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E2 1200V 160A SIC-Leistungsmodul
Das HCS06FH120E2A2 ist ein Halbwellen-SiC-MOSFET-Leistungsmodule. Es integriert Hochleistungs-SiC-MOSFET-Chips, die für Anwendungen wie Solarwechselrichter, USV-Systeme, Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler und Energiespeichersysteme entwickelt wurden.
Beschreibung
Merkmale
- Blockierspannung: 1200V
- Rds(on): 7,5mΩ
- Niedrige Schaltverluste
- maximale Verbindungstemperatur von 175℃
- Integrierter Thermistor
Anwendungen
- Solarsysteme
- Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Energiespeichersysteme
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC |
|---|---|
| Gehäuse | Easy 2B |
| Eigenschaft | A2 |
| Schaltbild | Halbbrücke |
| Sperrspannung (V) | 1200 |
| Modulstrom (A) | 160 |
| RDS(on) (mΩ) | 7.5 |
| Tjmax (℃) | 175 |
