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1200V 75A Siliziumkarbid Schottky-Diode
VDS = 1200 V
RDS(on) = 37 mΩ
ID = 75 A
Beschreibung
Merkmale
- 1200V Schottky-Diode
- Gleichstrom umkehrstromfreie Rückstrom
- Hochfrequenzbetrieb
- Temperaturunabhängiges Schalten
- Extrem schnelles Schalten
Vorteile
- Bipolare Gleichrichter durch Unipolare ersetzen
- Im Wesentlichen keine Schaltverluste
- Hohe Effizienz
- Reduzierung der Kühlkörperanforderungen
- Parallele Bauteile ohne thermischen Durchbruch
Anwendungen
- Schaltregler
- Boost-Dioden im PFC
- DC/DC-Wandler
- AC/DC-Wandler
- Freilaufdioden im Wechselrichter
Maximale Bewertungen
- Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC-MOSFET |
|---|---|
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Sperrspannung (V) | 1200 |
| Modulstrom (A) | 75 |
| RDS(on) (mΩ) | 37 |
