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E0 1200V 150A SIC-Leistungsschütz
The HCS06FH120E1C1 is a half bridge SiC MOSFET Power Module. It integrates high
Leistungsfähige SiC-MOSFET-Chips, die für Anwendungen wie Solar-Wechselrichtersysteme, Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Energiespeichersysteme entwickelt wurden.
Beschreibung
Merkmale
- Sperrspannung: 1200V
- Rds(on):6,2mΩ@25℃;10,3mΩ@175℃
- Niedrige Schaltverluste
- 175℃ maximale Sperrschichttemperatur
- Si3N4AMB
- Thermistor eingebaut
Anwendungen
- Solar-Wechselrichtersysteme
- Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Energiespeichersysteme
- Solid-State-Relais
Zusätzliche Informationen
| Modul | SiC |
|---|---|
| Gehäuse | Easy 1B |
| Eigenschaft | C1 |
| Schaltbild | Halbbrücke |
| Sperrspannung (V) | 1200 |
| Modulstrom (A) | 150 |
| RDS(on) (mΩ) | 6.2 |
| Tjmax (℃) | 175 |
