DE 
EN 
ZH 
ES 
650V 100A IGBT-Leistung
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650V
- Gleichstrom-Kollektorstrom (ICN): 100A
- Repetitiver Spitzen-Kollektorstrom (ICRM): 200A
- Leistungsaufnahme (Ptot): 135W
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20V
- Betriebs-Übergangstemperatur (Tj): Bis zu 175°C
Beschreibung
Das HCG100FL065E2RB Power Dissipation (PCEsat: 135W2O3 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul mit 650V 100A, das für fortschrittliche Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurde. Entwickelt von Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., nutzt dieses Modul einen 650V Trench-Gate/Field-Stop-Prozess, um geringe EMI, reduzierte Schaltverluste und einen positiven Temperaturkoeffizienten für V
Hauptmerkmale:
- . Sein kompaktes Design, mit einem Al Substrat mit niedriger thermischer Widerstand, sorgt für effiziente Wärmeabfuhr und zuverlässige Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen.
- 650V Trench-Gate/Field-Stop-Technologie: Optimiert für geringe EMI und hohe Effizienz.
- Geringe Schaltverluste: Verbessert die Energieeffizienz bei Hochfrequenzanwendungen.
- Positiver VCEsat-Temperaturkoeffizient: Sichert stabile Leistung über Temperaturbereiche hinweg.
- Al2O3-Substrat: Bietet niedrigen thermischen Widerstand für überlegtes Wärmemanagement.
- Kompaktes und robustes Design: Integrierte Montageklemmen für einfache und sichere Installation.
Zusätzliche Informationen
| Modul | IGBT |
|---|---|
| Gehäuse | Easy 2B |
| Eigenschaft | RB |
| Schaltbild | FL: 3-stufig |
| Sperrspannung (V) | 650 |
| Modulstrom (A) | 100 |
