1700V 1200A Hochspannungs-IGBT-Leistungsschalter-Modul-Doppel-Schalter

Hochleistungs-HCGM1200DDM17-TSA000 IGBT-Modul für Antriebssysteme, Motorsteuerungen und Wechselrichter mit 1700V Spannung und 1200A Stromkapazität.

Hauptmerkmale:

  • AlSiC-Basisplatte für überlegene thermische Verwaltung.

  • AlN-Substrate verbessern die Stabilität und Effizienz des Moduls.

  • Hohe thermische Zyklusfähigkeit sichert langlebige Zuverlässigkeit.

  • 10µs Kurzschlussfestigkeit für robuste Betriebsfähigkeit.

Beschreibung

Das HCGM1200DDM17-TSA000 Dual-Schalter-IGBT-Modul ist ausgelegt für Hochleistungsanwendungen in der Leistungselektronik, einschließlich Antriebssysteme, Motorsteuerungen und Hochzuverlässigkeitswechselrichter. Mit einer VCES Bewertung von 1700V und einem maximalen Kollektorstrom (IC) of 1200Abietet dieses Modul außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen.

Technische Spezifikationen:

  • Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 1700V

  • Maximaler Kollektorstrom (IC): 1200A

  • Isolationsspannung: 4000V (1-Minuten-Test)

  • Betriebstemperatur: -40°C bis 150°C

  • Gewicht: 900g

Zusätzliche Informationen

Modul

IGBT

Gehäuse

DFN8*8

Eigenschaft

PSA

Schaltbild

Einzelschalter

Sperrspannung (V)

6500

Modulstrom (A)

750

Wie können wir Ihnen helfen?

Erhalten Sie eine individuelle IGBT-Lösung

Teilen Sie uns Ihre Projektanforderungen mit, und unser Engineering-Team wird innerhalb von 24 Stunden maßgeschneiderte Empfehlungen geben.

Werbeformular

Ressourcen herunterladen

Zugriff auf Datenblätter und detaillierte Einblicke in IGBT-Halbleiter, um Ihr nächstes Projekt zu unterstützen.

SEO-Popup-Formular

Powered by HIITIO – Alle Rechte vorbehalten.  Datenschutzrichtlinie

Bleiben Sie in Kontakt

Erhalten Sie wichtige Updates und IGBT-Einblicke, bevor Sie gehen.

Verlängerungsformular

Sprechen Sie mit unseren Produktexperten

Kontaktformular