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1700V Siliziumkarbid-Schottky
VDS = 1700 V
RDS（on） = 750 mΩ（VGS = 15 V）
RDS（on） = 550 mΩ（VGS = 20 V）
TJ, max = 175 ℃
Beschreibung
Merkmale
- Hohe Sperrspannung
- Niediger On-Widerstand bei hoher Junction-Temperatur
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedrigen Kapazitäten
- Schnelle intrinsische Diode mit geringem Rückwärtswiderstand (Qrr )
- RoHS-konform
Vorteile
- Höhere Systemeffizienz
- Reduzierte Kühlanforderungen
- Erhöhte Leistungsdichte
- Ermöglichung höherer Frequenzen
- Gate-Ringing minimieren
- Reduzierung der Systemkomplexität und -kosten
Anwendungen
- Schaltregler
- Gleichstrom-/Gleichspannungswandler
- Solarkonverter
- Batterieladegeräte
- Motorantriebe
Maximale Bewertungen
- Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC-MOSFET |
|---|---|
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Sperrspannung (V) | 1700 |
| Tjmax (℃) | 175 |
