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1200V 600A IGBT-Modul, E6-Gehäuse, mit FWD und NTC
- 1200V Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur für überlegene Effizienz
- Hohe Kurzschlussfähigkeit mit 10μs Widerstandsfähigkeitszeit
- Geringe Schaltverluste für reduzierten Energieverbrauch
- Hohe Zuverlässigkeit und positiver Temperaturkoeffizient
- Integrierter NTC für präzise Temperaturüberwachung
Beschreibung
Das HCG600FH120D3K4D2 ist ein Hochleistungs-1200V 600A IGBT-Modul, das für anspruchsvolle Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurde. Mit einem E6-Gehäuse, integriertem Freilaufdiode (FWD) und NTC-Thermistor sorgt dieses Modul für einen effizienten und zuverlässigen Betrieb in Hochleistungs-Systemen.
Maximale Bewertungen
| Parameter | Symbol | Bedingung | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | VGE=OV,Tvj=25℃ | 1200 | V |
| Gleichstrom-Kollektorstrom | Ic | Tc=115℃, Tyj,max=175℃ | 600 | A |
| Spitzen-Kollektorstrom | ICM | tp=1ms | 1200 | A |
| Gate-Emitter-Spitzenspannung | VGES | ±20 | V | |
| Gesamtleistung dissipiert | Ptot | Tc=25°℃, Tvj,max=175℃ | 3950 | W |
| Repetitive Spitzensperrspannung | VRRM | Tvj=25℃ | 1200 | V |
| Ständiger Gleichstromdurchlass | IF | 600 | A | |
| Repetitive Spitzendurchlassstrom | IFRM | tp=1ms | 1200 | A |
| Rt-Wert | 12t | VR=0V,tp=10ms,Tv=125℃ | 51000 | A2s |
| IGBT-Kurzschlusswiderstandsfähigkeitszeit | tpsc | 10 | μs | |
| Maximale Anschluss-Temperatur | Tvjmax | 175 | ℃ | |
| Betriebstemperatur der Verbindung | Tvjop | -40~150 | ℃ | |
| Speichertemperatur | Tst | -40~125 | ℃ |
Zusätzliche Informationen
| Modul | IGBT |
|---|---|
| Gehäuse | E6 |
| Schaltbild | Halbbrücke |
| Sperrspannung (V) | 1200 |
| Modulstrom (A) | 600 |
