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650V 4A Siliziumkarbid Schottky-Diode
VRRM = 650 V
IF ( TC=153 ℃) = 4 A
QC = 11 nC
Beschreibung
Merkmale
- 650V Schottky-Diode
- Gleichstrom umkehrstromfreie Rückstrom
- Hochfrequenzbetrieb
- Temperaturunabhängiges Schalten
- Extrem schnelles Schalten
Vorteile
- Bipolare Gleichrichter durch Unipolare ersetzen
- Im Wesentlichen keine Schaltverluste
- Hohe Effizienz
- Reduzierung der Kühlkörperanforderungen
- Parallele Bauteile ohne thermischen Durchbruch
Anwendungen
- Schaltregler
- Boost-Dioden im PFC
- DC/DC-Wandler
- AC/DC-Wandler
- Freilaufdioden im Wechselrichter
Maximale Bewertungen
- Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC SBD |
|---|---|
| Gehäuse | TO-220-2 |
| Sperrspannung (V) | 650 |
| Modulstrom (A) | 4 |
| Tjmax (℃) | 153 |
