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1200V 32mΩ Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET TO-247-4L
- Hohe Sperrspannung (1200V) mit ultra-niedrigem RDS(on) von 32mΩ
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger parasitärer Kapazität
- Einfache Parallelschaltung und unkomplizierte Gate-Ansteuerung
- Robuste Leistung bis zu einer Sperrschichttemperatur von 175℃
- Halogenfrei, RoHS-konform
- Geeignet für Resonanztopologien
Beschreibung
Der HCM32S12T4K2 ist ein 1200V 32mΩ Siliziumkarbid (SiC) Leistungs-MOSFET in einem TO-247-4L-Gehäuse, entwickelt für hoch effiziente und zuverlässige Anwendungen. Mit der 3. Generation SiC-MOSFET-Technologie bietet er niedrigen On-Widerstand, Hochgeschwindigkeits-Schalten und exzellente thermische Leistung.
Maximale Bewertungen
| Parameter | Symbol | Bedingung | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung | VDS max | VGs=0V,Ip=100μA | 1200 | V |
| Gate-Source-Spannung | VGS max | Absolute Maximalwerte | -10/+22 | V |
| VGS Betrieb | Empfohlene Betriebswerte | -5/+18 | V | |
| Strom durch den Drain bei Dauerbetrieb | ID | VGs=18V, Tc=25℃ | 90 | A |
| VGs=18V, Tc=100℃ | 64 | |||
| Puls-Strom durch den Drain | ID Puls | Impulsbreite tp begrenzt durch Tvjmax | 270 | A |
| Leistungsaufnahme | PD | Tc=25℃, Tvjmax=175℃ | 417 | W |
| Betriebstemperatur der Verbindung | Tvjop | -55~175 | ℃ | |
| Temperaturbereich für Lagerung | Tstg | -55~175 | ℃ |
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC-MOSFET |
|---|---|
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Sperrspannung (V) | 1200 |
| RDS(on) (mΩ) | 32 |
