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650V 450A Einfaches 3B IGBT-Leistungsmodul
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
- Gleichstrom-Kollektorstrom (ICDC): 346A (T1/T4), 271A (T2/T3)
- Repetitiver Spitzen-Kollektorstrom (ICRM): 900A
- Gesamte Leistungsaufnahme (Ptot): 470W (T1/T4), 339W (T2/T3)
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20V
- Betriebs-Übergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
- Wärmeleitfähigkeit (RthJH): 0,202 K/W (T1/T4), 0,231 K/W (T2/T3)
Beschreibung
Das HCG450FL065E3RD ist ein Hochleistungs-650V-450A-IGBT-Modul von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., das für I-Typ 3-Level-NPC-Inverteranwendungen entwickelt wurde. Mit fortschrittlicher Graben-Gate/Field-Stop-Technologie bietet es niedrige VCEsat, minimale Schaltverluste und einen positiven Temperaturkoeffizienten für überlegene Effizienz. Das Modul integriert eine Al2O3 Substrat für geringe thermische Widerstände, ein kompaktes Niedriginduktionsdesign und DBC-Technologie für verbesserte Wärmeableitung, um Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen zu gewährleisten.
Hauptmerkmale:
- 650V 3-Level-NPC-Topologie: Optimiert für Hochleistungs-Wechselrichter.
- Niedriges VCEsat & Schaltverluste: Steigert die Effizienz bei Hochfrequenzbetrieb.
- Al2O3 Substrat: Gewährleistet niedrigen thermischen Widerstand für zuverlässige Leistung.
- Kompaktes Niedriginduktionsdesign: Reduziert EMI und verbessert die Stabilität.
- DBC-Technologie: Verbessert die Wärmeableitung für längere Haltbarkeit.
- Vielfältige Anwendungen: Ideal für USV, Solar, APF/SVG und 3-Level-Systeme.
Zusätzliche Informationen
| Modul | IGBT |
|---|---|
| Gehäuse | Einfach 3B |
| Eigenschaft | RD |
| Schaltbild | FL: 3-stufig, I-Typ, NPC-Inverter |
| Sperrspannung (V) | 650 |
| Modulstrom (A) | 450 |
