC-MOSFET-Chips von Xilian entwickelte Verpackungs- und Kunststoffgehäuseserie deckt den gesamten Bereich von 750V bis 1200V ab. Sie zeichnen sich durch hohe Stromdichte, geringe Schaltverluste und hohe Kurzschlussfähigkeit aus und können die hohen Zuverlässigkeitsanforderungen an Leistungsmodule für komplexe Automobilarbeitsbedingungen erfüllen.
| Produktmodell | Chip-Typen | Ic(A)@25℃ | Topologie | Nennspannung(V) | Verpackung |
|---|---|---|---|---|---|
| HCS900FH120D3C1 | Sic | 900 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH120D3M | SiC | 600 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS450FH120M2 | Sic | 450 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS300FH120D3C1 | SiC | 300 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual 3A |
| HCS800FH170D3C1 | SiC | 800 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH170D3C1 | SiC | 600 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCS450FH170D3C1 | Sic | 450 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCS300FH170D3C1 | SiC | 300 | Halbbrücke | 1700 | Econo Dual 3A |
| HCS450FH220D3M | Sic | 450 | Halbbrücke | 2200 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH220D3M | SiC | 600 | Halbbrücke | 2200 | Econo Dual 3A |
| HCS600FH120D4C2 | SiC | 600 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual3B |
| HCS400FH120D4C2 | Sic | 400 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual3B |
| HCS300FH120D4C2 | Sic | 300 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual3B |
| HCS400FC120D4C2 | SiC | 400 | Chopper | 1200 | Econo Dual3B |
| HCS400FC170D4C2 | Sic | 400 | Chopper | 1700 | Econo Dual3B |
| HCS600FH120D5B3 | SiC | 600 | Halbbrücke | 1200 | Econo Dual3C |
Planar-Gate-SiC-MOSFET für Effizienz
Eine bewährte Chipstruktur, die Schaltgeschwindigkeit und Leitungsverlust ausbalanciert und stabile dynamische Leistung auch bei Hochfrequenzbetrieb gewährleistet.
Ultra-niedrige Streuinduktivität Verpackung
Optimierte Strompfade unterdrücken Überschwinger und Klingeln, reduzieren EMI und verbessern die Schaltqualität sowie die Sicherheit des Systems.
Hohe Stromdichte bei kompakter Größe
Mehr Leistung aus kleinerem Raum liefern, was kompakte, leichte und hochintegrierte Wechselrichterdesigns ermöglicht.
Höhere Effizienz auf Systemebene
Geringere Schalt- und Leitungsverluste verringern den Kühlungsbedarf, erhöhen die Reichweite des Fahrzeugs und die Energieausnutzung.
Benötigen Sie eine maßgeschneiderte SiC-Modullösung?
Teilen Sie uns Ihre Systemanforderungen mit — wir liefern das optimierte Modul
Überlegene thermische und Kurzschlussfähigkeit
Entwickelt für Hochtemperaturumgebungen und zuverlässigkeit basierend auf Missionsprofilen
Struktur mit niedriger thermischer Widerstandsfähigkeit
Mehrlagiger thermischer Pfad ermöglicht schnelle Wärmeabfuhr, reduziert die Temperatursteigerung und erhält eine höhere Leistungsabgabe.
Hohe Sperrschichttemperaturfähigkeit
Betrieb bei höheren Sperrschichttemperaturen bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der elektrischen Leistung und langfristigen Zuverlässigkeit.
Robuste Kurzschlussfestigkeit
Bietet längere Schutzreaktionszeit bei Fehlerbedingungen, erhöht die Sicherheitsspanne des Systems.
Erweiterte Lebensdauer beim Power Cycling
Verbesserte Materialanpassung erhöht die Widerstandsfähigkeit gegen thermo-mechanische Belastungen und erfüllt die Erwartungen an die Lebensdauer im Automobilbereich.
Ihr vertrauenswürdiger SiC-Modulpartner
HIITIO ist ein ingenieurgetriebener Hersteller von Leistungshalbleitern, spezialisiert auf IGBT-Module für anspruchsvolle industrielle und erneuerbare Energieanwendungen.
Mit starken internen Fähigkeiten in Chip-Auswahl, Modulverpackung, thermischer Optimierung und Zuverlässigkeitsprüfung liefert HIITIO Produkte, die für den Langzeiteinsatz unter rauen elektrischen und Umweltbedingungen entwickelt wurden.
- Inhouse-Modulverpackungsfertigung
- Umfassende Zuverlässigkeitstestfähigkeit
- Flexible Topologie- und Plattformabdeckung
- Schnelle Anpassung für OEM- und Plattformprojekte
Anwendungsszenarien
Entwickelt für die nächste Generation von elektrischen Antriebsarchitekturen
EV-Traktionswechselrichter
E-Achse für Nutzfahrzeuge
Hochspannungsleistungsplattformen
Bidirektionale Stromumwandlungssysteme
Häufig gestellte Fragen zu HIITIO Windkraft IGBT-Modulen
Welche Spannungsplattformen werden unterstützt?
Das Modul unterstützt Plattformen mit 750V, 800V, 1000V und höheren Spannungen für sowohl Passagier- als auch Nutzfahrzeug-Antriebe, mit Anpassungsmöglichkeiten für spezielle Spannungsanforderungen.
Was sind die wichtigsten Vorteile gegenüber herkömmlichen IGBT-Modulen?
SiC-Module bieten geringere Schalt- und Leitungsverluste, was eine höhere Effizienz, reduzierte Kühlgröße, erhöhte Leistungsdichte und eine verlängerte Reichweite ermöglicht.
Ist das Modul für automotive Zuverlässigkeitsstandards qualifiziert?
Das Modul ist unter Einsatzbedingungen des Einsatzprofils einschließlich Lastwechsel, Thermoschock, Kurzschluss- und HTRB-Tests für den langfristigen Antriebsstrangbetrieb entwickelt und validiert.
Bieten Sie während der Designphase technische Unterstützung an?
HIITIO bietet umfassende Anwendungssupports, einschließlich Verlustsimulation, thermischer Designberatung, Gate-Treiber-Abstimmung und parasitärer Optimierung der Sammelschiene.
Wie stellen Sie Produktionskapazität und Liefersicherheit sicher?
Mit hauseigenen Verpackungslinien und einer ausgereiften Lieferkette gewährleisten wir eine schnelle Hochlaufphase vom Prototypen bis zur Massenproduktion sowie langfristige Liefersicherheit.
Wie kann ich Datenblätter, Muster oder technischen Support anfordern?
Sie können HIITIO direkt über das Anfrageformular kontaktieren, um Datenblätter, Muster oder technischen Support für Ihr Windkraftprojekt anzufordern.
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HIITIO ist ein globaler Anbieter von Leistungshalbleiterlösungen für die Mobilität der neuen Energie und saubere Stromsysteme, mit Fokus auf Entwicklung und Herstellung hochleistungsfähiger Leistungsmodule. Mit starken internen Fähigkeiten in Chip-Auswahl, Verpackungsprozessentwicklung, thermischer Optimierung und Zuverlässigkeitsvalidierung liefern wir SiC-Module, die für den langfristigen Betrieb unter Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsdichte-Bedingungen ausgelegt sind.
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