ED3 1700V 800A SIC-Leistungsmodule

Der HCS800FH170D3C1 ist ein Halbbogen-SiC-MOSFET-Leistungsschütz. Er integriert Hochleistungs-SiC-MOSFET-Chips, die für Anwendungen wie Motorantriebe und erneuerbare Energien entwickelt wurden.

Kategorie:

Beschreibung

Merkmale

  • Sperrspannung 1200V
  • RDS(on) = 2,8 mΩ bei Tj = 25℃
  • Niedrige thermische Widerstand mit Si3N4 AMB
  • Maximale Sperrschichttemperatur 175°C
  • Thermistor eingebaut
  • Niedrige Schaltverluste

Anwendungen

  • xEV-Anwendungen
  • Motorantriebe
  • Schnellladegeräte für Fahrzeuge
  • Smart-Grid / Netzintegrierte dezentrale Erzeugung

Zusätzliche Informationen

Modul

SiC

Gehäuse

Econo Dual 3A

Eigenschaft

C1

Schaltbild

Halbbrücke

Sperrspannung (V)

1700

Modulstrom (A)

800

RDS(on) (mΩ)

2.8

Tjmax (℃)

175

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